人工晶体学报杂志 北大期刊 统计源期刊

气相生长氮化铝单晶的新方法

作者：武红磊; 郑瑞生; 孙秀明; 罗飞; 杨帆; 刘文; 敬守勇 刊期：2007年第01期

通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性,开孔处的氮化铝晶体单晶化;随后,开孔处的单晶起籽晶的作用,逐渐长成较大尺寸、较高质量的氮化铝单晶。目前用该方法已经制备出直径大于2mm的氮化铝单晶体。

Er,Yb：KGd（WO4）2激光晶体的生长

作者：王海丽; 齐家宝; 周南浩; 承刚; 陈建荣; 陈龙华; 杨春和; 包照日格图; 沈德忠 刊期：2007年第01期

采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb：KGd（WO4）2简称Er,Yb：KGW]激光晶体。XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb：KGW晶体,即β-Er,Yb：KGW晶体。通过差热分析测量,确定其相变温度和熔点分别为1020℃和1080℃。测量了晶体190-2000nm的室温透过光谱,结果表明除980nm的吸收谱带是Er^3＋离子和Yb^3＋离子的共同谱带...

加速坩埚旋转下降技术生长LiInS2晶体

作者：王善朋; 陶绪堂; 董春明; 焦正波; 蒋民华 刊期：2007年第01期

本论文采用新的合成方法-高压釜法,利用高纯单质Li（3N）、In（4N）、S（sublimed）为原料,在1120℃下合成了单相、致密的LiInS2多晶料,并对其做了XRD表征。对传统的Bridgman-Stockbarger生长技术进行了改进,实现了加速坩埚旋转下降技术（ACRT）,从而获得了较大尺寸的红外非线性光学晶体LiInS2,并对晶体的结构进行了表征。

沿[1^-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

作者：姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 胡小波; 徐现刚; 王继杨; 蒋民华 刊期：2007年第01期

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1^-00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1^-00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错（微管）缺陷。

LBO晶体超光滑表面抛光机理

作者：李军; 朱镛; 陈创天 刊期：2007年第01期

胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理。在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系。LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液...

快速响应高压电源在KTP晶体极化反转中的应用研究

作者：康玉琢; 于建; 倪文俊; 付伟佳; 陈亚南; 桑梅; 李世忱 刊期：2007年第01期

分析了KTP晶体电导率的特性,设计与研制出一种新型的高压脉冲放大器,可将任意信号发生器产生的信号线性放大,响应速度快,最高输出电压为4000V,最大输出电流为30mA,功率可达100W。用其在KTP晶体上进行多次极化反转实验,取得良好的实验结果。

HFCVD系统中衬底接触热阻的研究

作者：李磊; 左敦稳; 徐锋; 黎向锋; 卢文壮 刊期：2007年第01期

建立了热丝CVD大面积金刚石膜沉积的衬底温度场模型,对影响衬底温度场的接触热阻及其他相关沉积参数进行了模拟计算。根据实验结果,对接触热阻的计算公式进行了修正。当ζ=0.75时,计算结果和实验结果基本上吻合。在仿真条件下,考虑衬底三维热传导以及热丝温度的不均匀分布使衬底温度场的均匀性明显优于纯热辐射下的温度场。这些计算结果为制备大...

前驱体法制备氮氧化硅纳米线及其光学性能研究

作者：许亚杰; 曹传宝 刊期：2007年第01期

在Ni催化剂的存在下,通过SiCl4的水解氨解反应并在1300℃氨气气氛中进行热氮化处理制得了无定形氮氧化硅纳米线。产物经X射线衍射（XRD）、热重-差示扫描量热（TG-DSC）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、能量色散谱（EDS）和选区电子衍射（SAED）等表征手段进行分析,结果表明纳米线为无定形结构,直径为100-150nm。在波长为220nm的光激发下,...

溶胶电泳沉积法制备PZT压电厚膜及其性能研究

作者：周静; 李君; 魏长松; 刘维华; 陈文 刊期：2007年第01期

采用溶胶-凝胶方法制备Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）纳米粉末,将此粉末按一定比例加入到同成分PZT溶胶中,采用溶胶-电泳沉积技术在ITO玻璃衬底上制备PZT厚膜。采用X射线衍射分析、SEM及HP4294A阻抗分析仪等对PZT膜进行了微观结构和介电性能测试,研究了电泳电压、热处理温度及电泳时间对PZT膜结构及膜厚的影响,结果表明,在1V电压下进行电泳,600℃...

透明导电薄膜与p-Si：H膜接触特性的研究

作者：吴芳; 王海燕; 卢景霄; 郜小勇; 杨仕娥; 陈永生; 杨根; 王子健 刊期：2007年第01期

本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂（p-Si：H）膜。用拉曼（Raman）光谱测试了p-Si：H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜（SEM）观察了其形貌。结果表明：在SnO2上沉积的p-Si：H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过Ⅰ-Ⅴ测试仪测试了ZnO：Al/p-Si：H、SnO2/p-Si：H和SnO2/ZnO：Al/p-Si：H的接触...

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刊期：2007年第01期

GdVO4晶体的生长及其性能研究

作者：梁红艳; 于浩海; 张怀金; 王继扬; 于永贵; 王正平 刊期：2007年第01期

采用提拉法沿a轴和c轴生长出无色透明的GdVO4单晶,质量均超过50g。用X射线荧光分析法测得两个主要元素Gd和V的分凝系数都接近1。室温下测量了GdVO4晶体的X射线粉末衍射图,确定所获GdVO4晶体属于四方晶系,D4h^19-Ⅰ41/amd空间群。通过晶体的锥光干涉图确定GdVO4晶体为单轴晶,光轴方向平行于c轴且光学均匀性比较好。利用高分辨X射线衍射仪测量GdVO...

点状籽晶法生长KDP晶体中散射颗粒分布

作者：李晓兵; 滕冰; 钟德高; 鲁晓东; 王东娟; 王庆国 刊期：2007年第01期

在不同的溶液pH值条件下进行了点状籽晶法慢速和快速生长KDP晶体实验,发展了观察晶体中散射颗粒分布的激光层析技术,通过图像处理得到了KDP晶体内部（100）面完整的散射颗粒分部图,对不同生长速度、不同pH值条件下点状籽晶法生长的KDP晶体的散射颗粒分部做了对比。利用表面光学投影技术观察了晶体表面宏观形貌,并由此分析了不同生长条件下生长机...

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

作者：白大伟; 李焕勇; 介万奇; 李培森; 赵海涛 刊期：2007年第01期

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn（NH4）3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si（111）衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是...

膜电极厚度对电极材料析氢活性的影响

作者：宋红; 李伟; 张德坤; 张庆宝; 耿新华 刊期：2007年第01期

用直流磁控溅射法制备不同厚度的膜电极材料。在室温,1mol/L KOH溶液中,这些膜电极材料析氢反应的过电位和膜电极的厚度有关：在一定厚度范围内,膜电极越厚,析氢过电位越小,不同膜电极材料都表现出这样的规律,只是大小和对厚度的依赖程度有所不同。这些结果表明析氢反应不只是发生在电极表面的范围内,反应过程中形成的金属氢化物由于深入到材料...