摘要：采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.用快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜进行处理,制备nc-Si/SiO2多层膜,研究了这种方法对a-Si:H/SiO2多层膜发光特性的影响.研究发现对a-Si:H/SiO2多层膜作快速热退火处理,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰.研究了不同退火条件下发光峰的变化.通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析,探讨了a-Si:H/SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理.

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