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CSCD核心期刊
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电力电子技术杂志

Power Electronics

主管单位:西安电力电子技术研究所
主办单位:西安电力电子技术研究所
国际刊号:1000-100X
国内刊号:61-1124/TM
审稿时间:1-3个月
全年订价:¥ 400.00
创刊:1967
类别:工程科技II
周期:月刊
发行:陕西
语言:中文
起订时间:
曾用名:变流技术动态
出版社:科研院所类
邮编:710061
主编:吕庆敏
邮发:52-44
库存:194
电力工业
电力电子技术杂志简介
电力电子技术杂志简介

《电力电子技术》(月刊)创刊于1967年,由西安电力电子技术研究所主办。以电力电子技术为主体,探讨和报道电力电子行业中新器件、新技术、新应用的学术论文及成果;提供国内外的电力电子技术和发展动态及产品市场信息;为企业的新产品、新技术、新成果在行业内的推广架起一座金桥。

《电力电子技术》获全国优秀科技期刊;获机械工业部科技期刊一等奖;获陕西省科技期刊一等奖。

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电力电子技术杂志投稿
电力电子技术杂志社审稿
1-3个月
电力电子技术杂志社介绍

1、《电力电子技术》稿件内容应有较高学术水平,有创新点,要求语言流畅,逻辑关系明确。在不影响基本思想表述完整性的前提下,请尽量精炼语句、精简图、表和公式、简化推导和证明过程。 

2、《电力电子技术》全文字数应控制在8000字以内,包括图、表、公式中出现的字符。应尽量简练文字,只给出主要公式、图、表,推导部分尽量用参考文献加注的方式给出。 

3、《电力电子技术》文章题目不超过20个汉字(每两个英文字母为一个汉字),作者署名人数不超过4人。同时要求提供相应的英文题目和作者的汉语拼音。要求给出作者单位的标准译名、单位所在地和邮政编码。 

4、要求中、英文摘要以提供文献内容的梗概为目的,不加评论和补充解释,简明、确切地记述文献的重要内容。内容应包括研究目的、方法、结果和结论等,并应尽量反映文章的主要信息,结论能量化和具体化。摘要控制在200~300字,英文摘要应与中文摘要对应。摘要、引言、结论3者不能重复。要求同时给出3~5个中英文关键词。 

5、所投稿件主体应包括:①引言;②原理与设计;③实验:一定要有实际实验主电路的详细参数,波形、过程、结果;④结论。 

6、基金项目及重大科研攻关项目:国家基金和科研项目要求中英文对应,只列出省部级及以上科研和基金项目,请注明名称并提供编号。 

7、要求提供第一作者的简介,包括:姓名(出生年-)、性别、籍贯、学历或职称以及主要研究方向。 

8、图形符号及标注符号应按国标规定的画、写,波形图应注明纵横坐标的物理意义,物理量单位及每格多少,并标出原点。两条以上的曲线,应注明每条曲线代表的含义。 

9、文章后面给出主要参考文献,所引文献必须是有刊号的正规出版物,并应在文中引用处加标注。具体格式请参照模板。 

10、编辑部有权对稿件做必要的删改。稿件一经发表,即致稿酬,并赠送刊物两册。 

11、我刊已加入“中国学术期刊(光盘版)”、“中国期刊网”、“万方数据系统科技期刊群”等数据库,我刊付给论文作者的稿酬中已包括上述数据库的稿酬,如作者不同意将文章纳入上述数据库,请来函声明。 

12、投稿作者请提供手机或固定电话号码、工作单位、通讯地址等,以方便联系。

电力电子技术较新文章
  • SiC功率MOSFET器件研制进展

    作者:柏松; 黄润华; 陶永洪; 刘奥 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    碳化硅(SiC)功率金属.氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺,采用一氧化氮(NO)栅氧退火工艺技术研制出击穿电压为1800V、比导通电阻为8mΩ·cm^2的SiCMOSFET器件,测试评价了器件的直流和动态特性,关断特性显著优于SiIGBT。评估了SiCMOSFET器件栅氧结构的可靠性,器件的栅氧介质寿命及阈值电压稳定性均达到工程应用要求。

  • 2017年第12期“高频、超高频电力电子功率变换技术”专辑征文启事

    作者: 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    为促进高频、超高频电力电子功率变换技术研究和应用,本刊拟将2017年第12期辟为“高频、超高频电力电子功率变换技术”专辑。以集中反映这一技术领域最新科研成果,关键技术发展和创新。

