人工晶体学报杂志 北大期刊 统计源期刊

KDP晶体（101）面生长动力学研究

作者：刘冰 房昌水 王圣来 牟晓明 刊期：2008年第05期

晶体法向生长速度是晶体生长动力学研究的一个重要参数。用激光偏振干涉法实现了KDP晶体锥面生长速度的实时测量，发现KDP晶体锥面生长过程中存在与柱面类似的死区，对传统降温法生长大尺寸KDP晶体和点籽晶快速生长技术中过饱和度的控制有重要指导意义。用螺旋位错模型讨论了锥面生长的动力学规律。计算了锥面台阶自由能和动力学系数。

单质直接气相生长ZnSe单晶

作者：李文渭 李焕勇 介万奇 刊期：2008年第05期

本文直接以高纯Zn、Se单质为原料，加入少量碘单质作为反应输运剂，用化学气相输运（CVT）的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶。采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光（PL）技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性。结果表明，生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能，成份接近理想的化学计量比，在500—2000nm范围内透过率达到65％～...

运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体

作者：詹琳 苏小平 张峰翊 李金权 刊期：2008年第05期

在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体，很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案，把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源，底部结构类似于热交换法系统。这样改变热场结构，得到凸向熔体的固液界面。

NaF、LiF掺杂钨酸铅晶体的性能研究

作者：叶崇志 向卫东 廖晶莹 刊期：2008年第05期

采用坩埚下降法生长了NaF、LiF掺杂钨酸铅（PbWO4）晶体，研究了掺杂晶体的透射光谱、光产额和X射线激发发射谱等发光性能。结果表明：与未掺杂PbWO4晶体相比，NaF掺杂可以显著提高PbWO4晶体在350Bin附近的透过率，其X射线激发发射谱中出现新的发光峰；而LiF掺杂引起了晶体可见光范围内的强烈吸收，造成PbWO4晶体光产额的显著下降。基于影响PbWO...

钴（II）三元配合物[Co（pht）2（MeOH）2（H2O）2]的合成与晶体结构

作者：胡喜兰 施鹏飞 许兴友 刘海风 王大奇 刊期：2008年第05期

利用溶剂热法合成了一个新的钴（II）配合物[Co（pht）2（MeOH）2（H2O）2]（Hpht：苯妥英，即5，5-二苯基-2，2眯唑烷酮），通过元素分析、红外光谱、热重差热分析、X射线单晶衍射等技术对其结构进行了表征。单晶结构分析表明，该晶体属单斜晶系，P21／C空间群，晶胞参数：a=1．2124（2）nm，b=1．09996（19）nm，c=1．1574（2）nm，β=92．555...

2009年《超硬材料工程》征稿、征订启事

刊期：2008年第05期

超声喷雾法制备In2S3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响

作者：陈雄飞 汪雷 杨德仁 刊期：2008年第05期

采用超声喷雾法制备了硫化铟（In2S3）薄膜，并考察了后续快速热处理（rapid thermal process，RTP）对硫化铟薄膜性能的影响。采用扫描电镜（SEM），X射线衍射（XRD）等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征。结果表明：超声喷雾法制备的In2S3薄膜均匀致密，采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能，但对薄膜的透光性影响较小。通过计算...

不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分析

作者：宇慧平 隋允康 安国平 刊期：2008年第05期

本文采用紊流模型对大直径单晶硅在垂直磁场及勾形磁场作用时熔体内动量及热量输运作了数值模拟。采用有限体积法离散控制方程，采用SIMPLE（（Semi—implicit Method for Pressure Linked Equations）算法耦合压力和速度场。对无磁场、垂直磁场及勾形磁场作用下熔体内的传输特性进行了比较。数值计算结果表明，垂直磁场对动量及热量的分布具有...

