摘要:氮化物半导体材料,也称为氮化镓(GaN)基材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAS)之后的第3代半导体材料,包含了GaN、氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)及它们的合金(禁带宽度范围为0.7~6.2eV),是直接带隙半导体,
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