人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

主管单位:中国建筑材料联合会
主办单位:中材人工晶体研究院有限公司
国际刊号:1000-985X
国内刊号:11-2637/O7
全年订价:¥ 1200.00
创刊时间:1972
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.56
复合影响因子:0.52
总发文量:5141
总被引量:17185
H指数:24
引用半衰期:4.4607
期刊他引率:0.6393
平均引文率:15.2566
  • CuSCN空穴传输层工艺对钙钛矿电池性能的影响

    作者:赵善真; 丁毅; 郭升; 石标; 姚鑫; 侯福华; 郑翠翠; 张德坤; 魏长春; 王广才; 赵颖; 张晓丹 刊期:2017年第05期

    采用溶液法制备了硫氰酸亚铜(Cu SCN)薄膜,并将其作为空穴传输层制备了平面n-i-p型钙钛矿太阳电池。系统考察了Cu SCN薄膜退火温度、旋涂转速对钙钛矿太阳电池性能的影响。研究结果表明,Cu SCN薄膜在70℃下退火10 min可以获得较好的电池性能;在此基础上通过调整旋涂转速至2000 r/min,控制Cu SCN薄膜厚度约为240nm,电池性能获得了进一步的提升,...

  • 影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

    作者:郭钰; 彭同华; 刘春俊; 袁文霞; 蔡振立; 张贺; 王波 刊期:2017年第05期

    选用二氧化硅抛光液抛光4H导电Si C晶片表面,探究影响Si C晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,Si C表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果。保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,Si C表面去除速率先增加后保持不变。在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,Si C表面的抛光去除速率进一步增加。通...

  • MOVPE生长GaN薄膜的表面吸附和扩散研究

    作者:唐斌龙; 张红; 左然 刊期:2017年第05期

    利用量子化学计算方法,对MOVPE生长Ga N薄膜的表面反应进行研究。特别针对反应前体Ga CH3(简称MMG)在理想、H覆盖和NH2覆盖Ga N(0001)面的吸附和扩散进行计算分析。通过建立3×3超晶胞模型,优化计算了MMG在三种不同覆盖表面的稳定吸附位、吸附能和电子布居,搜寻了MMG在稳定吸附位之间的扩散能垒。计算结果表明:对于三种表面,MMG的稳定吸附位...

  • 不同表面活性剂对合成介孔氧化镁晶体性质的影响

    作者:杨凯旭; 赵莺; 杨潍嘉; 许争; 曹建新; 刘飞 刊期:2017年第05期

    采用液相法,以Mg(NO3)2·6H2O为镁源,NH3·H2O为沉淀剂,研究了不同表面活性剂对介孔Mg O晶体性质的影响。采用XRD、FT-IR、SEM、BET和CO2-TPD等手段对介孔Mg O晶相组成、骨架结构、微观形貌、孔结构及表面化学性质进行了分析表征。研究结果表明,不同表面活性剂对介孔Mg O晶体物化性质影响较大。以非离子型PEG-2000为表面活性剂制得产品表面碱强...

  • 金刚石单晶高温高压合成中氮对硫的影响

    作者:李勇; 李尚升; 佘彦超; 管学茂 刊期:2017年第05期

    为了研究在金刚石大单晶生长过程中氮对硫的影响,在6.5 GPa高压条件下采用温度梯度法分别研究了两种不同合成体系中金刚石的合成。利用傅里叶显微红外光谱(FTIR)仪对所合成的金刚石进行了测试,测试结果表明:晶体中(a)中不含有氮,晶体中(b)中氮的浓度为280 ppm。此外,对所合成的样品进行了X射线光电子能谱测试,测试结果表明:在Ib型金刚石...

  • 基于有限元方法研究AT切石英晶体谐振器的动态特性

    作者:李辉; 陈向东; 赵静 刊期:2017年第05期

    基于有限元方法研究石英晶体谐振器的谐响应振动特性。通过改变AT切石英晶片尺寸,分析不同尺寸情况下石英晶体各轴向的振动位移分布情况,可了解AT切石英晶体谐振器的厚度剪切振荡模态和寄生振动模态分布情况。仿真结果与实际测试结果对比,证明了采用这种仿真方法有助于石英晶体谐振器的设计。

  • 锰(Ⅱ)与5-[(蒽-9-亚甲基)-氨基]-间苯二甲酸的超分子配位聚合物的合成、表征及性能研究

    作者:曹小聪; 贾春梅; 杨浚艺; 李玉麟; 袁文兵 刊期:2017年第05期

    以桥联配体5-[(蒽-9-亚甲基)-氨基]-间苯二甲酸和Mn(CH3COO)2·4H2O为原料,通过溶剂热法成功合成了一个新型三维超分子结构的配位聚合物{[Mn2(H2O)4(CH3OH)(C2H5OH)(L)2]·(CH3OH)2·H2O}n(H2L=5-[(蒽-9-亚甲基)-氨基]-间苯二甲酸),并通过红外光谱、元素分析、X射线粉末衍射、单晶X射线衍射和热重分析,对配位聚合物的单晶结构进...

