人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

主管单位:中国建筑材料联合会
主办单位:中材人工晶体研究院有限公司
国际刊号:1000-985X
国内刊号:11-2637/O7
全年订价:¥ 1200.00
创刊时间:1972
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.56
复合影响因子:0.52
总发文量:5141
总被引量:17185
H指数:24
引用半衰期:4.4607
期刊他引率:0.6393
平均引文率:15.2566
  • 新型非线性光学晶体设计及预测研究进展

    作者:杨志华; 潘世烈 刊期:2019年第07期

    非线性光学晶体材料作为激光技术及光电子技术核心材料之一,在激光存储、激光通信、激光制导、激光惯性约束核聚变等领域具有重要的应用。随着计算机技术快速发展,材料设计和预测日益成为“自上而下”靶向性新材料研发的一种辅助手段。本文介绍了我们团队近年来在无机非线性光学晶体材料中,关于倍频效应和双折射率的分析方法、材料设计以及结构...

  • 层状二硫化钼纳米材料的研究进展

    作者:樊子冉; 孔洋洋; 李宇豪; 李志; 贾婷婷 刊期:2019年第07期

    二硫化钼由于具有合适的层间间距、间隙可调、较高的机械强度、比较稳定的化学性质等,引起了国内外科研人员的高度重视,成为下一代光电子器件的理想材料。它被广泛应用于各种领域,如太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管、传感器、存储器等。本文综述了二硫化钼的最新进展,主要包括二硫化钼的晶体结构、能带结构和光学性质,介绍了二硫化钼的制...

  • Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展

    作者:杨帆; 王美琪; 关卫省 刊期:2019年第07期

    随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台。综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材料的典型制备方法、目前的应用现状,并对存在的问题加以总结。

  • 低成本无机陶瓷膜制备研究进展

    作者:闫笑; 同帜; 王佳悦; 张帅; 刘婷; 周广瑞 刊期:2019年第07期

    无机陶瓷膜是MBR污水处理技术的关键,与有机膜相比,无机膜具有化学稳定性好,耐酸碱、耐有机溶剂,孔径分布窄,分离效率高且易控制,热稳定性强等优点。本文介绍了无机陶瓷膜制备过程的工艺流程且分析了成本构成要素,主要从陶瓷膜制备过程中原料成分、制备方法、影响降低成本的因素、烧结温度的控制过程等方面分析降低成本的方法,通过建立一套低成...

  • 导模法(EFG)生长大尺寸厚壁管状蓝宝石单晶

    作者:罗平; 王庆国; 董建树; 王东海; 吴锋; 唐慧丽; 徐军 刊期:2019年第07期

    采用自行设计的导模法蓝宝石长晶装备,通过优化模具设计和长晶工艺,成功生长了内/外径分别为31/58mm和50/65mm,长度超过300mm的大尺寸厚壁蓝宝石单晶圆管,无开裂多晶,无肉眼可见气泡,晶体质量优良。

  • 提拉法生长直径8inchYb∶YAG激光晶体

    作者:杨国利; 韩剑锋; 李兴旺; 王永国; 毕海; 杨宇; 王肖戬; 徐学珍 刊期:2019年第07期

    设计制造了适于生长直径8inchYb∶YAG激光晶体的生长系统和热场,采用感应加热提拉法成功生长出了直径8英寸Yb∶YAG激光晶体,晶体等径部分最小直径202mm,等径长超过215mm,总重63.7kg,晶体外形完整,内部无气泡、包裹物、开裂等宏观缺陷,5mW绿光激光照射下,未见散射颗粒。

  • 白光LED用Phosphor-on-Glass(PoG)材料的制备与表征

    作者:徐曼; 唐高; 史宏声; 秦来顺; 魏钦华; 林慧兴; 曹顿华 刊期:2019年第07期

    采用商业Ce^3+∶YAG荧光粉包埋钇铝硅酸盐玻璃并在该体系玻璃转变温度附近进行烧结的方法,成功制备了荧光粉粘附在玻璃表面上的复合材料(Phosphor-on-Glass,PoG)。利用XRD、SEM和荧光光谱仪等研究了PoG材料的物相、显微结构和变温发光性能。研究结果表明:PoG材料结构为荧光粉/玻璃/荧光粉复合体,Ce^3+∶YAG荧光粉粘附在玻璃上下表面且均匀分布,...

  • 局域共振二维声子晶体的低频带隙特性研究

    作者:梁孝东; 缪林昌; 尤佺; 厉超; 方黄磊; 雷利剑 刊期:2019年第07期

    针对低频带隙难以打开的问题,本文提出一种局域共振二维声子晶体结构,采用有限元法计算其能带结构,分析其带隙的形成机理和影响因素,并在此基础上对结构进行优化设计。结果表明:该结构可在200Hz以下的频率范围内打开宽度70.56Hz的完全带隙,起始频率低至39.77Hz。等效刚度k一定的情况下,带隙起始频率由芯体的密度决定,而截止频率主要由基体边框密...

