人工晶体学报

人工晶体学报杂志 北大期刊 统计源期刊

Journal of Synthetic Crystals

杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

主管单位:中国建筑材料联合会
主办单位:中材人工晶体研究院有限公司
国际刊号:1000-985X
国内刊号:11-2637/O7
全年订价:¥ 1200.00
创刊时间:1972
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.56
复合影响因子:0.52
总发文量:5141
总被引量:17185
H指数:24
引用半衰期:4.4607
期刊他引率:0.6393
平均引文率:15.2566
  • 重新刊发闵乃本院士《实际晶体的生长机制》一文序

    作者:王继扬 刊期:2019年第09期

    2018年9月16日,我国著名物理学家、材料学家闵乃本先生永远离开了我们。闵先生长期从事晶体物理科研和教学工作,为我国凝聚态物理学和材料科学的发展作出了杰出贡献。本刊作为我国人工晶体领域唯一的专业性学术期刊,得到闵先生的大力推崇和支持,有幸成为闵先生很多理论研究成果的传播载体,刊发了包括《晶体生长过程中的形态稳定性》(人工晶体,19...

  • 实际晶体的生长机制

    作者:闵乃本 刊期:2019年第09期

    实际晶体中的缺陷在生长过程中将减小乃至完全消除表面二维成核的势垒,成为永不消失的台阶源,对晶体生长动力学有重要影响。本文将总结本实验室在该领域中所完成的系统研究,从晶体缺陷所引起的结构变化和缺陷在表面露头处的原子组态出发,系统地讨论晶体生长的位错机制、层错机制、孪晶机制以及重入角生长和粗糙面生长的协同机制。

  • 《晶体生长的物理基础》再版发行 序

    作者:祝世宁 刊期:2019年第09期

    《晶体生长的物理基础》是闵乃本先生在自己平时讲义基础上逐步完善系统整理而成,是闵先生对晶体生长的理解和研究成果的系统总结,该书首次出版于1982年,是国际上第一本全面论述晶体生长的理论专著,作为高等学校研究生教材或教学参考书,以及从事晶体生长工作的科技人员的进修读物,培养了一代又一代中国材料物理和晶体生长工作者。然而,由于《晶...

  • 吴以成院士在《晶体生长的物理基础》再版发行仪式上的发言

    刊期:2019年第09期

    尊敬的葛传珍老师,各位领导和嘉宾,下午好!在闵乃本先生逝世一周年之际,南京大学隆重举行闵乃本先生专著《晶体生长的物理基础》再版发行仪式。该书再版既是对为我国人工晶体事业发展做出重大贡献的闵乃本先生的纪念与追思,也是对闵先生学术思想与学术体系的宣传,这对推动人工晶体从基础研究到产业高质量发展,解决国家重大需求具有深远意义。

  • 彭珍珍执行主编在《晶体生长的物理基础》再版发行仪式上的发言

    刊期:2019年第09期

    尊敬的葛传珍老师,各位领导和嘉宾,下午好!今天南京大学隆重举行闵乃本先生专著《晶体生长的物理基础》再版发行仪式,我受邀参加,心情很激动,这里请允许我代表《人工晶体学报》做个发言。《人工晶体学报》创刊于1972年,作为行业内唯一的专业性学术期刊,得到了众多老一辈科学家的关心。

  • 氮化镓单晶生长研究进展

    作者:任国强; 王建峰; 刘宗亮; 蔡德敏; 苏旭军; 徐科 刊期:2019年第09期

    氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为...

  • GaN体单晶的氨热生长及应力调控

    作者:燕子翔; 李腾坤; 苏旭军; 高晓冬; 任国强; 徐科 刊期:2019年第09期

    采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量GaN晶体的E2(high)声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,(002)和(102)的X射线摇摆曲线FWHM分别为48 arcsec和54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过工艺优化后的晶体应力显著降低,应...

  • 物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析

    作者:贺广东; 王琦琨; 雷丹; 龚建超; 黄嘉丽; 付丹扬; 吴亮 刊期:2019年第09期

    本文采用物理气相传输法(PVT)及同质外延工艺,在自发生长的6 mm×7 mm AlN籽晶片上,通过4次迭代,成功生长出高质量1英寸AlN单晶锭。将生长出的单晶锭经过切片、研磨和抛光工艺加工成1英寸低表面粗糙度的单晶片,并采用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射仪、分光光度计对籽晶片与外延晶片进行结晶质量、位错密度以及紫外透光率等性能...