  • 牵引用3300V/500ASiC混合模块研制

    作者:刘国友; 彭勇殿; 常桂钦; 余伟 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    基于自主绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),研制3300V/500ASiC混合模块。完成模块的性能测试及热阻测试,并与SiIGBT模块进行对比。二极管热阻较SiIGBT模块显著降低,增大模块额定电流能力。SiC混合模块反向恢复能量几乎可忽略,减少模块工作过程中对IGBT芯片的电流和电压过冲,利于模块的长期可靠性。利用PLECS仿真得到脉宽调制(PWM)工况下芯片最高结温,SiC混合模块低于IGBT模块。3300V/500ASiC混合模块的研制成功,对SiC材料在机车牵引领域的应用具有推动作用。

  • SiC结势垒肖特基二极管及JMoS介绍

    作者:许甫任; 颜诚廷; 洪建中; 李传英 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiCJMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额外的工艺和面积。当SiCMOSFET中的寄生体二极管导通时,集成的JBS还可以防止由于注入的少数载流子的复合而导致的位错缺陷转变为堆垛层错的潜在风险。进行特征比较,并构建一个测试平台,以验证SiCJMOS比传统SiCDMOS的效率和可靠性有所提高。实验结果表明,SiCJMOS能以更低的成本和更高的功率密度获得更好的系统性能和可靠性。

  • 宽禁带SiC单晶衬底研究进展

    作者:杨祥龙; 徐现刚; 陈秀芳; 胡小波 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体器件的理想材料。近年来,国内外在SiC单晶衬底制备方面取得了重大进展。对SiC单晶衬底材料的最新发展进行回顾,包括SiC单晶生长技术、直径扩大、缺陷控制等,对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。随着高质量大尺寸SiC衬底材料的迅速发展,大大降低了SiC器件的制造成本,为SiC功率器件的发展提供了坚实基础。

  • SiC Lateral Devices on Semi-insulating Substrate

    作者:Chih-Fang; Huang 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

  • SiCMOSFET静态温度特性研究

    作者:汪洋; 卢志飞; 李世强; 李剑波 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    以实际碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件为对象,首先测试了不同温度下的转移和输出特性,获取了温度对其阈值电压、跨导、导通电阻和内栅极电阻的影响规律,接着基于所得到的温度特性实验结果,建立了SiCMOSFET静态等效电路模型,最后对该模型进行了验证。结果表明,温度对SiCMOSFET静态特性及参数的影响较为明显。所建立的等效电路模型能正确反映SiCMOSFET的静态特性。

  • 梯度掺杂对SiCLTT短基区少子输运增强研究

    作者:王曦; 蒲红斌; 刘青; 陈治明 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10kV4H-SiC光触发晶闸管(LTT)进行了研究。短基区的施主杂质呈梯度分布,未耗尽时会在纵向产生感生电场,使短基区的少子输运从单一的扩散方式改善为扩散与漂移相结合的方式,促进短基区少子的纵向输运。仿真结果显示,梯度掺杂短基区具有更强的少子传输效率,相比于常规SiC LTT,具有梯度掺杂短基区的SiC LTT开通延迟时间缩短了36%。

  • 基于PCB罗氏线圈的SiCMOSFET短路保护研究

    作者:张经纬; 李晓辉; 谭国俊 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)过短的短路承受时间增大了短路保护的难度,传统退饱和法较长的检测时间容易对SiCMOSFET造成严重冲击。印制电路板(PCB)罗氏线圈高带宽交变电流检测及反应灵敏的特性。使其适用于功率器件短路的快速检测。在SiCMOSFET发生短路时,利用PCB罗氏线圈配合复合式积分电路提取瞬态变化电流,进行反馈控制,有效缩短短路保护的延迟时间。通过软关断,减小关断过程中过高的电流变化率导致的过压对SiCMOSFET造成过大的冲击。实验结果表明,采用PCB罗氏线圈电流检测法能在短路发生第一时间迅速可靠地关断SiCMOSFET,实现短路保护。

