杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：邹雪城; 余杨; 邹维; 任达明 刊期：2017年第10期
设计了一种带片内变压器、适用于0.05～2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器（LNA）。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡的问题,采用了缩放技术、噪声消除技术以及两级的全差分放大器作为输出缓冲级,来有效降低电路的噪声系数,提...
刊期：2017年第10期
＂第三届全国新型功率半导体器件及应用技术研讨会＂将于2017年11月24日在湖南长沙雅士亚华美达广场酒店召开。如您有报告或论文参会,请于2017年10月24日之前将600字左右论文摘要用A4纸版面的Word格式文档以电子邮件发送到会议筹备组（polaris13@vip.163.com）,注明作者单位、姓名、简历和联系方式。
作者：肖倩倩; 杨维明; 鲍钰文 刊期：2017年第10期
设计了一种负电荷泵低压差电流源白光LED驱动芯片。基于负电荷泵原理,消除了传统正电荷泵结构中电流调整晶体管和地焊盘的寄生电阻,电流调节模块中电流源的压降可以达到80 mV的超低压状态,降低了损耗。采用脉冲信号和使能端设计控制LED驱动电流,可在2.8～5 V工作电压内提供1.25～20 mA范围内16个不同的恒定驱动电流,实现LED灯的16级不同亮度的调...
作者：李淑萍; 孙世闯; 张宝顺 刊期：2017年第10期
研究了低温（LT）GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具有该缓冲层的Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）,并对该器件进行电学测试。二次离子质谱仪测试表明p-GaN上10 nm厚的LT-GaN插入层相比于2 nm厚的AlN插入层能更好地抑制Mg扩散。霍尔测试表明,2 nm厚的AlN插入...
作者：张经纬; 邓二平; 赵志斌; 李金元; 黄永章 刊期：2017年第10期
压接型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件因具有双面散热、短路失效和易于串联等优点,正逐步应用到柔性直流输电等领域。但其在工作过程中的热学、力学特性与传统焊接式IGBT模块相比有很大差异,故存在不同的长期可靠性问题。基于有限元法建立了压接型IGBT器件单芯片子模组多物理场耦合仿真模型,研究了三种功率循环仿真条件下器件的热学和力学特性,...
作者：刘佳佳; 刘英坤; 谭永亮 刊期：2017年第10期
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅（SiC）器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、结晶型场...
作者：周钦佩; 张静; 夏经华; 许恒宇; 万彩萍; 韩锴 刊期：2017年第10期
SiC金属氧化物半导体（MOS）器件中SiO2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC（0001）外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿（TZDB）和与时间有关的击穿（TDDB）测试,并对不同干氧氧化温度...
作者：杨永亮; 李娜; 陈广萍; 岳莉 刊期：2017年第10期
在Si和SiO2基底上,采用热原子层沉积技术,以四（二甲基氨基）钛（Ti（N（CH3）2）4）和三甲基铝（Al（CH3）3）为前驱体,制备TiAlCN薄膜。测试结果表明,随着基底温度的升高,膜层的沉积速率升高,电阻率降低,光学带隙由3.45 eV降低到2.00 e V,并在基底温度为300和350℃时出现了双吸收边;基底温度为350℃时,Al（CH3）3分解,使Al进入膜层与TiN和TiC...
作者：闫晓密; 黄慧诗; 华斌; 张秀敏; 莫晓帆; 周东 刊期：2017年第10期
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡（ITO）薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响。结果表明：不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33Ω/和93.1%,LED芯片...
作者：高彦昭; 杨瑞霞; 张颖武; 王健; 徐世海; 程红娟 刊期：2017年第10期
硒化镉（CdSe）的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要。化学机械抛光（CMP）是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法。为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数。...
作者：黄溥曼; 陈杰; 韩小标; 钟昌明; 潘郑州; 邢洁莹; 杨杭; 张佰君 刊期：2017年第10期
半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管（SBD）。通过测量SBD在不同温度下的I-V特性曲线,观察到电流的大小随着温度的增加而增加,且受反向偏压影响,证明半极性GaN基SBD的电流传输机制为热电子场发射模型。光致发光光谱和X射线光电子能谱测试进一步表...
作者：刘秀博; 王绍东; 王志强; 付兴昌 刊期：2017年第10期
采用晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺（PI）层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上...
作者：席善斌; 裴选; 刘玮; 高兆丰; 彭浩; 黄杰 刊期：2017年第10期
静电放电（ESD）损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD...
作者：窦瑛; 张颖 刊期：2017年第10期
为了对4H-SiC单晶片进行无损应力表征,采用显微喇曼光谱仪测量了3英寸（1英寸=2.54 cm）和4英寸4H-SiC单晶片的显微喇曼光谱,并依据喇曼频移峰的移动及喇曼频移峰的半高宽（FWHM）分析SiC单晶片中呈现的应力类型和应力大小。在显微喇曼光谱中,4H-SiC单晶片的横向折叠光学（TO）模为表征单晶片应力的特征峰,其无应力状态的标准峰位值为777 cm^-1...
作者：陈涛; 李普生; 图布新; 李明达 刊期：2017年第10期
应用多物理场分析工具COMSOL Multiphysics软件中的磁场和固体传热两种模块,建立了平板式外延炉反应腔体的有限元模型。结合高频感应加热的机理,分析了电磁场与热场耦合作用,重点研究了感应加热系统中线圈结构、电流密度和频率对热场分布的影响。模拟结果表明,高频感应系统呈现出明显的趋肤效应,感应电流主要集中在基座下表层,焦耳效应主要发生...
