微电子学

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Microelectronics

杂志简介:《微电子学》杂志经新闻出版总署批准,自1971年创刊,国内刊号为50-1090/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:四川固体电路研究所
国际刊号:1004-3365
国内刊号:50-1090/TN
全年订价:¥ 244.00
创刊时间:1971
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:重庆
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.42
复合影响因子:0.37
总发文量:2261
总被引量:6053
H指数:19
引用半衰期:3.4516
立即指数:0.0239
期刊他引率:0.8608
平均引文率:7.933
  • 一种12位100 MS/s流水线ADC的设计

    作者:郭英杰; 王兴华; 丁英涛; 赵洪明 刊期:2016年第06期

    设计了一种12位100 MS/s流水线型模数转换器。采用3.5位/级的无采保前端和运放共享技术以降低功耗;采用首级多位数的结构以降低后级电路的输入参考噪声。采用一种改进型的双输入带电流开关的运放结构,以解决传统运放共享结构所引起的记忆效应和级间串扰问题。在TSMC 90nm工艺下,采用Cadence Spectre进行仿真验证,当采样时钟频率为100 MS/s,输入...

  • 一种不同缩放类型组合的低功耗DAC

    作者:蔡舟; 张涛 刊期:2016年第06期

    提出了一种内置于SAR ADC的低功耗DAC,采用不同缩放类型分段组合的方式,明显减小了芯片占用面积,降低了功耗。基于华润上华公司的0.35μm CMOS工艺,利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行分析,结果显示该DAC整体电路的功耗为0.93mW,最大积分非线性(INL)为-0.74LSB,最大微分非线性(DNL)为-0.48LSB,优值(FOM)为3.81,版图的面积为0.086mm~2,很好地...

  • 一种用于GPS接收机的低噪声放大器

    作者:周银强; 高博; 龚敏; 高胜凯 刊期:2016年第06期

    针对GPS接收机低功耗、低噪声、高增益的要求,采用功率限制下噪声匹配技术、阻抗匹配技术和电源复用技术,设计了一款可应用于GPS接收机的单端输入差分输出低噪声放大器,减少了巴伦损耗。采用SMIC 0.13'm CMOS RF工艺和全定制集成电路设计方法,工作频率为1.575GHz,对电路进行版图后仿真。仿真结果表明,该低噪声放大器在1.2V电源电压下,功耗为4.8m...

  • 一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源

    作者:冯春燕; 翟江辉; 李海鸥; 郭建; 杨年炯; 李琦 刊期:2016年第06期

    在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基...

  • 一种高性能超低功耗亚阈值基准电压源

    作者:朱智勇; 段吉海; 邓进丽; 韦雪明; 向指航 刊期:2016年第06期

    设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8V MOS管与3.3V MOS管的阈值电压差进行温度补偿,使得输出电压具有超低温度系数。采用共源共栅电流镜以提高电源电...

  • 一种可修调的高精度低温漂带隙基准电压源

    作者:支知渊; 唐威; 魏海龙; 季赛健; 尤路 刊期:2016年第06期

    设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了基准电压的高精度。电路基于标准双极工艺进行设计和制造,测试结果表明:在-55℃~125℃温度范围内,15V电源电压...

  • 一种新型的低功耗指数补偿带隙基准

    作者:付鑫; 冯全源 刊期:2016年第06期

    基于0.18μm BCD工艺,设计了一种新型的低功耗指数补偿带隙基准。对高温段进行指数补偿,降低温漂;利用预稳压技术,引入负反馈环路以提高基准的电源电压抑制比。经过HSPICE仿真验证,基准输出电压为1.233 V,-15℃~145℃温度范围内的温度系数为3×10-6/℃;低频时电源电压抑制比为-94dB,供电电压在2.8~5V变化时,基准输出电压的线性调整率仅为0.000 5%,...

