摘要：低温薄膜晶体管（TFT）的研究是开发大面积柔性衬底集成电路的基础。采用底栅TFT结构并引入刻蚀阻挡层和钝化保护层，通过工艺参数和工艺流程的设计，研制了100℃低温氢化非晶硅TFT。实验对氢化非晶硅活性层、氮化硅介质层薄膜以及TFT特性进行了测试。所研制的低温TFT导通电流与截止电流之比高达10^6，场效应电子迁移率为0.825cm^2/Vs，表明适于柔性衬底工艺的100℃低温TFT得到了有效实现。

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