杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：何苏勤 白天石 刊期：2011年第04期
使用ADS软件,对射频电路设计方案进行仿真和优化。通过计算,得到5阶切比雪夫滤波器的LC参数值。将发射机和接收机的阻抗特性导入ADS软件进行阻抗匹配计算,分析得到阻抗匹配电路,提高了发射机的信噪比和接收机的灵敏度。
作者：张伟 刘盛富 张书霖 陈磊 赖宗声 刊期：2011年第04期
设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。
作者：范军 蒋见花 李海龙 刊期：2011年第04期
采用TSMC 0.18μm混合信号1P6M CMOS工艺,实现了一种适用于传感器信号检测的低失真低功耗Σ-Δ模数转换器（ADC）。该ADC的调制器采用前馈结构和128倍过采样率,实现了12.8 MHz的数据流输出;数字滤波器通带纹波限定在±0.001 dB,阻-带80 dB的有效衰减。ADC工作于1.8 V电源电压,整体功耗为3.6 mW（2 mA）,版图尺寸为1.9 mm×1.45 mm。后仿真结果显示,该...
作者：常昌远 郑烁锐 王青 刊期：2011年第04期
设计了一种新颖的外部同步信号控制PWM/LDO双模系统,用来提高系统在轻载下的性能。介绍了整个系统的整体框架和功能,并对切换电路进行了详细的分析与设计。在此基础上,基于华润上华0.5μm CMOS工艺,使用Cadence对整体电路进行仿真验证。结果表明,系统输入电压Vin的范围为3.6~6 V,输出电压VO为3.3 V,PWM信号工作频率为1.2 MHz,PWM模式下纹波小于30...
作者：彭彦豪 张为 刘洋 刊期：2011年第04期
设计了一种适用于多带VCO锁相环频率合成器的自动选带结构。使用迟滞比较器对VCO控制电压进行电平信息采集,并将信息输入到控制电路。控制电路根据接收到的电平信息完成状态跳变,并输出相应的选带开关控制电平,完成自动选带。基于Chartered公司0.18μm RF CMOS工艺完成电路设计,并应用于锁相环小数频率合成器。仿真结果表明,自动选带电路可正常工...
作者：黄晓宗 黄文刚 刘伦才 何峥嵘 王成鹤 陈力颖 刊期：2011年第04期
通过理论分析和流片测试,研究了一种四通道低失调、高速宽带通用运算放大器。输入级采用发射极反馈电阻和展宽频带电容,提高稳定性和转换速率。详细分析了减小输入失调电压和失调电流的补偿电路以及全NPN输出级。电路采用标准双极工艺制造,四通道芯片总面积为3.68 mm×2.29 mm,采用双列直插封装。测试结果为：GBW≥6 MHz、SR≥9 V/μs,全温失调电...
作者：刘盛富 张伟 张书霖 陈磊 冉峰 赖宗声 刊期：2011年第04期
基于宏力半导体公司0.18μm SiGe HBT工艺,提出了一种应用于UHF（860~960MHz）RFID频段的增益可控驱动放大器（DA）。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基（Cascode）结构,其中,增益控制由三对结构相同的共射电路通过外加偏压实现,增益可控的步长为3 dB。仿真结果显示,在1.8 V电源电压下、910 MHz频段处,增益（S21）分别达到17 dB、20 dB和23...
作者：邢立冬 蒋林 刊期：2011年第04期
针对数模混合结构的电荷泵锁相环电路,建立了系统的数学模型,确定了电荷泵锁相环的系统参数,提出一种能够有效消除时钟馈通、电荷注入等非理想特性影响,并具有良好电流匹配特性的电荷泵电路,以及一种中心频率可调的压控振荡器电路。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,使用Spectre进行仿真。结果显示,整个锁相环系统的功耗约为40 mW,输出时钟信号...
作者：赵秋明 张云佐 刊期：2011年第04期
针对多用户型软件无线电（SDR）的发展需求,基于FPGA,采用新型时钟提取方案,设计实现了自适应数字复分接芯片的板级验证平台,详细阐述了平台的软、硬件设计及自适应实现过程,给出了平台的各项测试指标。测试结果表明,该平台可满足数字复分接芯片的验证需求。
作者：尹华 陈璞 刊期：2011年第04期
通过分析电容器的寄生效应和频率特性,研究电容器等效串联电阻对DC/DC变换器电性能和稳定性的影响;明确了多层陶瓷电容器（MLCC）在DC/DC变换器应用中与其他种类电容器的不同之处;并对多层陶瓷电容器的优化设计方法进行探讨,用具体电路说明了优化设计过程。
作者：张彦科 鲍嘉明 刊期：2011年第04期
设计了一种升压型恒流LED驱动芯片,驱动电流可由外接电阻从15~300 mA任意调整,输入电压为2.8~5.5 V,输出电压最高可达38 V。设计固定开关频率为1 MHz,应用时只需很小的外接电感即可。相对于其他驱动器电路,该驱动器增加了过压保护电路,无需外接稳压二极管,降低了应用成本。采用上华0.5μm BCD工艺完成芯片的设计,传输效率高达94%。
作者：郭鑫 龚敏 刘林涛 刊期：2011年第04期
介绍了一种改进的LC压控振荡器。该电路采用电流复用技术维持有源负阻的相对稳定,有效增大了输出摆幅,同时没有尾电流上混频引入的1/f噪声,大大减小了相位噪声。另外,与常规VCO不同,采用开关阶跃电容结构,在一定程度上增大了可变电容的调节范围。采用TSMC 0.18μmRF CMOS 1P6M工艺,仿真得到在1.25 V基准电压下供电时,可有950~1050 MHz的线性调节...
作者：苏杰 张书霖 陈磊 赖宗声 刊期：2011年第04期
基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4-2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和片外电感电容进行匹配。仿真结果表明,电路在2.4~2.5 GHz频率范围内,增益（S21）达到21 dB,输入和输出匹配（S11,S22）分别达-到17 dB和-22 dB,1 dB输出压缩点为16.7 dBm。在...
作者：蒋正萍 巫丛平 李寿强 刊期：2011年第04期
提出了一种集合时分复用高阶数字滤波器、4阶Σ-Δ调制器,以及全对称差分调制输出的数字音频功放芯片,重点阐述了以上电路模块的实现。经测试验证,该芯片的信噪比（SNR）达到100 dB,总谐波失真加噪声（THD＋N）最小达到0.07%,无闲置功耗和死区效应,实现了瓦级功率输出。
作者：宏潇 陈后鹏 宋志棠 刘波 刊期：2011年第04期
基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了驱动对相变存储单元的低频噪声干扰,能够改进相变存储器性能。电路采用40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,功耗为1.2...
