摘要：在柔性聚酰亚胺衬底上低温制备Cu（In，Ga）Se2薄膜太阳能电池，Na的掺入会改善电池特性，但不同的掺Na工艺对Cu（In，Ga）Se2薄膜和器件特性的改善机理不同．本实验通过对比前掺NaF和后掺NaF工艺发现，在前掺Na工艺下，由于Na始终存在于Cu（In，Ga）Se2薄膜生长过程中，Na存在于多晶Cu（In，Ga）Se2薄膜晶界处，起到了扩散势垒的作用，导致晶粒细碎、加剧两相分离，同时减小了施主缺陷的形成概率；而在后掺Na工艺下，掺入的Na对薄膜的结构及生长不产生影响，仅仅起到了钝化施主缺陷、改善薄膜缺陷态的作用．同时，研究表明，后掺Na工艺中，NaF必须依靠外界能量辅助才能扩散进Cu（In，Ga）Se2内部，实验结果证实，只有衬底温度达到350℃以上时，掺入的NaF才能较好地改善薄膜特性．最终经掺Na工艺的优化，得到低温工艺制备的柔性聚酰亚胺衬底器件效率达10．4％．

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