  • 超高压4H-SiC pIGBT器件材料CVD外延生长

    作者:孙国胜; 张新和; 韩景瑞; 刘丹 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法。使用“热壁”CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n^+型4H-SiC衬底上进行了P型4H-SiC外延层及P型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p^-n^+结构材料生长,利用CandelaCS920表征了100μm厚P型4H-SiC外延层表面缺陷及结构缺陷.典型表面缺陷为三角形缺陷和胡萝卜缺陷,3种结构缺陷分别是基晶面位错(BPD)、三角形肖克利型层错(SSF)和条形层错(BSF)。微波光电导衰退法(μ-PCD)测试表明,100μm厚P型4H-SiC外延层载流子寿命为2.29μs,采用二次离子质谱(SIMS)测试方法分析了不同铝(m)掺杂浓度的深度分布,最高Al掺杂浓度为2×10^19cm^-3。

  • 100kHz低频功放SiCMOSFET串扰分析与驱动设计

    作者:龙根; 罗志清; 查明; 赵锦波 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    针对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在100kHz低频(LF)功放应用中出现的串扰问题,考虑SiCMOSFET寄生参数分阶段研究串扰过程,分析关键参数对串扰电压尖峰的影响,从而提出降低串扰尖峰的若干思路。为抑制串扰现象,采用无源抑制方法进行驱动设计,该驱动设计简单可靠,具有较高工程应用价值。最后,进行驱动对比实验,采用所提驱动设计对串扰的抑制效果显著,正、负向串扰电压尖峰比基本驱动电路分别降低73%和70%。

  • 中高压SiCIGBT智能栅极驱动研究及应用

    作者:马永兵; 欧阳文军 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能。采用15kV中压SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件设计双脉冲测试平台进行对比传统电压源型驱动的实验,测试结果显示所提电流源型驱动在有效降低损耗的情况下,兼顾改善电流变化率,并具备快速关断和降低保护响应时间的优势。

  • SiC IGBT正向导通特性研究

    作者:刘国友; 高云斌; 陈喜明; 李诚瞻 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)兼具了导通损耗低、开关频率高的显著优势,已成为下一代高压开关器件的重点研究对象。然而,由于高质量的SiC衬底、外延材料制备不易,器件机理及工艺流程较为复杂,研究开发过程比较缓慢。通过针对性的器件物理建模,在此基于Silvaco软件完成了器件的正向导通特性仿真,分析了缓冲层及结型场效应晶体管(JFET)区对器件正向性能的影响,并基于以上结果进行了实际流片,测试结果基本符合理论预期。

  • GaN功率开关器件的产业发展动态

    作者:何亮; 郑介鑫; 刘扬 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    氮化镓(GaN)功率电子器件具有优异的电学特性,在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景,满足下一代功率管理系统对高效节能、小型化和智能化的需求。P型栅和Cascode结构的常关型GaN器件已逐步实现产业化,但鉴于这两种器件结构本身存在的缺点,常关型GaNMOSFET器件方案备受关注。目前,GaN功率开关器件主要朝高频化发展,封装形式从直插型(T0)封装向贴片式(QFN)封装演变,为进一步消除寄生效应对器件高速开关特性造成的不良影响,驱动和功率器件集成的GaN功率集成电路(IC)技术被采用,单片集成的全GaN功率IC是未来的发展方向。

  • Vertical Gallium Nitride Power Devices:Current Status and Prospects

    作者:ZHANG; Yu-hao; PALACIOS; Tomas 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

  • 氮化镓体单晶生长的进展

    作者:王建峰; 任国强; 徐科 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    主要讨论了3种氮化镓(CaN)体单晶生长技术,包括氢化物气相外延(HVPE)、助熔剂法、氨热方法。首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研究进展,包括位错的减少、应变的控制、衬底的分离和掺杂等。比较了3种方法的生长机制。其次,通过纳米压痕仪和高空间分辨表面光电压谱两种方法研究了体单晶中位错的力学行为。最后,介绍了GaN体单晶衬底在器件方面的应用。

  • 增强型GaN功率器件及集成技术

    作者:周建军; 孔岑; 张凯; 孔月婵 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    针对氮化镓(CAN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2V以上、击穿电压1200V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1V、击穿电压350V以上、输出电流10A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件。同时基于栅区域势垒层减薄技术,开发了GaN增强型/耗尽型(E/D)集成技术,并展示了采用E/D集成技术研制的5l级GaN环形振荡器验证电路,集成了106只晶体管,级延时仅24.3ps。