  • 一种高温段曲率补偿基准电压源的设计

    作者:顾宇晴; 李婷; 胡云斌; 王小力 刊期:2016年第06期

    在传统电流型带隙基准源的基础上,设计了一种高温段曲率补偿基准电压源。利用工作在亚阈值区的PMOS晶体管的漏电流与栅源电压的指数关系产生非线性补偿电流,对温度特性曲线的高温段进行补偿。采用0.18μm标准CMOS工艺对电路进行设计与仿真,结果显示输出基准电压为600mV,1kHz下的电源电压抑制比为-55.5dB,在-40℃125℃温度范围内的温度系数为2.26×...

  • 一种低电压低功耗高PSRR CMOS基准电路

    作者:杨峰; 石春琦; 张润曦; 赖宗声 刊期:2016年第06期

    设计了一种工作在亚阈值区的高精度、低电压、低功耗CMOS基准电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,在1.2V电源电压下,输出202mV的基准电压,在-40℃~130℃范围内的温度系数为6.5×10-5/℃,消耗2.46μA电流。电源电压从1.1V变化到3.6V时,输出基准电压仅变化0.336mV。该基准电路的电源电压抑制比(PSRR)在直流处达到-93dB,10MHz处达到-63dB。设计了一种...

  • 一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计

    作者:赖松林; 黄淑燕; 陈金伙 刊期:2016年第06期

    基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环...

  • 一种用于10Gb/s Serdes的40nm CMOS锁相环

    作者:刘认; 罗林; 孟煦; 刁盛锡; 林福江 刊期:2016年第06期

    提出了一种应用于10Gb/s高速串并接口电路(Serdes)的高性能锁相环。采用正交压控振荡器(QVCO)实现4路等相位间隔的5GHz时钟,输出采用2分频单转差缓冲器,实现可忽略相差的8路等相位间隔的2.5GHz时钟。电荷泵中采用负反馈技术,以提高电流匹配性能。在SMIC 40nm工艺下完成设计,在1.1V的供电电压下,锁相环的总电流为7.6mA,输出5GHz时钟在10kHz~100 M...

  • 一种自适应带宽低抖动PLL设计

    作者:陈啟宏; 杨淼; 秦昌兵; 张白雪; 任建雄; 洪乙又 刊期:2016年第06期

    设计了一种宽调节范围自适应带宽的低抖动锁相环倍频器(PLL)。通过采用自偏置技术,使得电荷泵电流和运算放大器的输出阻抗随工作频率成比例变化,从而使阻尼因子保持固定、环路带宽跟随输入参考频率自动调整,以及PLL在整个输出频率范围内保持最佳的抖动性能。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,后仿真验证表明,该PLL电路能够在0.35~2.1GHz的...

  • 一种基于FPGA进位链的时间数字转换器

    作者:王巍; 周浩; 熊拼搏; 李双巧; 杨皓; 杨正琳; 袁军 刊期:2016年第06期

    提出了一种基于Xilinx Virtex-5FPGA的时间数字转换器。利用Virtex-5中专用进位链CARRY4构造的延迟链,对时钟周期进行内插以得到更高精度的测量。此外,运用布局布线约束来减少延迟链的不一致性,降低了微分非线性(DNL)以及积分非线性(INL)。仿真结果表明,最低有效位(LSB)为52.22ps,精度(RMS)约为25ps,INL为0~0.9LSB,DNL为-0.03~0.1LSB。

  • 一种新型电容阵列结构线性宽带VCO

    作者:徐雷钧; 王超然; 白雪 刊期:2016年第06期

    针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加的方式叠加在MOS电容的控制电压上,进行精细调谐。电阻阵列控制不同数字控制信号下的调谐增益KVCO,与电流源阵列...

  • 不稳定因子对射频振荡器性能影响的研究

    作者:王敏敏; 黄玉兰; 夏璞 刊期:2016年第06期

    为解决射频振荡器低复杂度的问题,减少集总变容器件的使用,研究了不稳定因子对射频振荡器性能的影响,提出了一种新型低复杂度射频振荡器的设计方法,通过调整不稳定因子,实现频率可调。分析了反馈电感与不稳定区位置的相互关系,给出了不稳定区域匹配点选择、终端网络阻抗与振荡器性能的变化规律。仿真结果表明:当终端网络电抗变化范围为-36~36Ω时...