人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

主管单位:中国建筑材料联合会
主办单位:中材人工晶体研究院有限公司
国际刊号:1000-985X
国内刊号:11-2637/O7
全年订价:¥ 1200.00
创刊时间:1972
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.56
复合影响因子:0.52
总发文量:5141
总被引量:17185
H指数:24
引用半衰期:4.4607
期刊他引率:0.6393
平均引文率:15.2566
  • 紫外与深紫外非线性光学晶体的新进展

    作者:陈创天; 林哲帅 刊期:2004年第04期

    随着光刻、激光微加工以及激光光谱仪的发展,紫外与深紫外光谱区的相干光源变得越来越重要.本文简要地回顾了使用阴离子基团理论发展新型硼酸盐系列紫外与深紫外非线性光学晶体的历史,同时系统地介绍了这些硼酸盐系列晶体的线性和非线性光学性质.最后给出一些产生紫外与深紫外谐波输出的典型例子以及它们的应用.

  • 基于周期性极化铌酸锂的波长可调谐光参量振荡器

    作者:姚建铨; 张百钢; 路洋; 丁欣; 徐德刚; 王鹏 刊期:2004年第04期

    本文报导了基于周期性极化铌酸锂(PPLN)波长调谐准相位匹配(QPM)的光学参量振荡器, 该光学振荡器是由一个声光Q开关连续二极管泵浦的Nd:VO4激光器所泵浦.采用温度、角度和周期调谐就能获得宽的波长调谐输出.论文对这几种调谐方式进行了分析比较,这对于实现宽波长、快速、连续调谐相干光源是有益的.

  • 晶体表面结构和负离子配位多面体生长基元

    作者:仲维卓; 罗豪甦; 华素坤; 许桂生 刊期:2004年第04期

    本文讨论了晶体表面结构和负离子配位多面体结晶方位的关系.指出了晶体表面结构,显示了负离子配位多面体在晶体生长过程中的结晶轨迹.因此,运用负离子配位多面体生长基元理论模型,晶体的生长机制可以通过对晶体表面结构的分析得以解释.

  • 负离子配位多面体生长基元和晶体形貌

    作者:仲维卓; 罗豪甦; 华素坤; 许桂生 刊期:2004年第04期

    本文运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了负离子配位多面体在异质同构和同质异构晶体中的结晶方位和其形态之间的关系,发现晶体的生长习性与负离子配位多面体在不同面族上相互联结的稳定性密切相关.负离子配位多面体以顶角相联最稳定,以边相连次之,以面相连最不稳定.同时,本文用负离子配位多面体生长基元理论模型对极性晶体ZnO和ZnS的生...

  • 氯酸钠晶体生长的手性对称破损研究

    作者:陈万春; 赵梅; 孙玉萍; 陈小龙 刊期:2004年第04期

    我们使用非搅拌的氯酸钠晶体水溶液,研究了晶体的手性对称破损问题.氯酸钠晶体溶液是通过溶解分析纯 NaClO3 粉末于去离子水中配制而成.采用 Mach-Zehnder 干涉方法和称重法测定晶体的溶解度.使用偏光显微镜鉴定了11545颗晶体的手性.这些晶体是从不同pH条件下的90个自发成核和生长实验中获得.实验结果表明:溶液的pH值可影响到氯酸钠晶体的手性分...

  • [Co(amghCl2]3·[Co(amg)2Cl(OH)]·[Co(amg)(phen)]·(R2O)4的合成和晶体结构

    作者:刘宣文; 王晓青; 王如骥; 沈光球; 沈德忠 刊期:2004年第04期

    本文合成了一个复杂的单核配合物[Co(amghCl2]3·[Co(amg)2Cl(OH)]·[Co(amg)(phen)]·(R2O)4(H2dmg=dimetgylglyoxime,phen=1,10-Phenanthroline)。通过x射线衍射技术获得其单晶结构。在单晶结构中,每五个单核钴(Ⅱ)的配位结构形成一个重复单元,是一个较为复杂的单晶。其空间群为P-1,晶胞参数为α=1.3738mn:b=1.4396nm;c=1.8656nm。本文...

  • Na3La2(BO3)3的晶体结构

    作者:张国春; 李云阁; 傅佩珍; 潘世烈; 常峰; 吴以成 刊期:2004年第04期

    以Na2CO3-H3BO3-NaF为助熔剂,使用顶部籽晶法生长出Na3La2(BO3)3透明单晶.测定了Na3La2(BO3)3的晶体结构,该晶体属正交晶系,空间群:mm2(No.38),晶胞参数为a=0.51580(10)nm,b=1.1350(2)nm,c=0.73230(15)nm,α=β=γ=90°,V=0.42871(15)nm3,密度:.053g/cm3.晶体结构中的硼氧基团是平面的BO3基团,BO3基团相互独立,且与Na(1)O6、Na(2)O8、Na(3)O6和...

