人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

主管单位:中国建筑材料联合会
主办单位:中材人工晶体研究院有限公司
国际刊号:1000-985X
国内刊号:11-2637/O7
全年订价:¥ 1200.00
创刊时间:1972
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.56
复合影响因子:0.52
总发文量:5141
总被引量:17185
H指数:24
引用半衰期:4.4607
期刊他引率:0.6393
平均引文率:15.2566
  • KDP/DKDP晶体生长的研究进展

    作者:王波; 房昌水; 王圣来; 孙洵; 顾庆天; 许心光; 李义平; 刘冰; 牟晓明 刊期:2007年第02期

    采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的...

  • 碲铟汞晶体的生长研究

    作者:王领航; 董阳春; 介万奇 刊期:2007年第02期

    以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数α=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。

  • KTP晶体的水热法生长及其光学性能的测量

    作者:黄凌雄; 霍汉德; 张戈; 张昌龙; 黄呈辉; 周卫宁; 魏勇 刊期:2007年第02期

    使用水热法成功生长出大尺寸、高质量的KTP晶体,对该晶体的光学性能进行测量分析。由LambDA900分光光度计测量得到的水热法生长KTP晶体的透过率曲线表明晶体具有良好的光透过性能,其透过短波下限与熔盐法生长的KTP晶体基本相当。利用自准直法精确测量水热法生长KTP晶体的折射率,拟合得到30℃下折射率的Sellmeier方程的系数,并计算532nm与131...

  • 宽吸收带MEH-PPV/PbS量子点复合材料的制备

    作者:徐章程; 宁海波; 张雅婷; 何本桥 刊期:2007年第02期

    制备出粒径在3~8nm之间的宽吸收带聚合物MEH-PPV/PbS量子点复合材料。该材料在400~1100nm波长区域内表现出强吸收,能覆盖太阳光谱的大部分。准原位吸收光谱分析表明,MEH-PPV的加入不是获得宽吸收带纳米颗粒的主要因素。

  • InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成

    作者:皮彪; 孙甲明; 林耀望; 姚江宏; 邢晓东; 蔡莹; 舒强; 贾国治; 刘如彬; 李丹; 王占国 刊期:2007年第02期

    用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使扩散运动不能向台阶下面运动,而在台阶上面形成小丘,第二种是生长温度较高或V/Ⅲ较低时,因生长中缺磷造...

  • 加热功率波动对SAPMAC法生长蓝宝石晶体的影响

    作者:许承海; 杜善义; 张明福; 孟松鹤; 左洪波; 谭舒平; G.Benik 刊期:2007年第02期

    本文根据温度波在熔体介质中的传播理论,结合SAPMAC法蓝宝石晶体生长工艺特点,研究了由加热功率波动引起的温度波动对晶体生长的影响。研究表明由于氧化铝高温熔体具有较大的热扩散系数,温度波较容易传到固液界面引起界面温度起伏;界面的温度起伏会使晶体内产生气泡、空腔等缺陷。根据温度波的频率、幅值对氧化铝熔体的传递深度、衰减规律的...

  • 钨酸盐薄膜的原电池电化学制备技术及其发光性能

    作者:陈连平; 肖定全; 余萍; 金晓玲; 杨祖念 刊期:2007年第02期

    采用室温原电池电化学技术在钨衬底上制备出了具有发光性能的BaWO4、SrWO4、CaWO4薄膜,利用X射线衍射仪、扫描电镜、荧光光谱仪对样品进行了分析,对薄膜的发光性能进行了研究。XRD分析表明,所制备的钨酸盐薄膜是高度结晶的,呈四方结构SEM观察表明,在原电池条件下,这些晶体以四方锥形的习性生长。室温下的荧光性能测试表明,所制备的BaWO4...

