作者:何超; 彭健; 韩博; 段新慧; 许文花; 杜凤麒; 张桓溥; 罗富成 期刊:《草学》 2016年第03期
纳罗克非洲狗尾草(Setaria sphacelata cv."Narok")为热带、亚热带优良禾草之一,但其种子的休眠程度高,发芽率低。以层积0d为对照,对1年龄纳罗克非洲狗尾草生产的种子进行0~120d的低温层积处理,结果表明:随着层积时间的延长,种子的发芽率表现出先快速增加然后缓慢下降的趋势,层积30d发芽率达到最大值,为75%,是对照的2.08倍(P〈0.01),休眠已解除;GA_3、IAA、ZR的含量先升高后降低;ABA的含量则表现为先下降后回升又下降的趋...
作者:程奕天; 邱万奇; 周克崧; 刘仲武; 焦东玲; 钟喜春; 张辉 期刊: 2019年第08期
低温沉积α-Al2O3薄膜是拓展其实际工程应用的关键。本研究以Al、α-Al2O3和Al+15wt%α-Al2O3为靶材,用射频磁控溅射在Si(100)基体上沉积氧化铝薄膜。用掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)对所沉积薄膜的相结构和元素含量进行研究,用纳米压痕技术测量薄膜硬度。结果表明,在550℃的基体温度下,反应射频磁控溅射Al+α-Al2O3靶可获得单相α-Al2O3薄膜。靶中的α-Al2O3溅射至基片表面能优先形成α-Al2O3晶核,在550℃及...
作者:吴振宇; 汪家友; 杨银堂 期刊:《功能材料与器件学报》 2004年第03期
利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量.结果表明,采用ECR-CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜,薄膜中H含量很低.薄膜沉积速率随微波功率和混合气体中硅烷比例的增加而增大.折射率随微波功...
作者:自兴发; 叶青; 刘瑞明; 程满; 黄文卿; 何永泰 期刊:《材料导报》 2017年第16期
采用氧化亚铜(Cu2O)陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu2O(Cu2O∶N)薄膜,并在N2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N2流量和退火温度对Cu2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响。结果显示,在衬底温度300℃、N2流量12sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu2O薄膜;在N2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度(〈450℃)的升高...
作者:望咏林; 颜悦; 沈玫; 贺会权; 纪建超; 张官理 期刊:《真空》 2006年第04期
本文对离子柬辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当Ar/O2辅助离子束能量为900eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率。在聚碳酸酯(PC)基片上制备了平均可见光透过率81.0%、电阻率为5.668×10^-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜,基片无变形。
作者:何超 彭健 韩博 段新慧 许文花 杜凤麒 张桓溥 罗富成 期刊:《草业与畜牧》 2016年第03期
纳罗克非洲狗尾草(Setaria sphacelata cv."Narok")为热带、亚热带优良禾草之一,但其种子的休眠程度高,发芽率低。以层积0d为对照,对1年龄纳罗克非洲狗尾草生产的种子进行0~120d的低温层积处理,结果表明:随着层积时间的延长,种子的发芽率表现出先快速增加然后缓慢下降的趋势,层积30d发芽率达到最大值,为75%,是对照的2.08倍(P〈0.01),休眠已解除;GA_3、IAA、ZR的含量先升高后降低;ABA的含量则表现为先下降后回升又下降的趋...
作者:易茂祥 毛剑波 陈向东 期刊:《电子器件》 2008年第03期
低温薄膜晶体管(TFT)的研究是开发大面积柔性衬底集成电路的基础。采用底栅TFT结构并引入刻蚀阻挡层和钝化保护层,通过工艺参数和工艺流程的设计,研制了100℃低温氢化非晶硅TFT。实验对氢化非晶硅活性层、氮化硅介质层薄膜以及TFT特性进行了测试。所研制的低温TFT导通电流与截止电流之比高达10^6,场效应电子迁移率为0.825cm^2/Vs,表明适于柔性衬底工艺的100℃低温TFT得到了有效实现。
作者:王文彦 秦福文 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 期刊:《半导体技术》 2008年第10期
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。
作者:倪牮 张建军 王先宝 李林娜 侯国付 孙建 耿新华 赵颖 期刊:《光电子激光》 2010年第02期
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池。在85 Pa的低压下以及400~667 Pa的高压下,改变Si H4浓度和辉光功率等沉积参数,对本征a-Si材料的性能进行优化。结果表明,在高压下,合适的Si H4浓度和压力功率比可以使a-Si材料的光电特性得到优化,并且薄膜的沉积速率得到一定程度的提高。采用低压低速和高压高速的沉积条件,在125℃的低温条件下制备出效率为6.7%的单结a-Si电...
