杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
作者：王振禄; 张九娥; 董丽梅 刊期：2017年第07期
随着微电子机械系统（MEMS）消费市场的不断增长,微器件的可靠性问题将是未来数年MEMS研究面临的新挑战。针对国内外近年来在微机械失效方面的主要研究内容,综述了基于MEMS工艺微机械的主要失效形式、失效机理和失效预防措施的最新研究成果和主要研究方法,着重总结了微机械的断裂、疲劳、磨损、黏附和蠕变等失效形式,并分析了这些失效形式对微器...
作者：魏碧华; 蔡道民; 武继斌 刊期：2017年第07期
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管（E-PHEMT）工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模型实现了最优输入输出阻抗匹配;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为2.5 mm×1.1 mm。芯片的在片测试...
作者：贾英茜; 李丽; 李宏军; 高彦彦 刊期：2017年第07期
研制了一种以SiO2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器（FBAR）窄带滤波器。研究了SiO2层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO2层时的温度补偿特性进行了仿真。仿真结果表明,当Mo/Al N/Mo的厚度为0.15,1.35和0.15μm,SiO2层的厚度为10 nm时,FBAR的频率温度系数（TCF）约为3×10^-6）/℃。采用MEMS工艺制备了温度补偿型FB...
作者：王宗成; 黄红云; 赵宇; 付兴昌 刊期：2017年第07期
基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路（MMIC）,在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器（LNA）、差分IQ混频器、本振（LO）驱动放大器、RC-CR多相网络滤波器等电路单元,实现了S波段单片镜频抑制接收机,解决了镜频接收机小型化的问题。电路、电磁场软件仿真以及采用Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺流片后...
作者：韦祚东; 林敏; 陈卓俊 刊期：2017年第07期
基于130 nm CMOS工艺设计了一款特高频（UHF）频段的锁相环型小数分频频率综合器。电感电容式压控振荡器（LC VCO）片外调谐电感总值为2 n H时,其输出频率范围为1.06~1.24 GHz,调节调谐电感拓宽了频率输出范围,并利用开关电容阵列减小了压控振荡器的增益。使用电荷泵补偿电流优化了频率综合器的线性度与带内相位噪声。此外对电荷泵进行适当改进,...
作者：田秀伟; 吕元杰; 宋旭波; 房玉龙; 冯志红 刊期：2017年第07期
采用二次外延重掺杂n^＋GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻。将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）器件制备,器件的有效源漏间距缩小至600 nm。同时,结合40 nm T型栅工艺,制备了高电流截止频率（f_T）和最大振荡频率（f_（max））的InAlN/GaN...
作者：尹顺政; 郝文嘉; 张宇; 于浩; 李庆伟; 赵润; 车相辉 刊期：2017年第07期
基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管（SAGCM APD）器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响。结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs...
作者：陈诗哲; 魏珂; 霍荡荡; 郑英奎; 李培咸; 刘新宇 刊期：2017年第07期
研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/G N高电子迁移率晶体管（HEMT）的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响。利用传输线模型（TLM）对样品的电学性能进行测试,使用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行表征,通过透射电子显微镜（TEM）和X射线能谱仪（EDS）对样品的剖面微结构和界面反应进行表征与分析。实验结果显示,采用Ti/Al/Ni/Au...
作者：陈琳; 王琦楠; 陈丁丁; 陶志阔; 修向前 刊期：2017年第07期
GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注。研究了一种利用氢化物气相外延（HVPE）系统生长高质量的Ga N纳米柱的方法。使用镍作为催化剂,在蓝宝石衬底上生长出了GaN纳米柱。在不同生长时间和不同HCl体积流量下制备了多组样品,使用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）谱对样品进行了分析...
作者：张志勤; 袁肇耿; 薛宏伟 刊期：2017年第07期
8英寸（1英寸=2.54 cm）薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的＂碗状＂分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的＂碗状＂分布,但调整温...
作者：林倩; 蒋维; 陈民海 刊期：2017年第07期
鉴于有限元分析耗时耗资源的缺点,为了加速集成电路的互连可靠性分析,提出将传统的有限元建模和人工神经网络（ANN）建模技术结合来实现IC的建模和仿真分析。采用有限元ANSYS参数化设计语言（APDL）实现IC三维模型的自动构建和原子通量散度（AFD）计算,之后通过对计算所得的可靠性数据进行训练和测试,采用神经网络技术对模型的输入输出关系进行...
作者：刘建松; 姚全斌; 林鹏荣; 曹玉生; 练滨浩 刊期：2017年第07期
为了研究凸点材料对器件疲劳特性的影响,采用非线性有限元分析方法、统一型黏塑性本构方程和Coffin-Manson修正方程,对Sn3.0Ag0.5Cu,Sn63Pb37和Pb90Sn10三种凸点材料倒装焊器件的热疲劳特性进行了系统研究,对三种凸点的疲劳寿命进行了预测,并对Sn3.0Ag0.5Cu和Pb90Sn10两种凸点材料倒装焊器件进行了温度循环试验。结果表明,仿真结果与试验结果基...
作者：潘明翠; 张莉沫; 孟庆超; 张运锋; 高文宽; 张伟 刊期：2017年第07期
研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件。采用光致发光（PL）技术、扫描电子显微镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）对杂质进行了表征与分析。结果显示,形成阴影的夹杂在晶界中存在的形态主要为针状或薄片状,其组成成分主要为C,N和Si元素。而Si_3N_4的出现可...
作者：迟归鹏; 于宗光; 周昱; 雷淑岚 刊期：2017年第07期
提出了一种基于区域分割技术的硬件木马检测方法,通过电路设计和检测相结合的方式,在电路内植入能生成多种测试向量的自测试模块,且不同测试向量可使目标区域电路内部节点在工作时具有高、低翻转率的差异,采用区域独立供电网络设计及门控时钟控制区域分时工作等方法,提高由硬件木马产生的侧信道数据在整体电路侧信道数据中所占的比重,使含有硬件...
