功能材料与器件学报杂志 部级期刊

用ECRCVD方法制备优质氮化硅钝化膜

作者：吴振宇; 汪家友; 杨银堂 刊期：2004年第03期

利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量.结果表明,采用ECR-CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜,薄膜...

Si和C共掺杂的SiO2薄膜的光致发光

作者：成珏飞; 吴雪梅; 诸葛兰剑; 王文宝 刊期：2004年第03期

采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理.分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,在该样品中观察到分别位于410nm和470nm的两个发光峰.这两个发光峰的强度随着退火温度的变化呈现不同的变化趋势,表明两个发光峰的来源并不相同.用XRD和FTIR测试手段分析了样品的结构,认为470nm的发光来源于中性氧空...

电极对PZT铁电薄膜的微观结构和电性能的影响

作者：杜文娟; 陆维; 郑萍; 孟中岩 刊期：2004年第03期

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Si电极上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜.研究了不同电极材料对PZT铁电薄膜的微结构及电性能的影响.(100)择优取向的PZT/LNO薄膜的介电性能和铁电性能较(111)/(100)取向的PZT/Pt薄膜略有下降,但在抗疲劳特性和漏电流特性方面都有了很大提高.PZT/LNO薄膜1010次极化反转后剩余极化几乎...

LaNiO3缓冲层对Pb（Zr，Ti）O3铁电薄膜的影响

作者：王根水; 石富文; 孙璟兰; 孟祥建; 戴宁; 褚君浩 刊期：2004年第03期

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500 kV/cm的外加电场下,...

Al2O3透明陶瓷显微结构的研究

作者：杨秋红; 徐军; 宋平新; 赵志伟; 曾智江 刊期：2004年第03期

采用高纯Al2O3(＞99.9%)粉末为原料,用无压烧结工艺制备Al2O3透明陶瓷.研究了添加剂Y2O3、烧结温度、保温时间等对Al2O3透明陶瓷显微结构和光学性能的影响.实验结果表明,适量的Y2O3能够抑制Al2O3晶粒的生长,改善烧结性能,但添加量过多会使Al2O3陶瓷气孔略有增加.在1800℃烧结的样品密度接近理论密度,具有较好的光学性能.延长保温时间能够使晶粒...

La0．67Sr0．33MnO3中Bi的掺杂效应

作者：黄宝歆; 刘宜华; 原晓波; 王成建; 陈卫平; 张汝贞; 梅良模 刊期：2004年第03期

将Bi2O3掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0 67Sr033MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出.随着Bi掺杂量的增加,LSMO/(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0-0.10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降.当x=0.1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级.Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响.低温下,随掺杂量增加,磁电阻下...

HgCdTe探测器应力的多重晶X射线衍射分析

作者：孙涛; 王庆学; 陈文桥; 梁晋穗; 陈兴国; 胡晓宁; 李言谨; 何力 刊期：2004年第03期

HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层.

层状结构锰氧化物La2-2xSr1＋2xMn2O7的EXAFS研究

作者：王爱华; 刘洋; 曹国辉; 马颖; 刘涛; 张静; 谢亚宁; 李风英 刊期：2004年第03期

采用溶胶-凝胶法和传统的固相反应法相结合,制备了双层钙钛矿结构锰氧化物La2-2xSr1+2xMn207较宽掺杂范围内(0.2≤x≤0.6)系列单相样品,并测量了各样品的X射线衍射谱(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)谱.通过对XRD的分析证实样品均为Sr3Ti2O7型四方结构,空间群为I4/mmm,同时发现晶格参数a随掺杂量x的变化几乎不变,而c随x的增加则明显减小.通...

放电等离子烧结技术制备复合梯度靶材的研究

作者：岳明; 刘卫强; 张东涛; 刘燕琴; 张久兴 刊期：2004年第03期

采用放电等离子烧结技术制备了TbFeCo/Ti和Bi2O3/Cu复合梯度靶材,利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对材料的微观组织形貌及成分进行了分析.结果表明,合成的复合梯度靶材具有宏观组织不均匀性和微观组织连续性的特征,显微组织中不存在微裂纹.与单一靶材相比,TbFeCo/Ti复合梯度靶材解决了在制造和使用过程中容易碎裂的问题,Bi2O3/Cu复合梯度靶材解...

2005年《材料导报》（月刊）

刊期：2004年第03期

高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

作者：邢玉梅; 俞跃辉; 林梓鑫; 宋朝瑞; 杨文伟 刊期：2004年第03期

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良...

CF4／Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO2刻蚀速率的影响

作者：孔华; 辛煜; 黄松; 宁兆元 刊期：2004年第03期

在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用"法拉第筒"式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系.在所施加的-20～300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值＜100V时,归一化刻蚀速率的大小与基片倾斜角度θ符合余弦曲线规律;当偏压值＞100V时,θ在15°～60°范围内,归一化刻蚀速率的大小在大于相应的余弦值,θ＞...

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的相变模拟

作者：袁宁一; 李金华; 李格 刊期：2004年第03期

用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10～100℃范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2多晶薄膜的相变.模拟结果显示,由于晶粒中间隙位置氩的存在,使VO2晶格畸变,导致了薄膜中部分晶粒的相变温度降低,使IBED VO2薄膜在48℃开始由半导体相向金属相转变.

第Ⅰ类硅笼中M@Si20原子团的电子态研究

作者：刘洋; 陈宁; 李阳; 曹国辉 刊期：2004年第03期

采用量子化学SCF-Xα-SW方法计算了第Ⅰ类Si基笼状化合物中M@Si20(M=□,Na,Zr,Cs,Ba,Ce)原子团的态密度,及各体系中Si原子的结合势.结果表明在原子团M@Si20中笼内金属原子M与笼上硅原子间的结合强度随金属原子不同而变化,结合方式依赖于金属原子M的电子结构.笼内原子的d轨道主要分布在完整晶体的导带底,此外另有少部分与价带结合.作为新型硅笼材...

RIE对巨磁电阻自旋阀磁性能的影响

作者：曲炳郡; 任天令; 刘华瑞; 刘理天; 李志坚; 库万军 刊期：2004年第03期

对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC:Hydro-chloro-fluoro-carbon),气体流量为10.5sccm,RF功率为180W,时间为27min.结果表明:...