首页 期刊 微电子学 100nm超浅结制作工艺研究 【正文】

100nm超浅结制作工艺研究

作者:王学毅; 徐岚; 唐绍根 中国电子科技集团公司第二十四研究所; 重庆400060
超浅结   快速热退火   离子注入   沟道效应   瞬态增强扩散效应  

摘要:在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。

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