  • GGA+U法研究稀土(La、Ce、Pr、Nd)掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响

    作者:雷博程; 刘桂安; 王少霞; 赵旭才; 毛著鹏; 夏桐; 黄以能; 张丽丽 刊期:2019年第09期

    基于GGA+U的第一性原理方法,分析了La、Ce、Pr、Nd四种元素掺杂的ZnO结构,对晶体的结构、电子结构和光学性质进行了对比分析。由键布局分析可知,掺杂体系Zn-O键共价性的强弱与杂质掺入原子的序数成正比。掺杂后体系的类型仍为直接跃迁,能级整体下移;随着Pr、Nd掺入,出现了杂质能级,这是由稀土元素的4f电子态所导致。在光学性质方面,掺杂体系的吸...

  • 系列铌酸锂晶体在电光调Q激光系统中的激光损伤性能研究

    作者:李清连; 孙军; 吴婧; 张玲; 许京军 刊期:2019年第09期

    搭建了一套1064 nm波段的电光调Q激光系统,并对其能量、脉宽、光斑质量等进行了表征。在该激光系统环境中分别测试了扩散法制备的掺杂1mol%氧化镁的近化学计量比铌酸锂(Mg1SLN)晶体、名义纯同成分铌酸锂晶体(CLN)及掺杂5mol%MgO的铌酸锂(Mg5LN)晶体的激光损伤性能。结果表明,在该调Q激光工作环境下,当波长1064 nm;脉宽为9.8 ns、频率为1 Hz时,Mg...

  • 氧等离子体对以石墨为碳源合成的CVD金刚石颗粒的影响

    作者:姚凯丽; 代兵; 谭小俊; 杨磊; 刘康; 舒国阳; 韩杰才; 朱嘉琦 刊期:2019年第09期

    采用一种新型的金刚石颗粒制备方法,利用微波辅助化学气相沉积技术,向反应室内通入氢气,以固态石墨片同时作为碳源和衬底沉积金刚石颗粒。利用该方法合成的金刚石颗粒具有微米级尺寸,可用作研磨剂、抛光剂、形核剂等。但是合成的金刚石颗粒中仍含有少量的非晶碳,且合成颗粒的尺寸均匀性有待提高。为解决以上问题,本文中在反应不同阶段(初期、中...

  • CH4N2S掺杂金刚石的高压合成及其色心研究

    作者:廖江河; 李勇; 谭德斌; 佘彦超; 王应; 邓韬 刊期:2019年第09期

    压力、温度分别为6.5 GPa、1300~1350℃的实验条件下,在FeNi-C体系中添加硫脲(CH4N2S),利用温度梯度法成功合成了掺杂CH4N2S的金刚石。光致发光(PL)光谱测试结果表明:所合成的金刚石晶体中均有尖锐的Raman峰存在,且该峰位于522 nm处;当合成体系中CH4N2S的添加量为1 mg时,所对应的晶体中未发现有NV色心存在,但在以晶种(100)面生长的金刚石晶体中...

  • 类铁基超导材料BaMn2Bi2电输运性质的各向异性

    作者:张慧亭; 傅瑜; 张萍; 何俊宝 刊期:2019年第09期

    层状过渡金属化合物BaMn2Bi2与“122”型铁基超导材料BaFe2As2具有十分相似的特征,不仅具有相同的四方ThCr2Si2晶体结构,而且都是反铁磁基态。我们采用助溶剂法制备了BaMn2Bi2的高质量大尺寸单晶样品,通过X射线衍射、能谱分析系统、综合物性测量系统表征了该单晶样品的晶体结构、化学成分和电输运性质,并对其电输运性质的各向异性进行了系统的研...

  • 钴有机膦酸配合物的合成、晶体结构及吸附性能

    作者:徐艳; 王红侠; 李新星; 李金涛; 刘智骁; 李杰 刊期:2019年第09期

    采用水热法合成得到一个具有三维孔道结构的钴有机膦酸配合物[Co2(4-pna)(OH)(4,4′-bpy)]?5H2O(1)(4-pnaH3=4-甲酸-1-萘膦酸,4,4′-bpy=4,4′-联吡啶)。配合物1的组成和结构通过单晶X-ray衍射、元素分析、红外光谱、热重等方法进行了表征。单晶X-ray衍射研究表明,配合物1结晶于正交晶系,Pbcn空间群,每一个不对称单元包含两个独立的Co^II离子、...

  • 高发光效率CdTe@SiO2量子点的制备

    作者:刘元凤; 方怀防; 察冬梅; 吴斯洋; 黄涛 刊期:2019年第09期

    SiO2包覆CdTe量子点过程中通常导致荧光效率大幅降低,严重影响后续分析应用的灵敏度。为制备高发光效率的CdTe@SiO2量子点,基于吐温80/环已烷/1-已醇/CdTe量子点反相微乳液体系,考察了TEOS和氨水的用量、反应时间及助表面活性剂种类对制备CdTe@SiO2的影响。利用透射电子显微镜、分子荧光光谱仪以及紫外可见分光光谱仪对制备的CdTe@SiO2形貌和性...