杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：倪亚波 张创 徐世六 刘璐 范誉潇 陈遐迩 刊期：2016年第02期
基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种带二进制校正的10位100 MS/s逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）,主要由自举开关、低噪声动态比较器、电容型数模转换器（C-DAC）、异步SAR逻辑以及数字纠错电路组成。电容型数模转换器采用带2位补偿电容的拆分单调电容转换方案,通过增加2位补偿电容,克服了电容型数模转换器在短时间内建立不稳定和动态比较器失...
作者：王湾 姜汉钧 徐乃昊 李冬梅 王志华 刊期：2016年第02期
实现了一种用于心电信号采集的动态调整工作模式的低功耗24位Δ-ΣADC。采用3阶5位的调制器结构,高速模式下,SNR达到120.4dB,ENOB为19.71位;低速模式下,SNR为108.4dB,ENOB为17.71位。使用一种自适应的QRS波检测模块,ADC可以根据心电波形实时调整工作模式。针对典型心电信号,采用动态调整模式后的数据量可以压缩至非动态调整时的62.5%,平均功耗可以...
作者：范誉潇 王永禄 黄正波 陈遐迩 倪亚波 刊期：2016年第02期
基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器。电路为1.2V电源供电,采用基于单调转换方式的改进型低功耗D/A电容阵列,相比于传统电容阵列,功耗降低了91%。采用一级动态预放大加一级动态锁存器的动态比较器,以降低功耗和提高速度。设计了与电容阵列工作方式相结合的异步逻辑控制电路,以降低外部时钟设计难度,并在控制功耗的...
作者：辛福彬 刘飞 杨元龙 尹韬 杨海钢 刊期：2016年第02期
设计了一种精度可编程的低功耗逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）。采用电阻电容混合结构的数模转换（DAC）阵列,通过对低位电阻阵列的编程控制,实现了12,10,8位的转换精度,对应不同的精度,电路支持1,5,10 MS/s的转换速率。采用一种改进的单调开关控制逻辑以降低功耗和面积,同时避免了原有单调开关逻辑存在信号馈通的缺点。根据不同的精度要求,对...
作者：王巍 莫啸 蔡文琪 胡凤 王明耀 王冠宇 袁军 杨正琳 刊期：2016年第02期
为了高效处理宽带非恒包络信号,利用宽带包络信号功率主要集中在低频部分的特性,结合线性放大器和开关类放大器的优势,设计了一个宽带包络跟踪放大器。该放大器由一个宽带线性级和一个受线性级控制的高效开关级组成。线性级采用折叠式共源共栅放大器结构,具有AB类输出级及输出级缓冲;开关级采用同步降压型DC-DC变换器结构,包含驱动电路及＂防直...
作者：范国亮 李云鹏 张国俊 刊期：2016年第02期
针对传统A类两级运算放大器摆率受限的情况,提出了一种新型的AB类两级CMOS运算放大器。仅通过增加一个电阻和电容,就实现了传统A类运算放大器向AB类运算放大器的转变,以及对输出级静态电流的精确控制,极大地改善了摆率,并且不会增加额外的功耗。新的频率补偿方法在保证系统稳定的同时大大增加了单位增益带宽,同时避免了传统补偿所带来的缺点。仿...
作者：崔伟 刘自成 陈志铭 刊期：2016年第02期
对低噪声放大器线性度提高的方法进行分析。基于导数交叠法,使两个晶体管偏置在不同区域,并利用这两个晶体管源端产生的相位差,抵消了3阶项电流。采用TSMC 90nm CMOS工艺,实现了一款L频段高线性度全差分低噪声放大器,测试得到输出3阶交调点达30.6dBm,增益为14.54dB,噪声系数为1.63dB,功耗为45mA@3.3V。
作者：朱煜 贾非 刁盛锡 林福江 刊期：2016年第02期
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN的高线性度CMOS AB类功率放大器。电路采用两级结构和片外匹配网络。为了实现高线性度,采用电容补偿技术,并选择合适的偏置点以减小gm的3次非线性,在绑线和PCB走线时,利用HFSS进行了精确的建模。该功率放大器供电电压为1.8V和3.3V,后仿结果显示,在2.45GHz处的输出1dB压缩点P1dB为25.3dBm,功率附加...
作者：郑耀华 林俊明 陈思弟 章国豪 刊期：2016年第02期
介绍了一种简单的具有谐波调谐功能的输出匹配网络,可实现2次谐波短路和3次谐波开路。利用该输出匹配网络,基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一个工作于2GHz的高效率F类功率放大器,并通过搭载基板实现小型化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为35dB,1dB压缩点为34dBm,饱和输出功率为35.3dBm,效率为57%,并具有较好的谐波抑制性...
作者：庞佑兵 庞殊杨 杨帆 陈永任 杨超 陈印 刊期：2016年第02期
介绍了传统真对数放大器的两种实现方式：双增益真对数放大器、并联求和真对数放大器。对这两种真对数放大器的不足进行了分析,并提出了一种基于连续检波式对数放大器、限幅放大器和乘法器的新型真对数放大器实现方法。测试结果表明,该新型真对数放大器的动态范围达88dB（±1dB误差）/76dB（±0.5dB误差）,整个电路功耗为0.25 W。
作者：杨令 代国定 修文梁 陈飞 刊期：2016年第02期
针对DC/DC降压型变换器中N型功率管驱动能力不足的问题,提出了一种集成反馈环路的自举升压驱动电路。采用负反馈调节,实现了驱动电压的精准控制,同时通过片内集成的高压PMOS管代替传统架构的二极管,保证了足够的电流驱动能力。此外,对环路传输函数进行分析,负反馈环路的稳定性得以验证。采用该电路的一款电流模DC/DC降压型变换器已在0.35μm BCD...
作者：杨燕 赵健雄 陈祝 刊期：2016年第02期
设计了一种最大输出电流为3 A的LDO电路。通过优化误差放大器,并采用两个NMOS管作为调整管,增强了电路上拉和下拉负载电流的能力。采用20μF的陶瓷电容,保证电路具有足够快的负载瞬态响应,在空载时,电路仅消耗80μA的负载电流。该芯片能够驱动高达3A的负载电流,极大地提高了LDO的带载能力,并保持了良好的系统稳定性,具有快速的瞬态响应和较小的输...
作者：梁绪亮 许高斌 解光军 程心 易茂祥 刊期：2016年第02期
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款输入电压为1.8V、输出电压为1.6V的低功耗无片外电容低压差线性稳压器（LDO）,其静态电流仅为5μA。该电路采用一种新型摆率增强电路,通过检测输出电压的变化实现对功率管的瞬态调节。片内采用密勒补偿使主次极点分离,整个系统在负载范围内具有良好的稳定性。仿真结果显示,该LDO在负载电流以99mA/1μs跳变时,...
作者：周朝阳 冯全源 刊期：2016年第02期
设计了一款适用于高压电源芯片的无片外电容快速瞬态响应型自启动低压差线性稳压器（LDO）。该LDO与芯片内部基准电路形成自供电自偏置环路,节省了芯片面积,适用电压范围为3.6~16.0V,输出电压为5.10V,具有功耗低、带宽宽等特点。电路采用Hspice进行仿真验证,在典型工艺角下,负载电流经100mA/μs突变时,输出电压突变量最大为98mV;在两种极端工艺角...
作者：张琪 胡佳俊 陈后鹏 李喜 王倩 范茜 金荣 宋志棠 刊期：2016年第02期
为满足SoC系统负载快速变化的要求,提出了一种新型摆率增强型片上LDO系统。通过增加有效的内部检测电路,使LDO的功率管栅极电压可以快速地响应输出负载跳变,提高电路响应速度。采用中芯国际40nm CMOS工艺模型,对电路进行仿真。仿真结果表明,当LDO的负载电流以100mA/μs跳变时,电路的最大上冲电压为110mV,下冲电压为230mV,恢复时间分别为1.45μs和1...
