作者:王坚; 张迪德; 古强 期刊:《客车技术》 2019年第04期
分析了IGBT导热材料特性及热传导原理,模拟了实际工况下IGBT的导热情况,重点论述了IGBT导热材料在实际应用中的效果及影响。
作者:涂春鸣; 龙柳; 肖标; 余雪萍; 柴鸣 期刊:《电力自动化设备》 2019年第12期
为了提高中点箝位型三电平变换器的可靠性,基于器件的安全工作区,综合考虑了变换器的拓扑结构、直流母线杂散参数、控制系统的延迟以及温度等因素,推导出了变换器系统安全工作区(SSOA)的数学模型。定量分析了结温和风速对SSOA边界的影响,并分别刻画了结温和风速影响下SSOA的三维立体图形。应用该方法对55 kW/380 V的变换器样机进行保护设计,通过实验验证了基于SSOA所设定的保护边界的有效性,表明SSOA可以保障变换器的可靠稳定运行,...
作者:黄育红; 李杜雨; 刘志存; 鲁佰佐; 侯云波 期刊:《大学物理实验》 2019年第06期
在忽略LED器件向周围环境散热的情况下,推导出LED短时温升速率的理论表达式,在实验上提出了一种测量短时间内LED温升速率的新思路和方法,并研究了温升速率随通电时间、电流和结温变化的关系,定性探讨了LED器件散热的重要性。研究结果表明,当LED的端电压和电流一定时,短时间内LED的温升速率与时间无关;当LED结温一定时,温升速率随电流线性变化;当通过LED的电流一定时,温升速率随结温的增大先增大再减小,在60℃时达到极值,为保证LED...
晶闸管越来越成为柔性交流输电和高压直流输电电子阀的关键核心。晶闸管的结温变化会影响到晶闸管的电学特性及其使用寿命,晶闸管的热阻抗直接影响到晶闸管的结温,为正确地选用晶闸管器件,使器件安全有效地工作就必须对稳态和瞬态下晶闸管的结温进行分析研究,本文就针对稳态和瞬态下晶闸管的热阻抗进行分析,并给出了瞬态晶闸管结温实验测试方法。
作者:窦智峰; 翟朝伟; 崔光照; 金楠 期刊:《轻工学报》 2017年第04期
针对IGBT存在的响应速度慢、异质结构导致的热传导系数不均衡等问题,在对IGBT失效机理和现有结温测量模型研究的基础上,提出一种基于热积累的热电模型,以实时准确地测量IGBT结温.该方法在能量平衡的基础上,将IGBT温度的测量转换为测量IGBT某一点的温度,很好地避开了IGBT异质结构问题.Matlab仿真和实验结果表明,二者温度曲线有较好的拟合度,验证了该方法的可行性.
作者:王永平; 杨建明; 赵文强; 李海英 期刊:《电力工程技术》 2017年第04期
文中归纳了换相失败产生的各种原因,并指出产生换相失败的2个主要原因就是交流系统故障和换流器丢脉冲。随后整理了晶闸管阀体结温的数学模型,仿真研究了交流系统单相接地故障,两相接地故障,三相接地故障以及换流器丢脉冲故障对阀体结温的影响,指出换流器丢脉冲故障对阀体结温的影响最大。在考虑换相失败对阀体结温影响的基础上,文章最后提出在整定换相失败保护定值时需要考虑换流阀的耐温性能。
<正>IR公司推出两款获Q101证书的55 V汽车电子HEXFET功率MOSFET- IRF3805S-7P和IRF1405ZS-7P。这两种器件可分别提供1 60 A和120 A的连续电流,以用于大占空比电流汽车电子,如电功率控制(EPS)、14 V综合起动器交流发电机(ISA)系统和先进的交流发电机有源整流系统。
<正>美国Aethercomm公司开发出采用SiC技术的一种新的高功率宽带放大器。SiC基放大器的性能比GaAs、LDMOS和VDMOS放大器的要好。SiC器件的最大结温为225℃,这就可使放大器基板温度达到850℃,同时不降低有源器件的平均无故障工作时间(MTBF)。SiC放大器的效率比其它常规放大器的要高,在倍频程带宽内,其效率比GaAs、LDMOS和VDMOS放大器平均要高出 10-15%。SiC放大器输出三阶截取点(OIP3)要高3-5 dB,线性化不提高。
作者:舒伟程; 胡润; 谢斌; 余兴建; 罗小兵 期刊:《工程热物理学报》 2018年第02期
本文围绕CdSe/ZnS量子点发光光谱与温度的依赖关系,对LED芯片表面温度进行实验研究。CdSe/ZnS量子点作为温度传感器对GaN LED芯片表面温度进行测量,量子点的掺入导致光谱中引入量子点发射谱,测得不同温度下的光致发光谱,通过红外热像仪对LED芯片表面温度进行定标,就可以获得LED芯片表面温度和量子点光谱峰值波长的曲线,最后利用该方法测得LED芯片在不同电流下和不同通电时间的表面温度。实验结果表明在25-85℃温度范围内,...
作者:王垚浩; 余彬海; 李舜勉 期刊:《佛山科学技术学院学报·自然科学版》 2005年第04期
针对倒装型功率发光二极管器件,描述了功率LED器件的热阻特性,对不同芯片键合材料的功率LED热阻进行了分析,并运用ANSYS软件对3类典型芯片键合材料封装的功率LED热特性进行了仿真.仿真结果表明:采用功率芯片键合材料提高了功率LED的散热特性、降低器件PN结温,而采用普通热沉粘接胶作为芯片键合材料的功率LED的PN结温则较高,因此普通热沉粘接胶不适合用作功率LED的芯片键合材料.
