摘要：描述了一种应用于TD-LTE的38.4 MHz数控晶体振荡器（DCXO）。该电路采用一种具有快慢两种工作模式的电容阵列。这种电容阵列在不同的调节模式下应用不同容值的电容单元,可以将频率更快地调节到正确的位置,并且芯片面积更小。设计的数控晶体振荡器采用TSMC 0.13μm BiCMOS工艺实现。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社