人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

主管单位:中国建筑材料联合会
主办单位:中材人工晶体研究院有限公司
国际刊号:1000-985X
国内刊号:11-2637/O7
全年订价:¥ 1200.00
创刊时间:1972
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.56
复合影响因子:0.52
总发文量:5141
总被引量:17185
H指数:24
引用半衰期:4.4607
期刊他引率:0.6393
平均引文率:15.2566
  • 2.7μm激光晶体Yb,Er,Ho∶GSGG的生长与光谱性能研究

    作者:孙敦陆 罗建乔 张庆礼 刘文鹏 谷长江 殷绍唐 刊期:2012年第03期

    用提拉法成功生长出了Yb,Er,Ho∶GSGG晶体,对其光谱性能进行了研究。测量了晶体在320~3000 nm波段内的吸收光谱。用970 nm激光激发,测量了晶体的稳态和瞬态荧光光谱,拟合得到2.7~3μm激光上下能级寿命,用F-L公式计算了晶体的发射截面。与Er∶GSGG和Yb,Er∶GSGG晶体的光谱参数进行了比较,结果表明,Yb,Er,Ho∶GSGG是一种更适合LD泵浦,实现低阈值...

  • Cd4BiO(BO3)3的生长与透过光谱(英文)

    作者:张文林 沈德忠 刊期:2012年第03期

    采用顶部籽晶法生长出了40×10×3 mm3和32×10×2 mm3的非线性光学晶体Cd4BiO(BO3)3。用XRD粉末衍射和热重-差示扫描量热仪确定了该晶体为同成分熔融晶体,熔点为897℃,在990℃以上开始分解。测量了晶体300~6500 nm的室温透过光谱,结果表明Cd4BiO(BO3)3晶体在750~2550 nm的透过率约为80%,紫外截止波长为395 nm。

  • 单质直接气相生长ZnMgSe单晶

    作者:田世俊 李焕勇 刊期:2012年第03期

    采用高纯Zn、Mg、Se2单质为原料,以NH4Cl作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功生长出ZnMgSe单晶。通过XRD、RO-XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了ZnMgSe晶体的结构、成份以及光学特性。结果表明:ZnMgSe单晶具有良好的结晶性能,在400~800 nm范围内透过率达到40%~50%,在2.2~2.6 eV范围内存在与深能级电...

  • PbLa(ZrSnTi)O3弛豫反铁电单晶的畴结构与成畴机制

    作者:杨子 李强 李媛媛 张绍锋 刊期:2012年第03期

    使用助熔剂法生长了PbLa(ZrSnTi)O3弛豫反铁电单晶,使用偏光显微镜对单晶中的畴进行了观察。结果表明,在(001)面上,PbLa(ZrSnTi)O3单晶中存在[110]走向和[110]走向的畴,以及[100]走向和[010]走向的亚畴。对PbLa(ZrSnTi)O3单晶的成畴机制进行了分析,引入微区应力成畴机制解释了单晶中[110]走向和[110]走向的畴结构,而对[100]走向和[010]...

  • 苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破

    刊期:2012年第03期

    随着能效标准不断提高,基于硅(Si)材料的功率器件改进空间越来越小;人们将目光投向新材料领域,以期实现根本改进,从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中,基于氮化镓(GaN)的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点,

  • KDP晶体各向异性对划痕特性影响的实验研究

    作者:王栋 冯平法 张承龙 张建富 刊期:2012年第03期

    对KDP晶体二倍频晶面样品进行金刚石球形压头纳米划痕实验,划痕方向为0°、45°和90°,划痕长度为420μm,恒斜率载荷变化范围为0~150 mN,并利用扫描电子显微镜对划痕形貌进行观察。通过对划痕深度-距离曲线及划痕形貌进行分析,获取各划痕方向脆塑去除比例和脆塑转换位置。实验结果表明:0°、45°和90°方向脆塑转变位置分别为209.0μm、158.5μm和112.6...

  • NaCo2O4晶体的生长,形貌和生长机理研究(英文)

    作者:韩树娟 王继扬 李静 郭永解 王永政 赵兰玲 姚淑华 陈延彬 Boughton R.I. 刊期:2012年第03期

    采用自发成核方法,以NaCl-Na2CO3为助熔剂,生长了毫米级的NaCo2O4晶体。通过X射线衍射对晶体作了表征。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了晶体的形貌和生长机理。结果表明:所得晶体是NaCo2O4,属于六方晶系,晶胞参数:a=b=0.2842 nm,c=1.0894 nm,V=0.0761997 nm3。NaCo2O4晶体是沿c轴层状生长的,同时从阴离子配位多面体的角度分析了晶体的...

