半导体技术杂志 北大期刊 统计源期刊

模拟电路的振荡测试技术

作者：胡庚 王红 杨士元 刊期：2008年第10期

集成电路设计和制造技术的发展给电路测试带来了巨大的挑战,其中模拟电路的测试是电路测试的难点。目前在这一领域有许多致力于降低测试难度,节约测试成本的研究。介绍了一种称为“振荡测试”的模拟电路测试技术,从振荡电路的构造、测试响应的测量和分析等方面综述了振荡测试技术的研究现状,同时总结了振荡测试技术的优点,分析了当前存在的局限...

X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究

作者：王冬冬 刘果果 刘丹 李诚瞻 刘新宇 刊期：2008年第10期

基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响。结果表明,Γ栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率,但明显改善器件膝点电压和输出功率密度。针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1μm,得出一定范围内增加场板长度,器件输出功率大幅度提高,并...

探测器中扩散结深对光响应度影响的研究

作者：庄四祥 冯士维 王承栋 白云霞 苏蓉 孟海杰 刊期：2008年第10期

研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明：扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55μm处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1μm...

SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

作者：崔晓英 黄云 恩云飞 陈刚 柏松 刊期：2008年第10期

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某...

Si材刻蚀速率的工艺研究

作者：蔡长龙 马睿 周顺 刘欢 刘卫国 刊期：2008年第10期

在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响,包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等。...

90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案

作者：阎海滨 程秀兰 刊期：2008年第10期

在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义。基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的。通过合理的设计,优化了光刻胶清洗流程,最终达到成品率提升的目的。

掩模版雾状缺陷的解决方案

作者：陈尧 黄其煜 刊期：2008年第10期

在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷（haze defect）越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因。目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对这两种方案的对比表明,对掩模版的存储环境进行改善,可有效降低掩模版雾状缺陷的发生频率,提高掩模版的使用寿命,并且整体费用较低,是目前比较可行的方案,掩模版...

工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响

作者：费瑾文 汤庭鳌 刊期：2008年第10期

采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PZT薄膜与电极之间的界面层电容,使用这种方法对不同工艺条件下制备的PZT薄膜界面层电容进行了比较。通过实验发现,不同的Pt溅射温度和PZT薄膜的退火温度都会对PZT薄膜与电极之间的界面层产生影响。高温溅射Pt会破坏Pt衬底中的TiO2结构,并导致PZT薄膜与电极之间的界面层特性变差;PZT薄膜600℃退火得到的...

大尺寸Si片自旋转磨削表面的损伤分布研究

作者：郜伟 张银霞 康仁科 刊期：2008年第10期

为了更好地评价大直径Si片磨削加工损伤深度的大小和分布,提高下道抛光工序的效率,采用角度抛光法和方差分析法研究了Si片表面的损伤分布。结果表明,采用自旋转磨削方式磨削的Si片表面的损伤分布不均匀,沿圆周方向在〈110〉晶向处的损伤深度比在〈100〉晶向处的损伤深度大,沿半径方向从圆心到边缘损伤深度逐渐增大,损伤深度的最大差值约为2.0μm...

玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

作者：王文彦 秦福文 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 刊期：2008年第10期

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取...

Ce0.8Gd0.2O1.9-δ氧离子固体电解质的制备

作者：陈爱莲 陈杨 杨建平 刊期：2008年第10期

掺杂CeO2基复合氧化物是一种很有应用前景的中温固体电解质材料。以Ce（NO3）3.6H2O、Gd（NO3）3.6H2O为原料,NH4HCO3为沉淀剂,采用雾化共沉淀工艺合成了Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉体。XRD测定表明,Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉体及其烧结体均为立方萤石结构,符合电解质材料的要求。TEM图片显示所得粉体呈近球形,分散性较好且具有较高的烧结活性。将所合成的粉体...

长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算

作者：李新政 郑滨 刊期：2008年第10期

采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S∶Eu中碱土金属离子M^2＋和Ti^4＋离子对Y3＋离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电子陷阱作用;当掺杂中心的净电荷为负时,掺杂中心起空穴陷阱作用。利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子M^2＋和Ti^4＋掺杂中心的势阱深度和捕获半径的对应...

半导体量子点的发光性质研究

作者：官众 张道礼 刊期：2008年第10期

用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因。结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄。用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光。

《微纳电子技术》

刊期：2008年第10期

电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析

作者：李用兵 王海龙 刊期：2008年第10期

介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器（LNA）损伤机理和损伤模式。利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论。实验表明,GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要失效部位表现为有源...