作者:江利; 赵志宾 期刊:《上海电气技术》 2010年第04期
设计了一个10位的逐次逼近式模数转换器。用电阻和电容混合结构来实现模数转换器缩小芯片面积和减小系统复杂度。对模数转化器电路结构进行分析,给出了该模数转换器工作模型,并且设计了一种高速比较器的电路。芯片用0.5μm的CMOS混合信号工艺来仿真和流片,测试结果:在输入信号为200kHz时,信噪失真比62dB,动态范围72dB,有效位达到9.4bit。该逐次逼近式ADC电路已经成功用在消费电子产品中。
作者:杨建明; 夏昌盛; 张韵东 期刊:《电子世界》 2018年第11期
半导体制程电容元件匹配误差限制了电容阵列SARADC可获得的理论精度上限。本文分析了电容阵列匹配误差对SARADC分辨率的影响,同时推导出分割电容取值精度要求。基于半导体制程电容元件的匹配特性,提出级联分割电容阵列架构提升SARADC精度。本文指出,通过级联分割电容阵列架构减小电容阵列比值分布范围,提升电容匹配精度,从而获得高分辨率。
作者:戴澜; 王立煌 期刊:《电子世界》 2018年第09期
本文在改进了tri—level容阵列结构的基础上提出了一种10bit、1MS/s的低功耗SARADC,tri-level容阵列可以保证相对较低的转换能量,并且没有复位能量产生。采用matlab对这种电容阵列的行为进行建模,得出它的平均转换能量为31.8CVref,相对于传统电容阵列降低了97.7%的转换能量。采用SMIC40nM工艺设计这种电路,整体仿真结果显示其SNDR为60.8dB,SFDR为75.7dB,ENOB达到9.8位,整体功耗低至2.43恤W,FOM值为272fJ/conversi...
作者:韦祚东; 林敏; 陈卓俊 期刊:《半导体技术》 2017年第07期
基于130 nm CMOS工艺设计了一款特高频(UHF)频段的锁相环型小数分频频率综合器。电感电容式压控振荡器(LC VCO)片外调谐电感总值为2 n H时,其输出频率范围为1.06~1.24 GHz,调节调谐电感拓宽了频率输出范围,并利用开关电容阵列减小了压控振荡器的增益。使用电荷泵补偿电流优化了频率综合器的线性度与带内相位噪声。此外对电荷泵进行适当改进,确保了环路的稳定。测试结果表明,通过调节电荷泵补偿电流,频率综合器的带内相位噪声可...
作者:徐雷钧; 王超然; 白雪 期刊:《微电子学》 2016年第06期
针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加的方式叠加在MOS电容的控制电压上,进行精细调谐。电阻阵列控制不同数字控制信号下的调谐增益KVCO,与电流源阵列共同产生直流偏置电压以控制步进频率,可以灵活地精确设置不同数字信号控制下的电容值...
作者:刘志远; 王惠玲; 蔡春丽; 于云选; 李冰冰 期刊:《仪表技术与传感器》 2010年第05期
通过对电容式液位传感器的分析与研究,设计了一种新的电容阵列液位传感器。该传感器将电容一极板设计成阵列式结构,另一极板共用,采用基于充放电原理的微小电容检测电路,应用单片机XC886控制小电容器的选通、数据的采集和处理,计算出液位值,并通过CAN总线传送给上位机,实现实时监测。实测结果表明:该传感器受温度影响小、精度高、输出稳定,精度优于1%FS,零点漂移小于2×10-5FS/℃.