Ba3（VO4）2晶体的生长和拉曼性质的研究

作者：高兆平 赵斌 陈建中 刊期：2008年第05期

采用提拉法生长了尺寸为（Ф2mm×50mm的Ba3（VO4）2晶体。室温下测试了Ba3（VO4）2晶体不同激发配置下自发拉曼散射光谱。另外测试了该晶体在532nm、25ps脉冲下的受激拉曼散射，观察到3阶斯托克斯线（625．5nm）和1阶反斯托克斯线（506．8nm），并估算了Ba3（VO4）2晶体的稳态拉曼增益系数。

30MHz带阻型压电石英晶体滤波器研制

作者：靳宝安 王春程 王林力 张麦丽 袁桃利 刊期：2008年第05期

采用三节3晶体的格型电路，设计和研制出了用于边带型通讯机中进行狭窄频带抑制的一种中高频带阻型晶体滤波器新产品。所解决的关键技术问题是：30MHz中高频滤波晶体半成品的设计、插损，IL≤5dB、3dB带阻宽度BW3dB≤±13kHz、带阻衰减（限波）≥45dB等技术指标的实现。研制的结果较好的满足了设计要求。

项链状硅酸钇的合成

作者：何明生 李建保 郭钢锋 李法荟 刊期：2008年第05期

以活性炭粉、高纯度纳米氧化钇粉和硅粉为原料，采用高温合成法制备出了一种结构新奇的硅酸钇，其形状酷似珍珠项链，由一根纳米线把一定数量的小珠子串在一起。纳米线的直径为150nm左右，长度为几十微米到几百微米，甚至到几毫米，小珠子的直径为3μm左右。XRD分析结果表明该结构的硅酸钇为X1型。所有项链的形貌和结构非常相似，但是项链中珠子...

GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究

作者：田彦宝 吉元 赵跃 吴迪 郭霞 沈光地 索红莉 周美玲 刊期：2008年第05期

采用扫描电镜（SEM）和电子背散射衍射（EBSD）技术，观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。利用EBSD测量了GaAs—GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数。结果表明，晶片键合质量良好，键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力。GaN层和GaAs层中的应力影响范围，在中心区域分...

Ca^2＋对KDP晶体的光损伤阈值的影响

作者：牟晓明 王圣来 王波 许心光 孙洵 顾庆天 李毅平 刘冰 孙绍涛 卢永强 孙云 刊期：2008年第05期

Ca^2＋是KDP原料中一种常见的杂质离子，这种杂质不仅会影响晶体的生长过程，而且会加重晶体的光散射。通过传统降温法和点籽晶快速生长法生长不同Ca^2＋掺杂浓度的KDP晶体样品，对样品进行激光损伤实验，结果表明，Ca^2＋的存在降低了KDP晶体的光损伤阈值，其原因主要在于Ca^2＋掺杂导致晶体内部缺陷增多，内应力增加以及晶体中的散射颗粒密度...

二维准分形结构声子晶体透射特性的数值研究

作者：刁斌斌 邵长金 张文娜 刘莉 刊期：2008年第05期

本文用时域有限差分方法研究了几种具有相似几何结构的准分形声子晶体的透射特性。计算了由水中钨柱组成的二维准分形结构声子晶体的FX和FM方向禁带，计算表明，对于钨柱分布在水背景中的情况，这种具有正方形点阵特点的准分形声子晶体存在多频带隙的特点，能带随级数的增大整体地趋向于低频部分。而且这种准分形声子晶体带隙的宽度及中心频率会...

化学抛光和退火对钛酸锶基片表面改性研究

作者：陈光珠 杭寅 汪隽 何晓明 张连翰 李志鸿 华如江 何明珠 刊期：2008年第05期

本文运用原子力显微镜检测传统机械抛光和化学机械抛光以及退火前后的钛酸锶（STO）衬底表面，研究了化学机械抛光和退火对钛酸锶（STO）基片表面形貌的影响，结果表明化学抛光可以使表面粗糙度达到0．214nm，明显优于机械抛光。对比测量退火前后钛酸锶（STO）基片的双晶摇摆曲线，表明退火可以明显改善晶体质量，有利于实现超光滑STO基片的加工...