摘要：本文对离子柬辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究，重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明：当Ar／O2辅助离子束能量为900eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能，在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率。在聚碳酸酯（PC）基片上制备了平均可见光透过率81．0％、电阻率为5．668×10^-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜，基片无变形。

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