杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：薛舫时; 杨乃彬; 郁鑫鑫 刊期：2019年第05期
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异...
作者：景少红; 钟世昌; 饶翰; 曹建强 刊期：2019年第05期
基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2~1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引测试结果进行匹配电路设计,采用双胞55 mm GaN管芯实现大功率输出。功率放大器内部采用预匹配网络设计,外部匹配网络采用多级高低阻抗微带线结构。该功率放大器在1.2~1.4 GHz频带内,漏电压60 V、脉冲宽度100μs、占空...
作者：徐振洋; 李博; 王军 刊期：2019年第05期
针对40 nm MOSFET和表征其噪声机理的漏极电流噪声进行了研究,从强反型区到弱反型区对高频特性进行了测量和分析,建立了一个基于物理的40 nm MOSFET漏极电流噪声简洁模型。77 K和300 K温度条件下的研究结果表明:在低压弱相互作用条件下,40 nm MOSFET的高频噪声机理由受抑制的散粒噪声转变为热噪声。这个噪声机理的发现有利于纳米级MOSFET在弱反...
作者：刘洪军; 赵杨杨; 鞠久贵; 杨兴; 王佃利; 杨勇 刊期：2019年第05期
研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1~3.5 GHz频带内,3...
作者：师娅楠; 张斌珍; 段俊萍; 王颖 刊期：2019年第05期
基于分支线定向耦合器的工作原理,设计了一款新型分支线矩形波导定向耦合器。通过在传统的分支线基础上增加横向贯穿枝节形成由"田"字和"H"型组合的新型耦合器,有效增强了耦合器的带宽和方向性。通过HFSS软件对其进行仿真和优化,得出耦合器的最优尺寸。在不同压力下对耦合器进行了仿真分析,确定了其实用性,采用MEMS技术对该耦合器进行加工。最后...
作者：王子轩; 王鑫; 蔡志匡; 吉新村; 罗弘毅; 郭宇锋 刊期：2019年第05期
提出了一款工作在低电压(0.5~0.7 V)下的LC数控振荡器(Digitally controlled oscillator,DCO),采用电流复用结构的MOS对管为DCO起振提供能量,降低了DCO消耗的电流。提出一种多级电容衰减技术,在不增加功耗的前提下,使电容衰减系数达到0.002,并将单位可变电容值从4 fF减小到8 aF;在2.4 GHz频率下,使频率分辨率达到8 kHz。提出的LC-DCO在130 nm CM...
作者：赵子豪; 戴永胜 刊期：2019年第05期
在宽边耦合线定向耦合器的基础上,提出了一种基于LTCC技术的四相位定向耦合器的设计方案。四相位定向耦合器要求四个输出端口幅度一致,相位依次相差90°、180°、270°。该定向耦合器由三个宽边定向耦合器和一个1/4波长传输线组成,为了减小器件的尺寸,采用上下分层结构。经过电路仿真及三维电磁场仿真优化,最终设计的耦合器尺寸为6.0 mm×8.0 mm×1.8...
刊期：2019年第05期
本刊已加人《中国学术期刊(光盘版)》、《中国期刊网》、美国《化学文摘》及荷兰Scopus数据库等。凡在本刊发表的文章,将统一由编辑部全文人编上述刊、网,作者著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。如作者不同意将文章编人上述数据库,请在来稿时声明,本刊将作适当处理。
作者：俞浦宁; 叶强 刊期：2019年第05期
提出一种低插损小型化LTCC带通滤波器的实现方法,该带通滤波器采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制作宽带滤波器,以用于第五代WiFi传输技术的研究。在性能上,利用相移特性设计相位差为180°的两条电流路径,从而形成反向隔离以实现陡峭带外抑制的目的。同时,在末端级联一个π型结构,达到阻抗匹配和加大X波段带外抑制的作用。通过研究电流的趋附效应选择合...
作者：《固体电子学研究与进展》编辑部 刊期：2019年第05期
本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有"学术论文"、"研究报告"、"研究简讯"、"会议报道"等栏目。介绍科研创新成果,探讨不同学术见解,交流工作经验,报道研究动态。本刊自创办以来...
作者：林雪晨; 张斌珍; 段俊萍; 郑鹏帅; 田英 刊期：2019年第05期
提出了一种新型柔性微带天线的制备技术。首先用电磁仿真软件ANSYS HFSS对天线的结构进行仿真及优化,设计了一款共面波导馈电的微带天线。然后基于微机械工艺对天线进行加工制备,将预拉伸的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)经过氧等离子处理并释放后,在松弛的PDMS表面上溅射一层金属铜,可形成褶皱的金属薄膜。最后对该柔性天线进行电...
作者：黄炳华; 周珊; 黄昌琴 刊期：2019年第05期
在非线性电路中,选取合适的三个独立变量组成一个三维空间,三变量的非线性函数关系,可以用一条有界的空间曲线来描写,这就是三维的相图。这条有界的空间曲线,或者无法写出其解析表达式,或者其显式的解析参数式非常复杂,无法从式中直观地了解电压电流变化的物理过程,但可以用程序作图画出它的图形解。如果这条空间曲线在充分长的作图时间内是非周...
作者：冯科; 杨晓菲; 王昭 刊期：2019年第05期
介绍了一种由Si IGBT与SiC JBS组合封装的Si/SiC混合模块,利用SiC JBS单载流子器件没有反向恢复特性的特点,提升IGBT模块的特性。对Si/SiC混合模块的结构、工艺、测试结果进行了描述,与Si模块相比,在芯片结温为125℃时,Si/SiC混合模块的续流二极管的反向恢复电流减少了86.7%,反向恢复能量减少了98.1%,恢复时间减少了约82.1%。根据相同工况条件下...
作者：赵宏亮; 蒲佳; 刘树凯; 何善亮 刊期：2019年第05期
提出了一种新的前台校准技术,并将其用在了一款16位电流舵D/A转换器(DAC)的设计中。通过对DAC每一位电流源的输出结果经过校准ADC采样存储后,使用所设计的移位比较方法确定最终的最高位标准值(MSB),然后利用校准ADC和比较电路,按照逐次逼近原则确定每一位电流源需要的补偿量,并通过校准电流源阵列对主DAC的电流源进行电流补偿,从而提高DAC的静态...
作者：陶子文; 孙俊峰; 朱健; 郁元卫 刊期：2019年第05期
设计了一种Ku波段MEMS隔离器。该隔离器的微波铁氧体嵌入放置在MEMS工艺制作的硅腔体内,内导体和负载电阻以及接地孔采用MEMS工艺制作在高阻硅片上,最后利用集成封装技术实现铁氧体、磁钢、硅芯片等单元的有机结合,形成整体结构。该结构与传统微带隔离器比较,优点是图形化技术成熟可靠、铁氧体材料选择更加灵活、薄膜负载耐功率性能明显提高。测...
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