作者:冯科; 杨晓菲; 王昭 期刊:《固体电子学研究与进展》 2019年第05期
介绍了一种由Si IGBT与SiC JBS组合封装的Si/SiC混合模块,利用SiC JBS单载流子器件没有反向恢复特性的特点,提升IGBT模块的特性。对Si/SiC混合模块的结构、工艺、测试结果进行了描述,与Si模块相比,在芯片结温为125℃时,Si/SiC混合模块的续流二极管的反向恢复电流减少了86.7%,反向恢复能量减少了98.1%,恢复时间减少了约82.1%。根据相同工况条件下的损耗计算,与Si模块相比,Si/SiC混合模块的续流二极管功耗减小了64%,Si/SiC混合模块的...
作者:王礼平; 王观凤 期刊:《微电子学与计算机》 2005年第01期
为扩展操作位数提出了一种更具普遍性的长加法器结构--混合模块级联超前进位加法器.在超前进位加法器(CLA)单元电路优化和门电路标准延迟模型的基础上,由进位关键路径推导出混合模块级联CLA的模块延迟时间公式,阐明了公式中各项的意义.作为特例,自然地导出了相同模块级联CLA的模块延迟时间公式.并得出和证明了按模块层数递增级联序列是混合模块级联CLA各序列中延迟时间最短、资源(面积)占用与功耗不变的速度优化序列.这一结论成为...
作者:刘国友; 彭勇殿; 常桂钦; 余伟 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期
基于自主绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),研制3300V/500ASiC混合模块。完成模块的性能测试及热阻测试,并与SiIGBT模块进行对比。二极管热阻较SiIGBT模块显著降低,增大模块额定电流能力。SiC混合模块反向恢复能量几乎可忽略,减少模块工作过程中对IGBT芯片的电流和电压过冲,利于模块的长期可靠性。利用PLECS仿真得到脉宽调制(PWM)工况下芯片最高结温,SiC混合模块低于IGBT模块。3300V...
作者:徐文辉; 刘凯 期刊:《固体电子学研究与进展》 2016年第03期
提出了一种SiC混合模块,相比传统的Si IGBT模块,将Si续流二极管替换成SiC SBD。两种模块的额定参数均为1 200V/200A,在相同的测试条件下,分别测试其动、静态参数及波形,对比研究测试数据,混合模块中二极管反向恢复损耗可以降低84%,总的开关损耗可以降低40%。提取模块的寄生电感数值为13.3nH,结合动态测试波形,混合模块可以满足正常使用。
作者:王元媛 黄娟 期刊:《微电子学与计算机》 2011年第07期
在不增加顶层进位级联超前进位加法器(TC^2CLA)模块延迟时间的条件下,为最大限度地扩展操作位数,在分析混合模块TC^2CLA的延迟时间公式的基础上提出了混合模块顶层级联超前进位加法器无等待时间序列.给出了混合模块TC^2CLA无等待时间序列和无等待时间完全序列的定义,推证出序列的延迟时间公式及一系列重要性质.