作者:任国晶; 王惠玲; 李宝生 期刊:《仪表技术》 2016年第06期
通过对电容式液位传感器的分析与研究,设计了一种新的大量程非接触电容式液位传感器,介绍了该传感器的工作原理及详细设计方案。传感器采用电容阵列式的探头密封结构、基于频域测量法的检测电路和以单片机为核心的控制电路。实测结果表明:传感器精度在1.5%F.S范围内,输出稳定,漂移小,受温度影响小。该传感器既适合大量程的液位测量,又能通过灵活增减敏感元件个数,满足不同测量范围的需要。
作者:白兴文 张亚君 期刊:《电子器件》 2010年第02期
构建了一个能为RFID天线阻抗的动态变化提供匹配的自动阻抗匹配虚拟系统。该系统的主要特点是成本低,匹配迅速,可靠性高。测试电路测得天线的反射系数,反馈到微处理器,经处理后自动控制匹配电路的电容开关实现阻抗的匹配。实验结果表明,在误差允许范围内,该系统自动将反射系数稳定在0点的周围,实现了RFID读写器功率的最佳传输。
作者:李东岳 黄水龙 张海英 期刊:《微电子学》 2011年第04期
描述了一种应用于TD-LTE的38.4 MHz数控晶体振荡器(DCXO)。该电路采用一种具有快慢两种工作模式的电容阵列。这种电容阵列在不同的调节模式下应用不同容值的电容单元,可以将频率更快地调节到正确的位置,并且芯片面积更小。设计的数控晶体振荡器采用TSMC 0.13μm BiCMOS工艺实现。
作者:范誉潇 王永禄 黄正波 陈遐迩 倪亚波 期刊:《微电子学》 2016年第02期
基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器。电路为1.2V电源供电,采用基于单调转换方式的改进型低功耗D/A电容阵列,相比于传统电容阵列,功耗降低了91%。采用一级动态预放大加一级动态锁存器的动态比较器,以降低功耗和提高速度。设计了与电容阵列工作方式相结合的异步逻辑控制电路,以降低外部时钟设计难度,并在控制功耗的前提下提高速度。Spectre仿真验证结果表明,在采样频率为120 MHz,输入信号频率为60 MHz...
本文通过对电容式液位传感器的研究,设计了一种新的电容阵列液位传感器。这种传感器采用基于充放电原理的微小电容检测电路,电容的一极板被设计成阵列式结构,与另一极板共用,然后采用单片机控制小电容器的选通、数据的采集和处理,计算出液位值,并通过CAN总线传送给上位机,实现实时监测。根据这次实验的结果可知,这种传感器受温度影响变化小、精度高、响应速度快,输出稳定。
作者:杨桃均 吕翼 唐盘良 魏强 期刊:《压电与声光》 2014年第03期
介绍了基于ADS的数字调谐跳频滤波器仿真设计方法。根据集总元件耦合谐振器滤波器理论计算出滤波器仿真参数,应用ADS对包括微带线、PIN二极管等参数模型的滤波器电路模拟仿真,解决数字调谐跳频滤波器电容阵列的取值问题。结合ADS仿真数据和实物测试结果,验证了该方法的有效性。
作者:王玥 刁盛锡 袁海泉 林福江 期刊:《微电子学》 2015年第06期
介绍了一种采用CSMC 0.153μm CMOS工艺制作的差分环形振荡器。分析了环形振荡器延时单元的选取和设计原理,以及输入差分对管跨导和负载电阻对环振相位噪声的贡献,得到负载为线性区偏置MOS管时低功耗低相位噪声环振的设计方法。在相位噪声变化较小时,采用电容阵列结构拓宽了环形振荡器频率的调谐范围。测试结果表明,该环形振荡器输出频率范围为513 MHz~1.8GHz;在振荡频率为1.57GHz频偏1MHz处,相位噪声为-84.11dBc/Hz,功耗为3.88mW。
作者:宁可庆 史力轺 戴澜 期刊:《微电子学与计算机》 2016年第01期
设计了一种10位10 Ms/s SAR ADC.该电路内置的DAC使用全电容阵列设计,在电容阵列布局中采用新型算法来减少电容失配;通过电容的上极板采样信号,对电容阵列的开关逻辑电路进行优化,在一定程度上降低了功耗;比较器使用降低回馈噪声设计;最终对版图布局中各个部分的寄生参数进行了优化.后仿真结果表明:使用SMIC 0.18μm工艺在1.8V电源下,SNDR达到59dB,即有效位达到9.5位,芯片面积为0.6mm2.