人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

主管单位:中国建筑材料联合会
主办单位:中材人工晶体研究院有限公司
国际刊号:1000-985X
国内刊号:11-2637/O7
全年订价:¥ 1200.00
创刊时间:1972
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.56
复合影响因子:0.52
总发文量:5141
总被引量:17185
H指数:24
引用半衰期:4.4607
期刊他引率:0.6393
平均引文率:15.2566
  • SiC单晶生长热力学和动力学的研究

    作者:董捷; 刘喆; 徐现刚; 胡晓波; 李娟; 王丽; 李现祥; 王继扬 刊期:2004年第03期

    升华法生长大直径碳化硅(SiC)单晶一直是近年来国内外研究的重点,本文对Si-C系中的Si,Si2,Si3,C,C2,C3,C4,C5,SiC,Si2C,SiC2等气相物种的热力学平衡过程进行了研究,发现SiC生长体系中的主要物种为Si,Si2C,SiC2.生长初期Si的分压较高,从而SiC生长为富硅生长模式.对外加气体进行研究发现,氩气为最好的外加气体,它既可以有效地抑制Si物质流传输,又...

  • 6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

    作者:韩荣江; 王继扬; 胡小波; 徐现刚; 董捷; 李现祥; 蒋民华 刊期:2004年第03期

    利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC(0001)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究.实验发现,在透射偏光显微镜下,微管通常呈现为蝴蝶形,这是由于微管周围存在着应力场,且应力分布不均匀,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的.从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小...

  • 掺钕钇铝石榴石陶瓷的制备与性能

    作者:张旭东; 刘宏; 王继扬; 何文; 徐国纲 刊期:2004年第03期

    以Al2O3、Y2O3、Nd2P3为起始原料,用固相合成方法在1500℃、2h条件下合成了掺钕钇铝石榴石(1.1at.%Nd:YAG)粉料.研究表明,在固相反应过程中,首先形成中间相Y4Al2O9(YAM)、YAlO3(YAP)而最终形成单相Y3Al5O12(YAG).将上述粉料经等静压成型并在低真空状态下于1750℃烧结3h,获得呈半透明状态的Nd:YAG陶瓷,其相对密度达到98.68%,显微结构均匀,荧光性...

  • 立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究

    作者:李玲; 郝霄鹏; 于乃森; 徐现刚; 崔德良; 蒋民华 刊期:2004年第03期

    低温(280℃)条件下,通过二甲苯中AlCl3和NaN3的反应制备出了AlN纳米微粒.700℃退火48h后,得到了纯的立方相AlN纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,验证了立方相AlN纳米晶的生成.经XRD和TEM分析,纳米晶的平均粒度约为3nm.色质联(GC-MS)检测结果显示,由于AlN纳米颗粒对二甲苯的催化作用,使二甲苯发生聚合和杂化环反应,得到了二联苯、萘、蒽、...

  • In:Er:LiNbO3晶体生长及光损伤性能研究

    作者:许士文; 徐悟生; 李宣东; 徐玉恒 刊期:2004年第03期

    在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力,确定In:Er:LiNbO3晶体中In的掺杂阈值浓度为~3mol%,In(3mol%):Er:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3提高3个数量级以上.研究了In的掺入使Er:LiNbO3晶体的吸收边移动和抗光损伤能力提高的机理.

  • 等径控制系统的改进及在光学级铌酸锂生长中的应用

    作者:孙军; 孔勇发; 李兵; 张玲; 刘士国; 黄自恒; 瓮松峰; 舒永春; 许京军 刊期:2004年第03期

    分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果.生长的76mm直径的铌酸锂晶体,生长条纹问题得到很大改善,光学均匀性提高了一个量级以上.

  • 氮化铝晶体的生长惯习面和晶体形态

    作者:傅仁利; 赵宇龙; 周和平 刊期:2004年第03期

    本文采用氧化铝碳热还原方法制备出了多种形态的氮化铝单晶(晶须).通过透射电子显微镜电子衍射和X射线单晶衍射分析,确定了氮化铝单晶常见的生长惯习面,并分析和讨论了氮化铝晶须形态与氮化铝晶体结构与生长惯习面的关系.具有规则六棱柱锥形的AlN晶须的生长取向为[0001]晶向,而叶片状和四方截面形状的AlN晶须则大多沿〈21-1-3-〉晶向进行生长,细...

