微电子学杂志 北大期刊 统计源期刊

模拟集成电路的特点及设计平台

作者：李儒章 刊期：2004年第04期

讨论了常规和射频模拟集成电路(IC)设计和工艺的特点,介绍了模拟集成电路设计平台,着重论述了电子设计自动化的软件工具、硬件平台,以及设计与工艺接口的设计数据库.详细介绍了模拟IC及RF IC的设计流程和工艺设计包.

模拟集成电路测试平台建设

作者：蒋和全 刊期：2004年第04期

简述了模拟集成电路(IC)测试平台的概念和特点、国内外模拟IC测试平台的发展动态及差距,对模拟IC测试平台的建设与发展提出了建议.

频率合成器技术发展动态

作者：万天才 刊期：2004年第04期

介绍了频率合成器的种类、技术发展云态;分析比较了国内外频率合成器的发展现状,并对我国频率合成器的发展提出了建议.

低压低功耗模拟集成电路的发展

作者：严晓浪; 吴晓波 刊期：2004年第04期

集成电路的低压低功耗设计已成为当今微电子领域研究的热点.介绍了集成电路(IC)低功耗设计问题的产生,在讨论IC的低功耗设计技术基础上,重点论述了模拟IC的低压低功耗设计问题,介绍了国内外最新的若干模拟IC低压低功耗解决方案及其特点以及实现方法.

CMOS射频集成电路的研究进展

作者：张国艳; 黄如; 张兴; 王阳元 刊期：2004年第04期

近年来,射频集成电路(RF IC)的应用和研究得到了飞速的发展,CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点.文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨,着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案;分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)...

SOI CMOS模拟集成电路发展概述

作者：刘忠立 刊期：2004年第04期

从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点.

SOI高压器件及高压集成技术

作者：方健; 郭宇峰; 雷宇; 张波; 李肇基 刊期：2004年第04期

SOI技术被誉为21世纪的硅集成技术.文章综述了SOI材料的特点与制备、高压功率器件的最新发展动态,以及相关的高压功率驱动集成技术的发展现状;介绍了作者在功率,特别是高压SOI器件和集成电路方面的工作,以作引玉之砖.

新书推介

刊期：2004年第04期

高性能模拟集成电路工艺技术

作者：何开全; 谭开洲; 李荣强 刊期：2004年第04期

介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展.重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势.

RF／IF放大器发展动态综述

作者：刘伦才; 王若虚 刊期：2004年第04期

概述了国内外新型RF/IF放大器的产品性能和技术特点.结合电子系统使用环境,介绍了低噪声宽带放大器、运算放大器及比较器、中视频放大器、模拟乘法器等模拟集成电路的国内外发展动态.

低压差电压调节器技术发展动态

作者：赖凡 刊期：2004年第04期

介绍了电源和功率管理集成电路市场,描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势;对国内外LDO产品和技术现状进行了比较,提出了发展LDO的建议.

UHV／CVD多晶锗硅及其电学特性

作者：黄文韬; 陈长春; 刘志农; 邓宁; 刘志弘; 陈培毅; 钱佩信 刊期：2004年第04期

采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550℃下SiO 2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响.实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻...

基于SOS／SOI绝缘衬底的Si／SiGe HBT设计

作者：史辰; 陈建新; 杨维明 刊期：2004年第04期

着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制.基于双口网络理论,定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系;采用SOS/SOI绝缘衬底和自行设计的岛型隔离方法,抑制了绝大多数容性寄生参数;同时,围绕绝缘衬底进行Si/SiGe HBT的横向/纵向结构设计,开发出发射极自对准工艺方法,用于降低接触电阻和一定特征尺寸下的结面积,提高了HBT的频率性能.

基于流水线结构的高速嵌入式MCU设计

作者：牟刚; 贺前华; 江瑾 刊期：2004年第04期

采用同步流水线结构,设计了一种高速嵌入式51兼容MCU内核SCUT51.重点讨论了流水线技术在80C51这类CISC中的一些应用问题(如指令格式不规范、执行周期长等)及其解决办法.FPGA硬件仿真证明,SCUT51在指令执行效率上比80C51有了很大的提高.

邻近导体布局对电光测量的影响

作者：闫欣; 张洪波; 张大明; 侯阿临; 刘鸿飞; 衣茂斌 刊期：2004年第04期

采用静态有限差分法[1],求解了电光探测时探头内部的电场分布;发现了电光信号随布线的变化,设计了一系列不同布线的电极;采用ITO导电膜进行电光信号幅度校准并减少串扰.理论分析与实验结果符合得很好.最后,分析了ITO导电膜对CMOS反相器高频特性的影响.