作者:许金铃; 陈城钊; 詹镇业; 陈佳仪; 王久川; 曾锦城; 陈景乐 期刊:《材料研究与应用》 2019年第04期
采用离子注入和快速热退火处理获得n型锗材料,利用拉曼(Raman)光谱、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻测试(SRP)和四探针等分析方法,分别研究了样品热退火前后的微结构和电学性能.实验结果表明,该掺杂方法能得到稳定的n型锗材料,其电学性能随热退火温度的升高和时间的缩短而进一步改善,其中在700℃、3 s退火条件下,样品的电学激活浓度约为3.14×1019 cm-3,方块电阻为63.5Ω/sq.
<正> 在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaN HEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们
作者:杨格丹; 王永晨; 赵杰; 车经国; 张淑云 期刊:《光子技术》 2004年第03期
采用PECVD技术在1.55μn InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子...
作者:丁景兵; 蔡长龙; 邵雨 期刊:《西安工业大学学报》 2018年第03期
为保证氧化铟锡(ITO)薄膜良好的导电性和很高的可见光透过率,通过射频磁控溅射在光学玻璃基底上制备了ITO薄膜,采用分光光度计和四探针测试仪测试了ITO薄膜电阻率和在可见光范围内的透过率,X射线衍射(XRD)测试薄膜晶相结构.研究基底温度、氧气和氩气流量比和退火时间等工艺对ITO薄膜光电特性的影响.研究结果表明:在氧气和氩气流量比为1∶99、基片温度200℃、溅射功率150W、250℃退火60min条件下,沉积的ITO薄膜厚度约为1.4μm,I...
作者:吕国伟; 唐英杰; 李卫华; 黎子兰; 张国义; 杜为民 期刊:《光谱学与光谱分析》 2005年第01期
通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaN/GaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响. 观测到退火后InGaN/GaN量子阱的拉曼光谱E2, A1(LO)模式的峰位置出现了红移, 而且该振动峰的半高宽也有微小变化. 温度升高退火效果更明显. 退火使量子阱内应力部分消除, 同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化. 在常温和低温下的光荧光谱表明, 退火处理的量子阱发光主峰都出现了...
作者:郭春扬; 张瑞英; 刘纪湾; 王林军 期刊:《半导体技术》 2019年第03期
研究了Cu/SiO2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂(QWI)行为。在多量子阱(MQW)外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)不同厚度的SiO2,然后溅射5nm Cu,在不同温度下进行快速热退火(RTA)诱发量子阱混杂。通过光荧光(PL)谱表征样品在QWI前后的变化。实验结果表明,当RTA温度小于700℃时,PL谱峰值波长只有微移,且变化与其他参数关系不大;当RTA温度大于700℃时,PL谱峰值波长移动与介质层厚度和RTA时间...
作者:潘书万; 庄琼云; 郑力新 期刊:《华侨大学学报·自然科学版》 2018年第05期
采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.
作者:黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩; 卢建政; 张慧 期刊:《固体电子学研究与进展》 2005年第03期
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600~800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C.依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2%和4%的Pt样品进行了分析.结果表明,掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性.最后,制作了I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二...
作者:杜江锋; 赵波; 罗谦; 于奇; 靳翀; 李竞春 期刊:《电子元件与材料》 2004年第12期
基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为7×1016cm-3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成.样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6×10-6Ω·cm2.研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属...
作者:黄文韬; 陈长春; 刘志农; 邓宁; 刘志弘; 陈培毅; 钱佩信 期刊:《微电子学》 2004年第04期
采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550℃下SiO 2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响.实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降.
作者:马忠元; 韩培高; 黄信凡; 隋妍萍; 陈三; 钱波; 李伟; 徐岭; 徐骏; 陈坤基 期刊:《南京大学学报·自然科学》 2005年第01期
采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.用快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜进行处理,制备nc-Si/SiO2多层膜,研究了这种方法对a-Si:H/SiO2多层膜发光特性的影响.研究发现对a-Si:H/SiO2多层膜作快速热退火处理,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰.研究了不同退火条件下发光峰的变化.通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析,探讨了a-Si:H/SiO2多层膜在...
