摘要：通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaN/GaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响. 观测到退火后InGaN/GaN量子阱的拉曼光谱E2, A1(LO)模式的峰位置出现了红移, 而且该振动峰的半高宽也有微小变化. 温度升高退火效果更明显. 退火使量子阱内应力部分消除, 同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化. 在常温和低温下的光荧光谱表明, 退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移; 而且低温退火出现红移, 退火温度升高相对低温退火出现蓝移; 同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了. 讨论了退火对多量子阱光学性质的影响.

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