摘要：采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物（ITO）薄膜，通过X射线衍射（XRD）、透射光谱、四探针法及原子力显微镜（AFM）研究了生长条件、快速热退火（RTA）温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影响。以ITO/NPB/AlQ/Al结构的器件为例，讨论了不同的制备条件下ITO薄膜的表面效应对电致发光（EL）的影响，通过EL光谱表征发现，对ITO退火处理后，器件的相对发光强度明显增加，衰减速度减慢，器件的EL光谱有明显的变化。通过进一步分析认为，这是由于ITO薄膜表面的变化引起功函数的改变，从而引起电场重新分布造成的。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社