  • GaNHEMT电力电子器件的关键技术

    作者:于国浩; 张志利; 郝荣晖; 张宝顺 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)电力电子器件应用面临的挑战,从阈值电压回滞效应、电流崩塌效应和增强型的实现等进行讨论。在CaN表面沉积Si3N。前进行原位氮(N)等离子体处理,制备CaN金属绝缘体半导体(MIS)HEMT器件,阈值电压回滞270mV,600V关态电压,动态电阻上升18%。增强型器件研究方面,提出一种采用氢(H)钝化p-GaN技术制备增强型GaNHEMT器件的新方法,器件的阈值电压为1.75V。饱和电流为188mA/mm。

  • 绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

    作者:黄森; 王鑫华; 康玄武; 刘新宇 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程,高可靠栅介质及兼容互补MOS(CMOS)工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展。为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。

  • GaN功率开关器件驱动技术的研究与发展

    作者:张弘; 郑介鑫; 郭建平 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    以si材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步逼近其理论极限。难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求。与传统的si器件相比,氮化镓(GaN)器件展现了其在导通电阻和栅极电荷上的优势,可使功率转换器实现更小体积、更高频率及更高效率,从而在汽车、通信、工业等领域中具有广阔的应用前景。然而。缺乏高速CaN栅极驱动是目前GaN功率转换器未能大力推广的主要原因之一。详细研究了增强型GaN功率器件驱动电路设计的各种问题,如效率、损耗、延迟时间、栅极振荡、自举电压上升、抗电压变化率干扰、死区时间、反向导通损耗及寄生效应等,并综述了针对上述问题的相应解决方法及优缺点,最后讨论了GaN栅极驱动的未来发展趋势。

  • 增强型GaN功率器件栅驱动技术设计考虑

    作者:明鑫; 张宣; 周琦; 张波 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    GaN晶体管相对于MOSFET器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势。但增强型CaN器件存在自身独特的物理特性,包括最大栅压限制、阈值电压偏低和存在反向导通电压等。因此,栅驱动电路需要针对器件特性进行定制化设计。在此首先重点分析GaN器件在高速开关过程中存在的主要问题及解决方案,然后详细描述基于HHNEC0.35μmCD工艺设计完成的一款80V高压半桥GaN栅驱动电路,验证相关驱动技术的正确性。由仿真和测试结果可见,驱动信号具有良好的延迟特性和小的电压过冲,能够很好地满足相关应用需求。

  • GaN Power ICs Revolutionize High-density, High-efficiency, Cost-effective Power Conversion

    作者:KINZER; Dan 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

  • 宽禁带电力电子器件关键封装材料研究进展

    作者:王征; 刘文; 梅云辉; 陆国权 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    选择合适的电子封装材料对充分发挥半导体器件的性能有着十分重要的影响。详细概述了电力电子器件.尤其是宽禁带电力电子器件的高温可靠封装关键材料的研究进展及发展趋势,并对其发展前景进行了展望。其中封装材料主要涉及互连材料、基板材料和底板材料三方面。

  • Si衬底GaN基功率电子材料及器件的研制

    作者:罗睿宏; 倪毅强 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    目前,采用Si上生长氮化镓(GaN)材料这一技术路线制备功率电子器件,已成为业界共识。而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术。成功地制备了无裂纹、低翘曲、高导通、均一性好、耐压高的2~8英寸Si衬底GaN外延片,外延材料满足650V功率器件要求。并在6英寸互补金属氧化物半导体(CMOs)产线上成功开发出650V,200mΩ的功率场效应晶体管(FET)器件。

  • 光伏逆变器辐射EMI噪声机理与抑制方法

    作者:李林; 邱冬梅; 高翔; 颜伟 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    针对光伏逆变器产生的辐射电磁干扰(EMI)噪声,提出了基于近场测试和近场波阻抗的辐射噪声源诊断方法:分析了因大功率电力线串扰和传输阻抗失配引起的辐射噪声机理,以及噪声传输路径;设计基于串扰扼流圈、全电容滤波器和线缆终端匹配电路的辐射EMI噪声抑制方案。实验结果表明,该方法能有效分析某型光伏逆变器的辐射噪声机理,其辐射EMI噪声可降低37dBμV/m,满足GB9254ClassA限值要求,从而为光伏逆变器的电磁兼容设计提供理论依据和实验指导。

