中国集成电路

中国集成电路杂志 部级期刊

China Integrated Circuit

杂志简介:《中国集成电路》杂志经新闻出版总署批准,自1994年创刊,国内刊号为11-5209/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:产业发展、设计、系统、工艺、封装、企业与产品

主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
主办单位:中国半导体行业协会
国际刊号:1681-5289
国内刊号:11-5209/TN
全年订价:¥ 460.00
创刊时间:1994
所属类别:电子类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.23
复合影响因子:0.17
总发文量:2329
总被引量:2128
H指数:12
立即指数:0.0119
期刊他引率:0.9608
平均引文率:3.3393
  • 业界要闻

    刊期:2016年第01期

    国内新闻中芯国际在上海成立跨国公司地区总部 中芯国际日前宣布出资成立中芯国际控股有限公司(中芯控股),获上海市政府认定为跨国公司地区总部,将承担中芯国际大陆地区总部管理职能。中芯控股于近日与张江集电达成协议,将购买位于浦东新区张东路的"张东商务中心1号楼"作为总部办公大楼。

  • 苦练内功,开放合作,不断进步

    作者:魏少军 刊期:2016年第01期

    热烈欢迎大家出席本次年会。本次年会在天津召开具有不同寻常的重要意义。由于众所周知的原因,今年的年会时间推迟了2个月,举办地也从滨海新区会展中心改到现在的梅江会展中心,其中有很多的曲折和困难。本次年会能够最终得以召开,首先是滨海新区政府和天津市相关部门的大力支持,他们做了大量认真细致的组织协调工作;其次是广大企业的理解和支持...

  • 台积电南京12英寸晶圆厂2018年投产

    刊期:2016年第01期

    台积电近日宣布,已向投审会递件申请赴大陆设立12英寸晶圆厂与设计服务中心,设立地点为江苏省南京市,此座晶圆厂规划的月产能为2万片12英寸晶圆,预计2018年下半年开始16nm工艺生产。同时,台积电也决定在当地设立设计服务中心,以建立台积电在大陆的生态系统。上述投资计划将于投审会核准后执行。

  • 中国集成电路设计业2015年会在天津召开

    刊期:2016年第01期

    自"ICCAD联谊会1996年会"创办以来,中国集成电路设计业曾先后在北京、上海、深圳、杭州、成都、武汉、西安、珠海、大连、无锡、重庆、合肥、香港举办了年会,2015年12月11-12日,由中国半导体行业协会、天津市科学技术委员会和"核高基"国家科技重大专项总体专家组共同主办的"中国集成电路设计业2015年会暨天津集成电路产业创新发展高峰论坛...

  • 汉天下推出全系列LTE高隔离度、低插损SOI射频开关

    刊期:2016年第01期

    近日,汉天下电子宣布推出HS87系列LTE射频天线开关,该系列开关均采用先进的SOI(绝缘衬底上的硅,Silicon-On-Insulator)工艺,具有低插损、高隔离度、高功率等优点。该系列开关品种齐全、性能优异、射频方案配置灵活,产品线涵盖3G/4G单刀多掷开关,支持3G/4G单刀三/四/五/六/八掷分集接收开关,与汉天下的3G/4G射频前端模块组成支持多模多频的射频...

  • 晶圆级封装技术的发展

    作者:戴锦文 刊期:2016年第01期

    晶圆级封装(wafer level package,WLP)具有在尺寸小、电性能优良、散热好、性价比高等方面的优势,近年来发展迅速。本文概述了WLP封装近几年的发展情况,介绍了它的工艺流程,得以发展的优势,并说明了在发展的同时,存在着一些标准化、成本、可靠性等问题,最后总结了WLP技术的发展趋势及前景。

  • 25亿CMOS图像传感器芯片项目开创南京新产业板块

    刊期:2016年第01期

    德科码"CMOS图像传感器芯片(CIS)产业园"项目近日正式落户南京开发区。该项目总投资约25亿美元,建成后将填补中国CIS产业的空白,主导中国的CIS市场。

  • 艾森:打造中国内资高端电子化学品第一品牌——访昆山艾森半导体材料有限公司董事长张兵先生

    作者:程红梅 刊期:2016年第01期

    我国现已成为世界最大的电子化学品消费国,按照目前国内外经济形势和综合国内电子化学品下游行业的发展需求判断,至2020年,国内电子化学品行业市场规模将达到4000亿元以上,实现平均14%左右的行业增速。分类行业规模将分别达到:IC用化学品为587亿元,FDP用化学品为220亿元,PCB用化学品为350亿元,NEB用化学品为2800亿元,其他电子化学品约为100亿元...