  • 冷坩埚法制备α-Al2O3多晶材料的工艺参数研究

    作者:王娇 李红军 弓巧侠 徐晓东 张道标 何雪梅 徐军 刊期:2012年第03期

    采用冷坩埚法制备α-Al2O3多晶料,研究了引燃剂的形态、坩埚下降的速率、加料速率等工艺参数变化对所成形晶碇质量的影响。结果表明:采用的引燃剂为高纯铝片,坩埚下降速率为10 mm/h,采取加料速率为1 kg/min的最佳工艺条件,可制备出高致密度、高纯度的α-Al2O3多晶料。采用排水法测密度,用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-OES)对原料粉和多...

  • L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体(100)面台阶动力学实时研究

    作者:潘翠连 李明伟 程旻 王永宝 邱言锋 刊期:2012年第03期

    利用光学显微镜对L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体(100)面台阶推移进行了实时观察。测量了不同掺杂浓度、过饱和度及生长温度下的台阶平均推移速度。实验结果表明:随掺杂浓度的增加,台阶平均推移速度先增加后减小,在掺杂浓度为2mol%时,台阶平均推移速度最大;而随过饱和度的增加,台阶平均推移速度线性增加。计算了台阶动力学系数与单台阶的活化能,得到...

  • 上转换太阳电池的数值模拟

    作者:周建朋 陈永生 卢景霄 孟晓波 李艳阳 王洪洪 刊期:2012年第03期

    采用细致平衡原理,将太阳,环境作为辐射体,只考虑电池辐射复合,建立了太阳电池的模型。通过模拟,得出单结太阳电池的极限效率为31%,当使用上转换器时,单结电池的极限效率增至47.3%;对于双结电池,当顶电池带隙宽度为1.7 eV,底电池带隙宽度从1.1 eV变化到1.5 eV,模拟的最大效率为39.9%,有上转换器最大时效率提高到了47.4%。

  • Sr掺杂对Ca3Co4O9基材料热电性能的影响

    作者:汪南 漆小玲 曾令可 刊期:2012年第03期

    采用溶胶-凝胶法,结合常压烧结工艺制备了Ca3-xSrxCo4O9(x=0~0.5)热电陶瓷材料,并对材料的热电性能进行了测试。结果表明,Sr掺杂对Ca3Co4O9基材料的热电性能有较大影响。随着掺杂量的增加,电导率逐渐增大,Seebeck系数略有减小。Sr掺杂能显著降低热导率,而且随着掺杂量的增加,热导率的下降幅度逐渐增大。Sr掺杂显著改善Ca3Co4O9材料的热电性能...

  • 均相沉淀法制备γ-La2S3粉体及球形形貌控制研究

    作者:汤庆新 李焕勇 李寒松 刊期:2012年第03期

    以La2O3和尿素为原料,丙三醇为分散剂,采用均相沉淀方法制备镧盐前驱体,并通过H2S硫化得到γ-La2S3粉体。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对镧盐前驱体和γ-La2S3粉末的结构和形貌进行表征。结果表明,当加热温度为95℃,尿素和La2O3的物质的量比为15∶1,V(丙三醇)/V(水)=1∶1,反应时间为3 h时,可制备出高纯、分散性好、球形γ-La2S3纳米粉体。

  • 电化学共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜及表征

    作者:刘晶 章海霞 李龙 马淑芳 梁建 许并社 刊期:2012年第03期

    以含一定比例Ga与As2O3的酸性溶液(pH=2.5)作为前驱溶液,以Pt片为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,室温下利用三电极电化学站在Ti衬底上恒压沉积GaAs薄膜。然后对GaAs薄膜进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM),以及荧光光度计(PL)分别对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构,薄膜形貌以及光学性能进...

  • 单一基质白光荧光粉Sr3Bi1-x(PO4)3∶Dy3+的制备与发光性能研究

    作者:杨志平 韩月 宋延春 赵青 潘飞 周东站 刊期:2012年第03期

    本文采用高温固相法合成了Sr3Bi1-x(PO4)3∶xDy3+荧光粉。XRD图谱表明合成物质为纯相Sr3Bi(PO4)3晶体结构。主激发峰位于323 nm,348 nm,362 nm,385 nm,423 nm,451 nm和471 nm,分别对应Dy3+的6H15/2到4L19/2,6P7/2,6P5/2,4I13/2,4G11/2,4I15/2,4F9/2的跃迁。主发射峰位于482 nm(4F9/2→6H15/2),575 nm(4F9/2→6H13/2),分别对应于黄光和...

  • p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

    作者:朱慧群 李毅 丁瑞钦 王忆 黄洁芳 张锐华 刊期:2012年第03期

    采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴...