首页 期刊 真空与低温 Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析 【正文】

Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析

作者:李学磊 冯煜东 王志民 王艺 赵慨 速小梅 兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室 甘肃兰州730000
离子束辅助沉积   cis   低温沉积   模拟  

摘要:通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析,计算出Se扩散均匀性为90%时,采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。

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