  • 纳米羟基磷灰石/羧甲基壳聚糖多孔生物复合材料的制备与性能研究

    作者:刘爱红; 孙康宁; 赵冬梅; 李爱民 刊期:2007年第02期

    采用化学沉淀法合成了纳米羟基磷灰石粉体(HAP),以无水乙醇为沥滤剂,以16.7%(质量分数)的柠檬酸水溶液作粘结剂,通过粒子沥滤法制备了HAP/CMCS多孔材料,并对其进行了IR、XRD、SEM、孔隙率及抗压强度的测试。结果表明HAP/CMCS复合材料复合前后两组份的化学组成未发生显著变化,但两相间发生了相互作用。多孔材料孔隙率高,孔径分布范...

  • Fe3Al/HAP生物陶瓷的制备及力学性能

    作者:孙昌; 孙康宁; 刘晓飞; 刘科; 曹晓非; 李春胜; 赵天平 刊期:2007年第02期

    本文采用化学沉淀法制备了羟基磷灰石(HAP)纳米粉体,利用铁粉和铝粉经过高能机械球磨和热处理工艺制备了金属间化合物Fe3Al粉体;将制备的HAP粉体为基体按质量百分含量加入4%的Fe3Al粉体,经过球磨分散得到复合粉体,然后经过冷压成型和160MPa冷等静压成型及1200℃真空无压烧结,得到羟基磷灰石与金属间化合物Fe3Al的生物复合材料。通过XRD...

  • 多孔HAP-(β-Ca3(PO4)2)·Si3N4生物复合材料的制备及表面血小板粘附研究

    作者:李爱民; 孙康宁; 董维芳; 文豪; 颜涛 刊期:2007年第02期

    本文采用有机泡沫浸渍结合无压烧结制备了多孔HAP-(β-Ca3(PO4)2)-Si3N4生物复合材料,采用静态血小板浸渍实验研究了所制备多孔生物复合材料的血液相容性。复合材料的表面形态对血小板的沉积有一定影响,孔隙越大、表面越粗糙,血小板越容易沉积。发现在不同成分的复合材料表面,在血小板的粘附、聚集状态方面无明显的差异,其表面大部分区...

  • 碘化铅单晶体生长新方法探索

    作者:贺毅; 朱世富; 赵北君; 金应荣; 朱兴华; 栾道成 刊期:2007年第02期

    本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1...

  • CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理

    作者:唐斌; 邓宏; 税正伟; 陈金菊; 韦敏 刊期:2007年第02期

    以金做催化剂,采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了整齐紧密排列的ZnO纳米线。XRD图谱上只有ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿[001]择优生长;扫描电子显微镜分析表明:ZnO纳米线整齐排列在Si(100)衬底上,直径在100nm左右,平均长度为4μm。研究发现ZnO纳米线的生长机理与传统的V-L-S机理有所不同:生长过程中,在Si(10...

  • 碱土金属离子对ZnO极性生长的影响

    作者:韦志仁; 王伟伟; 蔡淑珍; 李哲; 罗小平; 胡志鹏; 高平; 付三玲; 董国义 刊期:2007年第02期

    本文采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的MgCl2·7H2O和CaO,合成了非极性生长的ZnO晶体。当Mg^2+:Zn^2+=2%和Ca^2+:Zn^2+=2~3%时,晶体c轴方向生长速度明显减弱,{0001}方向的极性生长得到控制,所合成的晶体大面积显露正极面+c{0001},同时显露负极面-c{1001}、正锥面+p{1011}、负锥面-p...

  • 半导体单晶生长过程中的位错研究

    作者:张国栋; 翟慎秋; 崔红卫; 刘俊成 刊期:2007年第02期

    阐述了现有的半导体单晶位错模型,即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论及应用状况。分析了熔体法单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素,以及抑制位错增殖的措施。与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,...

  • 激光晶体Nd^3+:Gd3Ga5O12中的核心和小面生长

    作者:王召兵; 张庆礼; 孙敦陆; 殷绍唐 刊期:2007年第02期

    Nd^3+:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)晶体是热容固体激光器的一种重要的工作介质。采用提拉法沿〈111〉方向生长出了Nd:GGG单晶,利用激光器、应力仪和偏光显微镜等仪器和方法,对晶体的小面生长及核心等缺陷进行了观察,分析了小面生长的机理,并提出了消除这些缺陷的办法。通过研究,为改善生长工艺、生长大尺寸优质Nd:GGG晶体提供参考。