  • 四象限脉冲整流器控制策略研究与实现

    作者:相里燕妮; 杨伟; 岳文开; 张鹏 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    针对四象限脉冲整流器,提出一种电压外环加电流内环的控制算法,详细介绍了该算法中基于d,q坐标系的有功无功电流解耦控制和基于广义二阶积分(SOGI)的单相锁相环技术。仿真和实验结果均证明该算法可实现直流侧电压稳定、网侧单位功率因数的控制目标。

  • 双馈电机无速度传感器控制算法研究

    作者:徐凤星; 刘连根; 余岳; 张少云 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    为解决电网不对称条件下,双馈电机转速、转子位置估算不准确问题,从而解决无速度控制算法无法工程化应用问题。提出一种基于比例积分谐振(Pro)闭环控制器的自适应控制器的无速度传感器控制算法。分析了速度估算原理与实现方法及无速度传感器控制策略研究。搭建2MW的双馈异发步电机(DFIG)背靠背及电网跌落装置试验台,验证了在电网对称、不对称条件下,估算转子位置在不同转速和功率下都能准确跟踪实际值,确保有功、无功解耦的准确控制,证明了所提方案的可行性。并成功应用到商业化风机上,在风力发电场也得到验证。

  • Boost电路寄生参数影响分析与验证

    作者:欧煌; 吴伟 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    理想DC/DC变换器建模因忽略寄生参数影响,仿真结果与实际电路存在较大偏差。主要讨论在电感和电容高频寄生电阻条件下,基于电路平均法建立非理想Boost变换器小信号数学模型。对于寄生参数的存在给系统性能带来的影响进行了理论分析和实际验证。理论分析与实验结果对优化变换器性能提供参考。

  • 基于复合校正控制的高效稳定光伏并网发电装置

    作者:韦星; 杨永进; 金龙 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    设计了一种高效稳定的光伏并网发电装置,可实现光伏电池最大功率点跟踪(MPFI"),提高电能转换效率。装置采用软件锁相环(SPLL)闭环控制及复合校正控制,提高系统动态性能及稳态性能,该装置同时设有欠压过流打嗝保护。可长时间安全稳定运行。测试结果表明,装置性能指标优良,具有较高的实用价值。

  • 对等结构的微网逆变器控制策略研究

    作者:徐瑞东; 周建勇; 宋淑贞; 王博雅 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    针对对等结构微网,采用一种分层控制策略。微网逆变器在孤岛和联网运行模式下均采用下垂控制,发生孤岛时无需改变控制算法;通过虚拟阻抗控制算法能重塑线路阻抗,提高功率解耦度,并在抑制电压谐波方面具有重要作用。二次电压和频率恢复控制以修复由于第1层本地控制引起的电压幅值和频率偏差;一种简单可靠的预同步控制算法实现孤岛模式向联网模式无缝切换。仿真和实验验证了控制策略的正确性和可靠性。

  • 分布式串补装置主变压器功率输出特性研究

    作者:张烁; 刘亚东; 王奇; 江秀臣 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    分布式串联补偿装置通过变压器原理,将串联电抗耦合到初级回路,通过改变次级的电抗值实现串联补偿的功能。主变压器作为装置最主要的功率转换器件,其功率输出特性将直接决定整个装置的功率密度和发热问题。将装置主变压器输入视为恒流源,建立了主变压器的功率输出模型,分别研究得到主变压器的输出功率与负载电容、线圈匝数及负荷电流的对应关系,最后通过实验验证了上述结论的正确性。

  • 基于LCL滤波的三相PWM整流器新型DPC策略

    作者:丁博文; 范波; 廖志明; 郭宁 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    建立LCL滤波的三相脉宽调制(PWM)整流器的数学模型,对于直接功率控制(DPC)的开关频率不固定以及LCL滤波器引入的谐振问题,构造功率外环电流内环的双环控制结构;提出一种新型DPC策略,在功率环构造虚拟电压源等效为功率阻尼,同时功率环的输出作为电流环的输入指令值,电流环采用无差拍控制以保证电流跟踪精度,并采用空间矢量PWM(SVPWM)产生PWM信号驱动整流器功率开关,实现固定开关频率。仿真结果表明,该控制策略在抑制谐振的同时,实现整流器单位功率因数运行,系统具有较好的动静态性能。