作者:孟凡英 吕肖前 李晖 胡宇 施旸 余跃波 江民林 期刊:《太阳能学报》 2009年第10期
利用金属有机物化学气相沉积系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜,在约160℃的低温生长条件下,通过改变n型掺杂气体硼烷的流量来调制薄膜电阻率和光学透过率。基于Hall效应测试分析,研究了掺杂剂硼烷流速对氧化锌薄膜电阻率,载流子浓度,Hall迁移率以及光学透过率的影响,此外还研究了薄膜电学特征参量随薄膜厚度的变化规律。经过一系列优化实验,在玻璃衬底上能够获得低温生长的氧化锌薄膜电阻率约2×10^-3Ω·cm,光学透过率的截止...
作者:唐武 范芸 李海霞 翁小龙 邓龙江 期刊:《功能材料》 2008年第12期
通过射频磁控溅射方法,在柔性PET衬底上低温沉积电致变色WOx薄膜。利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)分析所制备薄膜的微观结构、透光率、O元素的结合状态。结果表明,各氧分量下制备的WOx薄膜均为非晶态;氧分量0时制备的薄膜着、退色态透光率变化范围达到25%左右,具有较好的电致变色性能;XPS分析表明氧分量8%时氧空位含量最低,随着氧分量的继续增大,氧空位含量也增大。
作者:肖健平 何青 陈亦鲜 夏明 期刊:《科技导报》 2008年第11期
采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(InxGa1-x)Se2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(InxGa1-x)Se2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结果表明,衬底温度对掺杂程度、晶相单一性、晶粒尺寸、电阻率有重要影响。衬底温度低于500℃时,CIGS材料性能会出现明显劣化。
作者:李铸国 三宅正司 期刊:《金属学报》 2010年第01期
采用诱导型耦合等离子体辅助直流磁控溅射法在石英玻璃片上反应沉积TiO2薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外可见光谱(UV-Vis)对薄膜特性进行表征。结果表明,叠加诱导型耦合等离子体和局部富氧增加了等离子体的反应活性,在金属溅射模式和低于200℃的沉积条件下,制备了高质量的锐钛矿相TiO2薄膜;该薄膜在550 nm处的折射率和消光系数分别为2.51和7.8×10^-4。
作者:何静婧 刘玮 李志国 李博研 韩安军 李光旻 张超 张毅 孙云 期刊:《物理学报》 2012年第19期
在柔性聚酰亚胺衬底上低温制备Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池,Na的掺入会改善电池特性,但不同的掺Na工艺对Cu(In,Ga)Se2薄膜和器件特性的改善机理不同.本实验通过对比前掺NaF和后掺NaF工艺发现,在前掺Na工艺下,由于Na始终存在于Cu(In,Ga)Se2薄膜生长过程中,Na存在于多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜晶界处,起到了扩散势垒的作用,导致晶粒细碎、加剧两相分离,同时减小了施主缺陷的形成概率;而在后掺Na工艺下,掺入的Na对薄...
作者:高晓明 孙嘉奕 胡明 翁立军 伏彦龙 杨军 谭洪根 张良俊 期刊:《机械工程材料》 2013年第11期
采用多弧离子镀方法在低温(173K)下沉积了银和银铜薄膜,通过地面原予氧模拟试验系统考察了薄膜的耐原子氧性能,通过x射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构和耐原子氧性能进行了分析,并与室温下沉积的银薄膜进行了比较。结果表明:低温沉积和铜元素合金化,可减小银薄膜的晶粒尺寸,并提高其结构致密性;低温沉积的银铜薄膜表现出细密的结构,这有利于抑制原子氧对薄膜的氧化,从而使其比室温及低温下沉积的银...
作者:李学磊 冯煜东 王志民 王艺 赵慨 速小梅 期刊:《真空与低温》 2014年第03期
通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析,计算出Se扩散均匀性为90%时,采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。
作者:丁继成 邹长伟 曾琨 王启民 期刊:《装备制造技术》 2015年第04期
采用双极脉冲反应磁控溅射方法在衬底温度300℃的条件下制备了结晶态γ相Al2O3薄膜。借用speedflo闭环控制系统,整个沉积过程持续稳定进行且沉积速率高达16 nm/min。XRD结果揭示,不同工作点下制备的薄膜均为单一相的γ-Al2O3。薄膜的硬度值受靶表面沉积状态影响很大,在反应模式状态下沉积的薄膜具有良好的硬度,而在靶表面中毒状态下沉积的薄膜硬度值很低。本文对硬度的变化原因做了详细的探讨。