  • 碳化物价电子结构及其界面电子密度分析

    作者:孙家涛; 范润华; 刘冰; 陈云; 尹衍升 刊期:2004年第03期

    运用固体与分子经验电子理论计算了六种过渡金属碳化物(MC)的价电子结构及其部分低指数晶面的电子密度.计算结果表明:MC最强键为最近邻M-C键,相邻(111)面间以最强键结合,滑移困难.通过对NiAl和MC的不同晶面的共价电子密度的分析发现:(110)NiAl和(100)MC在一级近似范围内基本上保持连续;采取适当的制备工艺,使复合材料中存在尽可能多的(110)NiAl...

  • 成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响

    作者:赵丽丽; 高峰; 赵鸣; 张昌松; 李光耀; 田长生 刊期:2004年第03期

    采用添加PbO的TGG方法定向生长PMNT多晶体,研究了素坯成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响规律.结果表明,成型压力直接影响PMNT多晶体的取向生长速度和取向程度.随着成型压力逐渐增大,PMNT多晶体的取向生长速度呈先增加后减小的趋势.低于临界成型压力(在本文实验条件下,临界成型压力为600MPa)时,随成型压力增大,PMNT多晶体的取向生长速度越来越...

  • 液相合成硒化镉(CdSe)热力学研究

    作者:何知宇; 赵北君; 朱世富; 王瑞林; 陈松林; 李艺星; 罗政纯; 任锐 刊期:2004年第03期

    本文报道了对硒化镉(CdSe)合成反应的反应焓变,反应熵变,Gibbs自由能以及配料的化学计量的分析计算,从热力学角度论证了在中温(~650℃)下直接液相合成高纯CdSe的可能性.按照理论分析结果选择技术参量进行了CdSe液相合成实验,并采用X射线粉末衍射谱法对合成产物进行了分析,结果证实了热力学分析的正确性.

  • 水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素

    作者:于美燕; 李凯; 郝霄鹏; 赖泽峰; 王琪珑; 崔得良 刊期:2004年第03期

    在水热条件下成功合成了氮化硼晶体,为了优化实验条件,本文对实验过程中的影响因素进行了研究,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间.通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道,当反应原料摩尔配比N2H4·H2O:H3BO3:NaN3:NH4Cl为1:1:3:1时,在400℃下反应48h是水热法制备氮化硼晶体的最佳实验条件.

  • 同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷

    作者:胡小波; 徐现刚; 李现祥; 董捷; 韩荣江; 王丽; 李娟; 王继扬; 田玉莲; 黄万霞; 朱佩平 刊期:2004年第03期

    采用同步辐射单色光形貌术观察了6H-SiC单晶中的微管缺陷,发现晶片中Burgers矢量为1c的螺位错具有较高的密度.此外,还观察到对应较大Burgers矢量的微管.基于微管附近的应变场,并根据衍射几何,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径,计算结果与实验观察符合较好.

  • 6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌

    作者:韩荣江; 王继扬; 胡小波; 董捷; 李现祥; 李娟; 王丽; 徐现刚; 蒋民华 刊期:2004年第03期

    利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象.在单晶中间部分,生长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20~50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋.单晶区域,生长台阶比较密集,其台阶高度较大,约...

  • 具有准同型相界(MPB)组成的化合物(Sr1-xBax)2NaNb5O15的晶体生长及性质研究

    作者:仪修杰; 陈焕矗; 程振祥; 韩建儒; 曹文武; 翟剑庞; 杨长红; 姜付义 刊期:2004年第03期

    用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB)存在于x=0.45~0.50之间;SBNN晶体是不一致熔融的化合物,在晶体成长过程中,Sr2+的分凝系数比Ba2+的大,因此具有高浓度Ba2+的SBNN晶体很难生长.晶体的居里温度是243℃,在此温度下的相变是弥散的,随频率的增加,介电常...

  • 硒化镉多晶原料的提纯

    作者:李艺星; 赵北君; 朱世富; 王瑞林; 陈松林; 何知宇; 罗正纯; 任锐 刊期:2004年第03期

    采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高.本文根据差热(DTA)和热失重(TG)测试结果,设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法,用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的CdSe单晶体.等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,新方法对CdSe的提纯是有效的,纯化后的原料可以生长出大尺寸高质量的CdSe单晶体.