  • 不平衡负载下DSTATCOM非线性控制研究

    作者:周宏伟; 黄晓明 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    低压配电网中,通常使用静止同步补偿器(DSTATCOM)补偿无功功率和不平衡负载造成的负序电流,针对DSTATCOM具有强耦合、多变量、非线性特性,提出一种综合滑模控制、状态反馈精确线性化和空间矢量调制(SVPWM)的非线性控制方法。三相不平衡负载下,采用瞬时对称分量法和信号延迟对消(DSC)法计算出负载电流、DSTATCOM输出电流正、负序分量,然后分别对正、负序分量进行非线性控制。实验表明采用新型控制策略的DSTATCOM在不平衡负载下,有效补偿了无功电流和负序电流,实现了电网单位功率因数,电网电流总谐波畸变率(THD)低于5%,不平衡度达到国标要求。

  • 一种双电压环的电网电压发生器系统的研究

    作者:刘海舰; 刘刚; 孙健; 胡四全 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期

    对比不同电网电压发生器拓扑结构,分析各拓扑结构优缺点,设计了一种单相级联型电压发生器拓扑。根据此拓扑结构原理建立其数学模型。在分析数学模型的基础上推导出了双电压环控制系统:有效值外环、瞬时值内环及电流内环的传递函数,并对控制系统的传递函数波特图进行分析,得出其设计的合理性,最后通过仿真和实验验证了电网发生器控制策略的有效性。

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2019-08-16 10:12:16 1355077** ¥ 400.00 1 电力电子技术
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2019-04-04 08:37:21 1356873** ¥ 400.00 1 电力电子技术
2019-03-28 10:47:28 1828005** ¥ 400.00 1 电力电子技术
2019-03-21 08:59:59 1828005** ¥ 400.00 1 电力电子技术
2018-11-30 21:10:11 1393540** ¥ 400.00 1 电力电子技术
2017-07-24 15:08:54 1382506** ¥ 84.00 1 电力电子技术
电力电子技术杂志网友评论
较新评论
zhuleng** 的评论:

本人在读博士,7月5日在线系统投稿电力电子技术杂志,10月14号进入终审,并很快确定录用。因为组稿的问题,需要等其他同主题的稿件一起再刊发,周期可能会延长。但确实是良心刊物,该刊很重稿件质量!

2019-11-11 18:08:32 回复
chenhua** 的评论:

因为有学历、职称、篇幅的要求,电力电子技术杂志质量还是相当不错的,不比某些牛刊差。该杂志我投了3次,前两次都是被拒在主编审稿环节,给我感觉是初审和外审都相对容易,但是最后主编这一审稿才是关键,也就是最后才是选题的审稿。论文比较规范,3个月左右一般都能出结果。

2019-10-14 17:39:00 回复
jianggu** 的评论:

编辑总体上非常负责,电话联系的时候可以感受到编辑非常热情。至于审稿周期较长的问题,感觉应该不是编辑效率低,而是杂志普遍存在的问题:稿件积压严重。所以也不能过度苛责编辑部。

2019-09-14 10:01:13 回复
wudongh** 的评论:

杂志真的很速度,要不是写的不是很好,接收的还会更快,然后安排CNKI网络优先出版,估计再过十几天就能在知网上搜到了,非常开心。谢谢专家和编辑老师,辛苦了。总体感觉这个杂志的编辑老师很负责,论文有新意更好被接收。

2019-08-29 21:35:16 回复
chenhui** 的评论:

电力电子技术杂志审稿超快,编辑也很客气,全程网上公开。原以为该杂志很难中的,结果很顺利接受了。

2019-07-30 17:05:47 回复
yanjiex** 的评论:

好久没有投中文稿,没想到编辑和专家的效率这么高,基本上每次上传修改稿以后,审稿专家都会在20天至一个月内给出复审意见。从投稿到录用90多天。论文由三个专家评审,每个专家对论文内容进行了肯定,意见不多,每人1到2个小问题。修回后副主编终审,然后录用。

2019-04-26 11:29:32 回复
rj364g3** 的评论:

审核还是挺严的,网站建的确实不错,相关审核专家也一样,认真严肃,一针见血,直中要害。认真回复修改也没问题。这个期刊的文章质量较高,在电子领域内很专业。

2019-03-20 14:33:10 回复
wangliw** 的评论:

期刊的审稿速度超快!是一个非常专业的期刊,水平还可以吧。编辑真的很和善,办事效率也很高,必须得赞一个!专家的修改意见也很中肯,一看就是认真仔细的理解过这篇论文的,意见非常到位,直击文章要害。