  • 微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列

    作者:程文娟; 张阳; 江锦春; 朱鹤孙 刊期:2004年第04期

    本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,以CH4, H2, N2作为源气体,以Si棒作为Si源,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列.样品的形貌由场发射扫描电子显微镜(SEM)表征分析.用X射线光电子谱(XPS)、Raman散射谱及X射线衍射(XRD)对样品的键合状态及结构进行表征,结果表明,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物.

  • 甩数学模型计算生长大尺寸光学晶体加热系统结构第2部分-在φ400mm CaF2晶体生长中计算辐射-传导热交换的方法和结果

    作者:Ju.Linhart; MyronPankevicht 刊期:2004年第04期

    大尺寸氟化物晶体的生长是基于对晶体炉热交换的实验研究和计算结果,在晶体生长过程的不同阶段解决了复杂结构生长容器的边界条件和温场的二维计算任务。我们在这里给出了晶体生长过程中温场设置和转变的具体数据。所有的计算都是根据晶体、熔体,容器材料的光学特性与光谱和温度的关系以及它们的热物理值与温度的关系做出的。这些结果包括了迄...

  • PVT法SiC单晶生长传热分析

    作者:李河清; 倪代秦; 吴星; 胡伯清; 朱丽娜; 陈小龙 刊期:2004年第04期

    研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为,以优化生长条件、获得高质量单晶.该研究是针对坩埚盖(籽晶粘附于坩埚盖上)和炉盖之间的传热行为进行的.研究认为,坩埚盖上部石墨毡开孔形状和大小对坩埚盖的径向温度场有很大影响.采用本文简化的模型可以估算坩埚在不同位置下、不同的石墨毡开孔形状和大小时坩埚盖和炉盖之间总的辐射热阻和传热量.对影响坩...

  • 马来酸氢十六酯(HHM)在过饱和溶液中的成核过程

    作者:林树坤; 熊巍; 陈昱; 陈菲; 高绍康; 陈建中 刊期:2004年第04期

    本文研究了马来酸氢十六酯(HHM)在以甲苯为溶剂的过饱和溶液中的成核过程.测定了以诱导时间表示的成核速率.用经典的成核理论计算了固-液表面张力、成核自由能和临界成核半径.指出HHM晶体在甲苯为溶剂的过饱和溶液中的成核速率随着温度和过饱和比的提高而增大.溶剂的性质也将改变成核速率的大小.

  • Czochralski法生长Lu2SiO5:Ce晶体的发光特性

    作者:任国浩; 秦来顺; 陆晟; 李焕英 刊期:2004年第04期

    本文使用铱坩埚感应加热Czoehralski法成功地生长出了无色透明且尺寸达φ50mm×60mm的Lu2SiO5:Ce晶体。XRD结构分析表明,该晶体为单斜结构。在室温下分别以X射线和紫外光为激发源测量了该晶体的发射光谱,获得的发射波长分别为403nm和420nm,光衰减时间为41ns,光产额达32000p/MeV。发射光谱的双峰结构以及晶体的发光特性证明其发光源于Ce^3+离...

  • 铒镱双掺的钒酸钇和铌酸锂晶体中的铒离子的上转换发光

    作者:阮永丰; 坪井泰住; 杜天敏 刊期:2004年第04期

    利用J-O理论,计算了在铒、镱双掺的钒酸钇和铌酸锂晶体中的铒离子在室温下的晶场唯象参数Ωλ(λ=2,4,6)及辐射跃迁几率、无辐射跃迁几率和共振跃迁几率.考虑到铒、镱间的能量转移,写出了在这些晶体中的铒离子的速率方程.速率方程的解表明,在铒、镱双掺的钒酸钇晶体中的铒离子的550 nm的上转换发光,比它在铒、镱双掺的铌酸锂晶体中更为有效.这一理...

  • 半导体量子点内弹性应变能的研究

    作者:杨红波; 俞重远; 刘玉敏; 黄永箴 刊期:2004年第04期

    本文用有限元分析软件ANSTS 6.0计算了半导体量子点内的弹性应变和弹性应变能, 通过对金塔形、台形和圆顶形量子点内总弹性应变能的计算和总能量的比较,得到了在热平衡条件下金字塔形量子点是最稳定的结构.

  • 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷

    作者:赵有文; 董志远; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 吕旭如; 王应利 刊期:2004年第04期

    在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片.在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷.通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关.迁移率低、热稳定性差的掺铁半...