  • CVD-ZnS胞状生长现象对材料结构与性能的影响

    作者:杨海; 魏乃光; 杨德雨; 李红卫; 霍承松; 黎建明; 李冬旭; 杨建纯; 史晶晶; 郭立 刊期:2019年第07期

    采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2.71×10^-5和2.85×10^-5,均方根值分别为6....

  • 近红外发射Lu2O3∶Mn^4+荧光粉的制备及其发光特性

    作者:刘姝婷; 刘春光; 张猛; 杨健; 祝汉成; 刘玉学 刊期:2019年第07期

    采用高温固态烧结方法制备了具有不同Mn^4+离子掺杂浓度的Lu2O3∶x%Mn^4+荧光粉。应用X射线衍射、荧光激发和发射光谱、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和发光动力学测量等手段研究了该荧光粉的微结构和发光特性与掺杂浓度的关系。实验结果表明,Mn^4+离子可掺杂到Lu2O3基质晶格中,在252nm激发下,可观察到位于695nm和712nm的近红外发射峰,其分别...

  • 通过SiO2涂层改善BaSi2O2N2∶Eu^2+荧光粉的热性能

    作者:张云鹏; 陈晓春; 符义兵; 梁超; CHEN; Guan-tong 刊期:2019年第07期

    本文研究了SiO2涂层对BaSi2O2N2∶Eu^2+蓝绿色荧光粉发光性能和热性能的影响。采用溶胶-凝胶法制备了SiO2包覆的BaSi2O2N2∶Eu^2+蓝绿色荧光粉。实验结果表明,最佳镀膜量为6wt%,当镀膜量大于此值时,荧光粉亮度迅速降低。涂覆SiO2后,在150℃下BaSi2O2N2∶Eu^2+荧光粉的热猝灭性能提高了2.4%,在500℃热降解后荧光粉的发光性能提高了15%。SiO2涂层...

  • BaBPO5和(H3O)Zn(H2O)2BP2O8·H2O的低温溶剂热合成及表征

    作者:魏晶; 刘艳; 张仁春; 李岩骅; 纪敏; 安永林 刊期:2019年第07期

    以乙醇为溶剂,在低温条件下合成出了两种手性硼磷酸盐化合物BaBPO5(1)(T=120℃,t=5d)和(H3O)Zn(H2O)2BP2O8·H2O(2)(T=80℃,t=5d)。XRD单晶衍射仪测定了化合物的结构,结果表明:(1)属三方晶系,P3221空间群,a=b=7.1162(3),c=6.9979(6),Z=3,该晶体含有一维线性链状阴离子结构;(2)属六方晶系,P6122空间群,a=b=9.513(2),c=15.906(8),Z=6。该晶体具有三...

  • 915 MHz高功率MPCVD装置制备大面积高品质金刚石膜

    作者:李义锋; 唐伟忠; 姜龙; 葛新岗; 张雅淋; 安晓明; 刘晓晨; 何奇宇; 张平伟; 郭辉; 孙振路 刊期:2019年第07期

    采用自行研制的915MHz/75kW高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置,在输入功率60kW,沉积气压20kPa的条件下制备了直径5英寸的大面积自支撑金刚石膜,并对金刚石膜的厚度,热导率,线膨胀系数,结晶质量,光学透过率等参数进行了表征。实验结果表明,制备的大面积自支撑金刚石厚膜均匀完整,相关性能参数达到较高水平,具有较好质量。热学级金刚石膜...

  • AlN的MOCVD生长中表面吸附的量子化学研究

    作者:牛楠楠; 左然 刊期:2019年第07期

    利用量子化学的密度泛函理论(DFT),对AlN的MOCVD生长中表面反应前体MMAl、DMAlNH2分别在理想、NH2覆盖AlN(0001)-Al面的吸附进行研究。通过分析表面吸附位、吸附能、分波态密度图等,确定可能的稳定吸附结构和吸附倾向。研究发现:在理想和NH2覆盖的AlN(0001)-Al面,MMAl吸附在T4位和H3位,吸附概率相近,MMAl与表面形成3个Al-Als键(理想AlN表面)或3...

  • 硒化镉纳米线在应力作用下的第一性原理研究

    作者:姜豹; 汪礼胜; 曹功辉; 陈凤翔 刊期:2019年第07期

    基于密度泛函理论的第一性原理计算分析了不同横向尺寸的硒化镉(CdSe)纳米线在拉伸和压缩单轴应力作用下的能带结构、载流子(电子和空穴)的有效质量以及迁移率的变化。计算结果表明,CdSe纳米线在施加应变或改变横向尺寸时,均表现为直接带隙半导体。随着压缩应变(0%~-10%)和拉伸应变(2%~10%)的增加,CdSe纳米线的带隙逐渐减小,但横向尺寸小的纳米...