作者:张现涛; 李帅; 蒋成刚; 周超; 孙谢鹏; 杜明星 期刊:《仪器仪表用户》 2018年第03期
IGBT模块的工作性能、寿命及可靠性与结温密切相关.因此,关于IGBT模块结温探测方法的研究对指导器件安全可靠的使用和进行器件的可靠性评估具有极为重要的意义.本文首先阐述了IGBT模块结温测量的重要性,然后分析、对比各种测量IGBT结温的方法,确定了基于饱和压降的温敏参数测量法;接着进行了硬件选择,搭建了实际测量电路,获取了IGBT饱和压降与结温的多组数据,并对数据进行了处理,最终确立了二者的关系.
作者:任磊; 沈茜; 龚春英 期刊:《电工技术学报》 2018年第08期
功率晶体管结温的在线测量对于电力电子变换器的优化运行以及可靠性监测具有重要意义。实时获取的晶体管结温可用于退化监测、日常维护以及进行有效的热控制来减少功率损耗,提高寿命。对现有的电力电子变换器中功率晶体管结温测量方法进行归纳整理。首先介绍目前功率晶体管结温离线获取的三类方法,并分析各自的优缺点。在此基础上,将现有的功率晶体管结温在线获取方法分为基于热模型的结温测量和基于热敏电参数的结温测量两大类。...
大容量风电变流器的设计寿命决定了其可靠性,非常关键,而变流器中功率半导体器件的结温将随着风速变化,即随变流器运行功率的变化而波动,这将增加器件的失效率,从而影响到变流器的可靠性。针对这个问题,提出了一种基于无功环流的风电变流器热负荷优化控制策略,首先以双馈风电机组作为研究对象,对其变流器转子侧和网侧的无功环流运行边界范围进行了计算,然后分析了无功环流对变流器中各个功率器件的电流和热负荷分布的影响...
作者:张波; 俞安琪 期刊:《照明工程学报》 2018年第01期
用实验数据揭示了LED光辐射通量、加热功率及结温变化时的相互关系;给出了当驱动电流变化或环境温度变化时LED封装t_p(t_c)温度与结温的变化关系,从而找出了灯具生产企业应用、安装不当造成的光效降低,色漂移及封装失效的原因。
作者:张江勇; 杜明星; 魏克新 期刊:《电力电子技术》 2019年第01期
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力变换装置中的重要器件,评估其可靠性至关重要。IGBT的结温及结温波动是造成其失效的主要原因,如何判定结温波动成为一个研究难点。通过分析IGBT的结构与结温特性、结温机理和结温波动对开关过程的影响及开关波形的频域模型,可以得出结温升高会导致IGBT模块工作过程中产生的电磁干扰变小,然后通过实验验证。实验测试结果表明,基于电磁干扰强度的结温估计或结温波动估计方法切实可行。
作者:周肖飞; 云献睿; 何文云; 何凤有 期刊:《电力电子技术》 2019年第02期
提出一种大功率三电平变频器损耗及器件结温计算的简便方法,通过实验数据建立绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块导通损耗和开关损耗数学模型,并利用功率器件驱动信号来计算变频器的损耗,综合考虑了调制策略、负载功率因数、输出电流谐波、直流母线电压波动等因素,适用于变频器任何工况下的损耗和结温计算。建立了中点箝位型(NPC)三电平变频器电-热耦合模型,通过仿真和实验证明了所提方法的正确性,并分析了基于单开关周期的功率器件瞬态...
作者:刘爽; 牟龙华; 许旭锋; 郭文明 期刊:《电力系统保护与控制》 2017年第24期
提出计及运行条件影响的电力电子器件短时故障率模型,评估了器件故障对微电网运行可靠性的影响。首先阐述了IGBT和功率二极管两类重要电力电子器件的故障率与微电网运行条件紧密相关,然后基于器件的功率损耗模型与热模型,建立了器件短时停运率模型。结合场景分析法,基于所建模型提出了一套完整的微电网运行可靠性评估方法,评价器件故障对微电网运行可靠性指标的影响。将所提评估方法应用在改进的基准测试系统上,算例结果表明,器件...
作者:董汉彬; 贾志杰; 王嘉易; 宁鑫; 李泳龙; 张明丽; 余丰 期刊:《四川电力技术》 2018年第05期
功率晶闸管的诸多电气参数以及使用寿命都和其运行温度相关.研究功率晶闸管结温对提高其性能和可靠性, 具有重要的实际意义.研究了功率晶闸管通态压降和结温之间的关系, 并设计试验测得待测功率晶闸管的热敏曲线.在实际应用中, 通过该曲线可将功率晶闸管的运行结温由相对容易测量的通态电压来表征, 进而为运行中功率晶闸管的状态监测提供重要依据.
作者:张省伟; 王博 期刊:《工业仪表与自动化装置》 2019年第05期
IGBT模块中集成负温度系数(NTC)温度电阻可较为准确地反映IGBT硅芯片温度。该文以IGBT模块中NTC的设计及应用为核心,对集成NTC在IGBT内部的安装形式、安全规范应用、热传导原理及工程应用中有关NTC温度的获取方法及机理进行深入研究,最后在30kW逆变器实验平台上对集成NTC的应用进行实验验证。实验结果表明,有关IGBT内部集成NTC的工程应用解决方案及相应的推算方法科学、有效。
LED是一种半导体发光器件,相对于传统光源具有节能、环保、寿命长等诸多优点,正发展成为新一代照明光源,但LED发光同时会产生较多热量,芯片局部热流密度可达100 W/m^2。若无法将产生的热量及时散出,将会对LED正常工作带来不利影响。通过分析现有大功率LED灯散热方式、封装结构等设计方案,提出一种可用250 W白光LED替代500 W场地照明金属卤素灯的大功率LED场地照明用灯,并能有效控制芯片结点温度小于85℃。