摘要：介绍了一种由Si IGBT与SiC JBS组合封装的Si/SiC混合模块,利用SiC JBS单载流子器件没有反向恢复特性的特点,提升IGBT模块的特性。对Si/SiC混合模块的结构、工艺、测试结果进行了描述,与Si模块相比,在芯片结温为125℃时,Si/SiC混合模块的续流二极管的反向恢复电流减少了86.7%,反向恢复能量减少了98.1%,恢复时间减少了约82.1%。根据相同工况条件下的损耗计算,与Si模块相比,Si/SiC混合模块的续流二极管功耗减小了64%,Si/SiC混合模块的IGBT芯片的损耗与Si模块持平,总功耗减小了7.1%。

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