杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：刘宝宏; 陈瑛; 樊棠怀 刊期：2019年第03期
射频/微波能量收集系统以可持续、环保等优点在无线传感器网络、可穿戴设备等领域具有广泛应用前景。对近年来射频/微波能量收集系统的整流电路的研究进展进行了概述。分析并讨论了整流电路的技术指标和电路结构,分别从器件研究和电路设计两个方面对整流电路的研究进展进行分析、归纳。从原理、性能提升等方面分析具有低的零偏压电阻值的自旋二...
作者：周维瀚; 张文杰; 朱志宇; 金湘亮 刊期：2019年第03期
为解决传统过压保护电路功耗大、易受干扰的问题,基于0.25μm CMOS工艺设计并实现了一种应用于控制器局域网络(CAN)总线芯片的过压保护电路。其作用是当芯片端口电压高于电源电压或低于地(GND)电平时为芯片提供保护信号,阻止电流倒灌入芯片。在3.3V电源电压下,该电路具有迟滞功能,防止其受到噪声干扰反复打开和关闭芯片。仿真结果表明,端口电压高...
作者：杨宝平; 江昆; 黄锋 刊期：2019年第03期
依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究。提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结构,并针对埋层基区结构对高压-高增益硅功率晶体管电性能及可靠性的影响进行了研究。仿真结果表明:新型基区结构不仅可以很好地折中晶体管β与V(BR)CEO之间的...
作者：卜建辉; 许高博; 李多力; 蔡小五; 王林飞; 韩郑生; 罗家俊 刊期：2019年第03期
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFE...
作者：郭春扬; 张瑞英; 刘纪湾; 王林军 刊期：2019年第03期
研究了Cu/SiO2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂(QWI)行为。在多量子阱(MQW)外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)不同厚度的SiO2,然后溅射5nm Cu,在不同温度下进行快速热退火(RTA)诱发量子阱混杂。通过光荧光(PL)谱表征样品在QWI前后的变化。实验结果表明,当RTA温度小于700℃时,PL谱峰值波长只有微移,且...
作者：贺金鹏; 蒋晓钧; 明安杰; 傅剑宇; 罗军; 王玮冰; 陈大鹏 刊期：2019年第03期
随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO2厚度,减小接触孔深宽比,从而改善孔内聚合物在孔底部沉积的问题;通过优化刻蚀工艺参数提高SiN/SiO2刻蚀选择比,保持...
作者：闫宇轩; 王岳; 张亚维; 宁永强; 李占国; 曲轶 刊期：2019年第03期
研究并分析了半导体激光密集谱合束技术中体布拉格光栅(VBG)的热效应问题。为了提高半导体激光器的输出功率及其电光转换效率,利用COMSOL软件模拟了半导体激光器中VBG在自由传导散热和水循环冷却两种条件下的温度分布,通过对比这两种条件下VBG温度对其中心波长漂移量及输出功率的影响,分析了VBG热效应变化。模拟与实验结果表明,水循环冷却可以有...
作者：邓礼松; 高向明; 王硕; 贾佳; 苑进社 刊期：2019年第03期
研究了层压封装的平面LED光源在高温高湿与水下环境的可靠性。平面LED光源采用标准层压工艺封装,对封装后的LED模组进行高温高湿耐候试验与水下环境试验,并与未封装的LED模组进行对比实验。实验结果表明,在环境温度为80℃、相对湿度为80%,模组工作电流为300mA,连续33天高温高湿条件下,层压封装的平面LED模组的照度变化和温度均高于未封装的LED模...
作者：汪威; 李浩然; 张开颜; 李阳; 吴兵硕 刊期：2019年第03期
提出一种基于机器视觉的陶瓷方形扁平封装外观缺陷检测方法。对于封装外形尺寸较大而缺陷较细微的情形,将待检片分为多个区域与标准样片进行比对检测。首先通过Foerstner特征点检测法提取标准片图像的特征点,然后使用随机抽样一致性(RANSAC)图像匹配算法,将所有标准片图像拼接并融合生成一张标准片全幅面模板,再将待检片分区与标准片模板进行序...
作者：徐辉; 汪海; 孙侠 刊期：2019年第03期
针对负偏置温度不稳定性引起的组合逻辑电路老化,提出了一款消除浮空点并自锁存的老化预测传感器。该传感器不仅可以预测组合逻辑电路老化,而且能够通过传感器内部的反馈来锁存检测结果,同时解决稳定性校验器在锁存期间的浮空点问题,其延时单元为可控型延时单元,可以控制其工作状态。使用HSPICE软件进行仿真,验证了老化预测传感器的可行性,可以...
作者：邓二平; 陈杰; 赵雨山; 赵志斌; 黄永章 刊期：2019年第03期
随着高压大功率IGBT器件容量的进一步提升,对考核其可靠性的功率循环测试装备在测量精度、测试效率和长期运行可靠性等方面提出了挑战。针对柔性直流输电系统用高压大功率IGBT器件的测试需求,基于现有功率循环测试方法,增加了测试支路和辅助支路,提高了测试装备的测量精度和测试效率,增强了装备的长期运行可靠性,搭建了90kW/3000A功率循环测试装...
作者：乔玉娥; 梁法国; 丁晨; 刘岩; 翟玉卫; 郑世棋 刊期：2019年第03期
研制了一套用于片上皮法级电容测试系统的电容标准件,量值低至1pF,频率达到1 MHz。该电容标准件采用GaAs衬底,金属-绝缘层-金属(MIM)结构的电容器阵列实现,其标称值分别为1,10和100pF。为了消除由探针系统和外界环境引入的分布电容的影响,在芯片同一单元内设计了在片开路器,电容测量准确度达到±1%。建立了在片皮法级电容测量模型,利用组建的可溯...
作者：《半导体技术》编辑部 刊期：2019年第03期
投稿须知:我刊是北大版中文核心期刊、中国科技核心期刊。本刊已加入国内外多家数据库:美国化学文摘《CA》、美国剑桥科学文摘《CSA》、美国乌利希国际期刊指南《Ulrich's》、英国科学文摘《SA,INSPEC》、俄罗斯文摘杂志《AJ》、日本科学技术文献速报《CBST,JST》、清华同方数据库、中国期刊网、中国科学引文数据库、中国学术期刊综合评价数据库...
刊期：2019年第03期
主办单位,国际电机与电子工程师协会北京分会(IEEE Beijing Section),复旦大学,重庆大学,承办单位,复旦大学,重庆大学,支持单位,IEEE CASS IEEE SSCS上海分支会,IEEE EDS上海分支会,IET上海分会,中国电子学会(CIE)。第十三届IEEE国际专用集成电路会议(ASICON 2019)将于2019年10月29日—11月1日在重庆希尔顿大酒店举行。