2019-03-07 11:38:07 回复
xiena_l** 的评论:

11月16号投稿,第二天就送审了,只有一位外审专家,11月25号就给了结果,审稿专家看的很细,给了不少意见,小修后当天提交退修稿,12月27号给录用通知,《电力电子技术》杂志还是挺效率的,给个赞~

2019-02-21 15:58:30 回复
fanguor** 的评论:

首先,编辑态度相当好,提出的问题与建议都很专业,而且很有耐心,点赞。其次,审稿专家审稿也很仔细,可以看出是电力领域的专家。《电力电子技术》又被北大核心收录,值得推荐!

2019-01-15 14:57:54 回复
fe19152** 的评论:

前不久刚投了一篇,审稿人给出了详细中肯的修改意见,修改后录用。感觉比较负责任,电力电子技术是CSCD核心期刊,审稿速度2个月算快的,对我来说专业比较对路,挺好的,以后准备多投一些。

2018-11-20 10:45:26 回复
zhangma** 的评论:

《电力电子技术》期刊的审稿人很认真,编辑也很负责。可能今年稿件比较多,快两个月了才给回意见,提了三个意见,表明修改后录用。修回后两周,状态为排队发表。期刊比较正规,希望期刊越办越好。

2018-10-22 15:04:22 回复
wangju_** 的评论:

按照期刊的要求来写的话,其实还是比较容易中的。期刊审稿的速度还是比较快的,一般按照专家的意见和建议修改,应该问题不大。专家给的意见和建议都很中肯的。

2018-09-03 17:34:33 回复
xujia_f** 的评论:

《电力电子技术》杂志编辑效率果然那么速度,尽职,负责,态度也很好。9月份投稿,11月份给的评审意见,总体来说这个北大核心级的速度还挺快,编辑老师很好很负责。

2018-08-08 18:03:44 回复
张良** 的评论:

还不错,老师很好,编辑很好,人很好,意见提得也很仔细,很中肯,当然也很严谨。第一次投这个期刊,编辑老师人很好,每次骚扰都很热心,回复很及时。投稿到录用差不多用3个月。

2018-07-17 09:09:52 回复
zhaoqia** 的评论:

这个期刊我也投过,质量不错,,更重要的是速度快(从投稿到录用约3个月),编辑态度好,审稿专家非常细心、认真~期刊社对文章的排版、修改做的确实很细腻,可以说相当负责任,文章只要有录用价值均可能被录用。

2018-03-27 16:28:57 回复
wukaihu** 的评论:

初审通常一周,外审和复审就不一定了,得看专家了。我的外审是一个月左右,复审半月左右,效率还是很高的。因为评先选优的原因跟编辑部要录用通知,编辑老师也非常热情慷慨的给予了帮助,总之,第一次投稿,很愉快的经历,以后再投哈哈,谢谢。

2018-01-15 14:58:58 回复
rg1615** 的评论:

我投的这篇只是综述,自己初涉这个领域。刚开始被拒稿时,专家给出的意见是稿子逻辑乱,水平低。但是遵循修改意见进行修改后,还是被接收了,《电力电子技术》是北大核心级别。自己还是很高兴的。希望大家都能有好运气!

2017-12-22 17:18:57 回复
huangje** 的评论:

审稿流程蛮多,但是进行的比较快,效率很高。编辑人很好,外审之后,亲自打电话讲了许多期刊运用格式上的注意事项。真的很感谢!编辑和外审老师对我的帮助很大~

2017-12-15 09:18:39 回复
yezhao** 的评论:

总的来说审稿速度很快,今年8月28日上传稿件,中间主编比较忙到9月26日才初审通过,然后立马就外审,10月10日外审返回意见是修改后重审,10月18日晚上传修改稿,到了10月23日审回意见是修改后发表,小修上传以后30日就发录用通知。编辑部很负责任,审稿专家给的意见很中肯,总之这本期刊还是很不错的,审稿流程很正规!!

2017-11-06 09:20:54 回复
jiangca** 的评论:

现在的投稿系统做得还可以。初审通过后交外审后让修改了一次,编辑看了后没有返回复审,直接让改格式,改完后送终审。从投稿到通过终审总共三个月。

2017-10-20 16:48:19 回复
dthgew** 的评论:

主编和各位编辑非常NICE,投稿后,第二天就送审,中途经历了专家拒审和超时,帮换专家外审,文章经过小修后录用,非常开心!第一次投核心期刊就中了!