作者:罗益民; 陈振华; 黄培云 期刊:《材料导报》 2004年第07期
报道了利用高剂量Ge+注入制备SiGe/Si异质结的工作.100keV、5.3×1016/cm2/cm2 Ge+注入(001)SIMOX膜中,峰值Ge+浓度接近20%.样品在不同温度下进行不同时间的快速热退火,X射线衍射分析和背散射沟道谱研究表明:1000°C退火0.5h,退火效果较好;退火时间过短或过长,退火温度过高或过低,都将影响退火效果.
作者:闫晓密; 黄慧诗; 华斌; 张秀敏; 莫晓帆; 周东 期刊:《半导体技术》 2017年第10期
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响。结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33Ω/和93.1%,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3%;氧气体积流量为1 cm^3/min时,ITO薄膜的方块...
作者:赵宇涵; 李雪; 关海艳; 杜金峰; 张健; 李传南; 汪津 期刊:《发光学报》 2017年第08期
采用快速热退火对ZnO薄膜进行后处理,制作了ITO/ZnO/PTB7∶PC71BM/MoO3/Ag结构的倒置聚合物太阳能电池,器件能量转换效率达到了8.1%,与传统热退火工艺相比提高了11.26%。通过原子力显微镜、扫描电子显微镜、X光衍射谱、透射光谱和荧光谱对不同退火条件下制备的ZnO薄膜进行表征和分析。结果表明,经快速热退火处理的ZnO薄膜具有良好的c轴取向结晶特性、较大的晶粒尺寸和表面粗糙度,有效地降低了器件的串联电阻Rs,增大了器件的短路电...
作者:林圳旭; 宋捷; 黄锐; 王岩; 王怀佩; 郭艳青; 宋超 期刊:《南京大学学报·自然科学》 2017年第03期
采用甚高频等离子增强化学气相沉积技术,以SiH4,CH4和O2作为反应气源,在150℃下制备非晶碳氧化硅薄膜,并对薄膜进行不同条件下快速热退火处理,研究快速热退火处理对其结构和发光特性的影响.实验表明,原始沉积薄膜在可见光全波段展现较强的光致发光特性,经过快速热退火处理后,其发光强度显著增强.薄膜在700℃经过快速热退火10s后,相比于原始沉积薄膜,其发光强度增强6倍,肉眼可见强的蓝绿光光发射.光荧光谱(PL)分析表明,薄膜的发光...
作者:牟潇野; 陈诺夫; 白一鸣; 杨博; 陶泉丽; 陈吉堃 期刊:《功能材料》 2015年第B12期
利用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备出具有Ge/石墨/Si结构的薄膜样品,然后把其放入快速热退火(RTA)炉中退火。扫描电子显微镜(SEM)测试表明,石墨过渡层的引入缓解了Si、Ge之间的晶格失配和热失配。X射线衍射(XRD)分析表明450℃是Ge薄膜晶化的临界衬底温度,750℃是使Ge薄膜RTA晶化程度明显提高的临界退火温度,30s是最佳退火时间。
作者:袁广才; 徐征; 张福俊; 王勇; 许洪华; 孙小斌 期刊:《液晶与显示》 2006年第05期
采用磁控溅射和电子束热蒸发方法制备了ZnO-TTFT(ZnO基透明薄膜晶体管)器件,通过XRD和透射光谱对两种不同制作方法的样品性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c—axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上。研究了退火处理对器件性能的影响,发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降...
作者:王学毅; 徐岚; 唐绍根 期刊:《微电子学》 2007年第02期
在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。
作者:袁广才; 徐征; 张福俊; 王勇; 许洪华 期刊:《光电子激光》 2007年第08期
采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物(ITO)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法及原子力显微镜(AFM)研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影响。以ITO/NPB/AlQ/Al结构的器件为例,讨论了不同的制备条件下ITO薄膜的表面效应对电致发光(EL)的影响,通过EL光谱表征发现,对ITO退火处理后,器件的相对发光强度明显增加,衰减速度减慢,器件的EL光谱有明显的变化。通...
报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法。氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明:在快速升温条件下所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机均匀的,直径在1.6-15nm范围内,硅粒大小随退火过程中升温快慢而变化。