  • 4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究

    作者:赵有文; 段满龙; 卢伟; 杨俊; 董志远; 刘刚; 高永亮; 杨凤云; 王风华; 王俊; 刘京明; 谢辉; 王应利; 卢超 刊期:2017年第05期

    采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)In P单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2。对4 inch In P晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法(LEC)相比,VGF-In P单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加。然而...

  • 《人工晶体学报》征稿简则

    刊期:2017年第05期

    《人工晶体学报》创刊于1972年,是由中材人工晶体研究有限公司主办,《人工晶体学报》编辑委员会编辑出版的我国专门刊登人工晶体材料这一高新技术研究领域成果的学术性刊物。

  • SAPO-34/CZA复合晶体相结构性质及催化CO2加氢反应研究

    作者:倪利萍; 郭淑霞; 罗兰; 许争; 曹建新; 刘飞 刊期:2017年第05期

    采用共沉淀包覆法制备了SAPO-34/CZA双功能复合催化剂,研究了复合相比例对催化剂晶体结构性质和CO2加氢制低碳烯烃催化性能的影响。采用XRD、FT-IR、SEM、BET、NH3-TPD和CO2-TPD等手段对不同催化剂的晶相组成、骨架结构、微观形貌、孔结构及表面酸碱性进行了分析表征。研究结果表明,复合相比例对SAPO-34/CZA双功能复合催化剂的结构性质和催化性...

  • KSr2I5∶Eu单晶生长及荧光性能研究

    作者:李明洋; 魏钦华; 秦来顺; 史宏声 刊期:2017年第05期

    用布里奇曼法成功制备出一种新颖的三元系碱金属卤化物闪烁晶体-KSr2I5∶Eu,加工后的晶体尺寸达15 mm×10 mm×10 mm。XRD测试结果与KSr2I5的标准卡片(卡片号为PDF#39-1140)进行比对,结果一致。KSr2I5晶体密度为4.39 g/cm3,差示扫描量热法显示晶体的熔点约为470℃左右。荧光光谱和X射线激发发射光谱测试结果表明KSr2I5∶0.5%Eu晶体只有一个发射...

  • [Gd(BMBCP)(H2O)4][PMo12O40]·2. 75H2O配位聚合物的合成及表征

    作者:李志猛; 胡军; 智霞; 张才灵; 任国建; 王芙香; 潘勤鹤 刊期:2017年第05期

    以-Keggin型多金属氧酸盐[PMo12O40]3-作为模板,采用水热法成功合成一例新型二维Gd(Ⅲ)配位聚合物[Gd(BMBCP)(H2O)4][PMo12O40]·2.75H2O(HNU-13)(H2BMBCP·Cl2=1,4-双(3-羧酸吡啶基-1-亚甲基)苯二氯)。通过单晶X-射线衍射仪确定其结构,并通过X-射线粉末衍射(PXRD),傅里叶红外光谱(IR)和热重分析仪(TG)对其进行表征。结果表明,...

  • CsGeI3空穴传输层平面异质结钙钛矿太阳电池的模拟优化

    作者:杨永勇; 汪礼胜; 许伟康; 张勇; 王嘉绮; 陈凤翔 刊期:2017年第05期

    采用AFORS-HET软件对Cs Ge I3空穴传输层(Hole Transport Material,HTM)平面异质结钙钛矿太阳电池进行了模拟,Ti O2作为电子传输层,CH3NH3Pb I3作为光吸收层,C作为背电极,分别讨论了钙钛矿光吸收层厚度、缺陷浓度,光吸收层/HTM界面态密度和HTM对太阳电池性能参数的影响。模拟优化得到Cs Ge I3HTM的PSCs最佳性能参数为:Voc=1.199 V,Jsc=22.2 m...

  • 低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

    作者:杨俊; 段满龙; 卢伟; 刘刚; 高永亮; 董志远; 王俊; 杨凤云; 王凤华; 刘京明; 谢辉; 王应利; 卢超; 赵有文 刊期:2017年第05期

    采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)Ga Sb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平...

  • 低温烧结制备氧化铝陶瓷膜支撑体

    作者:陈仕俊; 余阳; 林晓亮; 胡鹏飞 刊期:2017年第05期

    采用平均粒径为10.16μm的α-Al2O3粉体为原材料,利用注浆成型技术制备陶瓷膜支撑体。设置正交实验,研究成孔剂、粘结剂、烧结助剂(硅酸钠+Ti O2+Ca CO3+Mg O)含量及保温时间对支撑各性能的影响;在正交实验结论基础上,通过改变烧结温度,于低温条件下制备出性能良好的陶瓷膜支撑体。实验表明:硅酸钠用量、成孔剂用量、粘结剂用量和保温时间最...