2017-07-21 16:53:18 回复
jones** 的评论:

初审半个月后通知退修,退修后提交外审。外审一个多月还没返回结果,期间电话催过多次,终于把稿件抽出来重新找专家外审,两周多返回意见,同意修改后录用。其它的没什么问题。

2017-06-22 09:16:35 回复
nghfdc** 的评论:

编辑老师很热心,负责,热情耐心回答提问,及时处理稿件。因此,有合理要求尽可以向编辑部提出;为加快审稿速度,格式尽可能按照杂志的要求,可以向编辑老师索要范文,包括字体、行距、脚注、参考文献格式等等,注意参考文献一般是要求12篇,我第二份投稿从初审通过到录用仅62天,除了文章本身,与书写规范也有一定关系。

2017-04-26 10:36:58 回复
daner** 的评论:

《电力电子技术》确实很给力。 投稿大概半个月就了初审修改意见,然后复审花了一个半月,最后排期录用。整个过程花了3个月。第一次投《电力电子技术》,感觉不错,推荐大家投稿!

2017-03-02 16:12:25 回复
jhbv** 的评论:

12月25号投的,半个月后退修,一个多星期后再次提交,之后一周再次退修,这次再次认真修改了近两周,又提交。2月3号已经来信通知录用。速度还是很快的。

2017-02-23 15:36:33 回复
xcw** 的评论:

现在的审稿速度还不错,感觉只要文章具有一定创新性,一般都不会拒稿,审稿专家提出的问题还是比较好的,很专业,能够提升文章的质量。希望此刊越办越好。

2017-02-09 16:30:09 回复
lele** 的评论:

审稿速度快,审稿人的发过来的修改意见是主要的参考因素,其他倒是没有什么,不过电力电子技术期刊的工作人员态度很好,很负责任。是国内为数不多的公正期刊之一。

2016-05-19 11:20:06 回复 2
  • kongtia** 的回复:

    望杂志越办越好,支持!

    2016-08-17 08:52:02 回复
  • heilong** 的回复:

    审稿人很专业,文章看的很仔细,给出了很多中肯的建议,并且在文章修改过程中,确实学到很多东西。非常不错的期刊。

    2016-08-16 17:54:40 回复
beiyu** 的评论:

这篇论文,本科生是第一作者,往电力电子技术杂志总共投了3次,前两次都退修了(其中第二次都拟修后发表了),但是有个问题可能没回答好,都给退稿了,直到第3次投稿,把一个问题(掌握了最直接的证据)彻底解决后,惨改后录用。

2015-11-09 09:53:18 回复
wenhao** 的评论:

速度很快,审稿很透明,审稿人意见回来就会挂在网上,两个审稿人,一个意见正面,另一个意见比较悲剧,于是毫不犹豫退稿。难度比较大,但是编辑效率高,速度快,前后不到一个月时间。

2015-08-24 09:25:49 回复
xucheng** 的评论:

终审一般速度比较快,大家都说一周以内。结果我又比较悲催,终审了半个月不见回复,按耐不住,发了个邮件询问编辑,编辑回复副主编可能是比较忙,耐心等待。结果发了邮件后三天,就收到了录用通知。真是惊喜。

2015-07-29 17:10:48 回复
seela** 的评论:

论文在这个月刚刚刊出,感觉不错,就是初审偏慢,2月底投出的5月中旬收到意见,中间换了四五个专家,好在经过小修后顺利接收。 对此刊物的印象是对创新要求较高,而理论性的东西没有太高要求,稿件的新意是专家最为看重的.

2015-07-16 09:47:30 回复
caca** 的评论:

初审一天就通过了,外审近一个月,不到一个半月给审稿意见,修改10天,再次审稿速度比较快,一共差不多7周多时间就让交版面费发录用通知了。电力电子技术杂志的审稿专家意见还是比较中肯吧。总之比较顺利。

2015-01-21 14:45:54 回复
pamel** 的评论:

期刊一直很干净,没什么广告,审稿也可以,就是对篇幅限制太多了,很多整的都在两版以内,这样的文章基本就只有实验结果了。 目前已经进入 CSCD了 (不是扩展),跟他们的编辑比较熟,服务态度很不错的。

2014-10-19 11:04:28 回复
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