  • 有效的SRAM单元失效概率分析

    作者:陈宏铭 蔡旭回 刊期:2016年第01期

    由于集成电路的特征尺寸持续缩小,在先进技术节点的制造过程中引入的变异,需要进行很好的评估,以涵盖在电路设计期间的预期设计规范。传统的蒙特卡洛分析方法对高西格玛设计有一定的局限性。在本文中,我们采用了与传统的蒙特卡洛分析相比更有效的方法,那就是利用重要性抽样技术实现超过100000倍的加速。此外,可以利用分区的随机仿真矢量,然后使...

  • 精确测量电源轨的四个技巧

    刊期:2016年第01期

    在当前的电子设计领域,电源分布网络(PDN)已经成为一个技术重点。形成这一趋势的背后有哪些推动因素?首先是电源轨的电压在不断降低,而且容限越来越严苛。原来的电源轨电压为5 V,容限为5%,而现在降低到了1.2 V甚至更低,容限仅为1%(±0.5%)。这意味着用户需要分析幅度仅为几毫伏的信号(1.2V × 0.5%=6m V)。

  • DIF-2FFT算法的矩阵形式的DLP计算模式

    作者:刘有耀 周静 刊期:2016年第01期

    快速傅里叶变换(FFT)是减少离散傅里叶变换(DFT)计算时间的算法。而在无线/移动通信系统中无线通信算法和多媒体应用处理算法中存在大量的矩阵或向量运算,均可以由DLP计算实现。本文研究的FFT算法就存在大量的矩阵运算,通过对FFT矩阵算法的分析,本文提出了在DLP计算模式下通过阵列计算机来实现FFT的快速算法,在MATLAB仿真平台上进行了传统算...

  • ESD二极管用于电压箝位

    作者:Paul Blanchard Brian Pelletier 刊期:2016年第01期

    当放大器发生外部过压状况时,ESD二极管是放大器与过电应力之间的最后防线。正确理解ESD单元在一个器件中的实现方式,设计人员就能通过适当的电路设计显著扩展放大器的应用范围。本文旨在向读者介绍各种类型的ESD实现方案,讨论每种方案的特点,并就如何利用这些单元来提高设计鲁棒性提供指南。

  • 考虑物理布局布线约束的快速时序收敛

    作者:刘毅 刊期:2016年第01期

    本文提供了一种准确高效的多角多模的快速时序收敛ECO解决方案,可以支持复杂So C集成电路层次化设计和多电压域设计。在时序优化过程中不但考虑了物理布局因素约束,还综合考虑了物理布线带来的影响,可以满足20nm先进工艺条件下的设计规则。不但保证了时延计算精度,而且与物理实现PR工具和静态时序分析STA工具保持着很好的一致性。它具有先进的优...

  • 车用大功率IGBT模块死区时间测试与研究

    作者:许璐璐 刊期:2016年第01期

    在车用三相逆变器模块应用中,为防止同一相的上下臂IGBT同时导通,对死区时间的影响因素进行实验分析。对此,本文以车用代表性IGBT模块——英飞凌Hybrid PACKTM2 650V/800A模块——为例,通过双脉冲实验台架,以单一变量法分别测试了不同母线电压、通态电流、温度以及门极电阻下的死区时间。实验结果表明:死区时间与电流近似呈指数和双曲线复合关...

  • 基于Robei的SPI接口设计

    作者:吴国盛 郑显通 刊期:2016年第01期

    首先这里介绍一款新的EDA设计软件Robei。Robei支持以Verilog为基础的数字电路及FPGA设计,它将图形化的设计界面和代码设计界面结合在一起,融合了图形界面的直观性和代码设计的灵活性。与此同时,在设计生成的Verilog文件中,Robei软件可以自动为用户生成包括模块定义、输入输出定义、数据类型定义部分的代码,无需用户手动输入。之后使用Robei软件...