摘要：基于自主绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），研制3300V／500ASiC混合模块。完成模块的性能测试及热阻测试，并与SiIGBT模块进行对比。二极管热阻较SiIGBT模块显著降低，增大模块额定电流能力。SiC混合模块反向恢复能量几乎可忽略，减少模块工作过程中对IGBT芯片的电流和电压过冲，利于模块的长期可靠性。利用PLECS仿真得到脉宽调制（PWM）工况下芯片最高结温，SiC混合模块低于IGBT模块。3300V／500ASiC混合模块的研制成功，对SiC材料在机车牵引领域的应用具有推动作用。

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