摘要：采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu（InxGa1-x）Se2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu（InxGa1-x）Se2薄膜的晶体结构、导电性质，探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结果表明，衬底温度对掺杂程度、晶相单一性、晶粒尺寸、电阻率有重要影响。衬底温度低于500℃时，CIGS材料性能会出现明显劣化。

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