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LICVD法纳米硅制备过程中的成核及生长

作者：尹衍升; 刘英才; 李静 刊期：2004年第01期

室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究

作者：朱世富; 赵北君; 王瑞林; 高德友; 韦永林 刊期：2004年第01期

本文论述了室温半导体核辐射探测器新材料及其探测器的研究发展过程和最新动态，分别介绍了几种主要室温半导体核辐射探测器新材料晶体的组成、结构、性能及其探测器的制备技术，主要应用情况。结果表明：HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料，用其制作的探测器，可在室温下广泛用于环境监测、核医学、工业无损检...

基于电沉积过渡层沉积CVD金刚石薄膜的研究

作者：卢文壮; 左敦稳; 王珉; 黎向锋; 徐锋 刊期：2004年第01期

在硬质合金的Cu、Ni、Cr电沉积过渡层上采用热丝CVD法沉积出金刚石薄膜。利用SEM和Paman对金刚石薄膜进行了研究，对影响膜基结合强度的因素进行了分析，利用压痕法对金刚石薄膜与基体的结合强度进行了检验。结果表明，在Cr过渡层上沉积的金刚石薄膜的质量和膜基结合性能较好，优于在Cu、Ni过渡层上沉积的金刚石薄膜的质量和膜基结合性能。

超临界CO2GAS沉析HMX过程的颗粒形貌控制

作者：蔡建国; 邓修 刊期：2004年第01期

文章研究了超临界CO2GAS沉析HMX丙酮溶液过程的颗粒形貌控制。研究结果表明，GAS过程中不同的膨胀方式，可以得到不同的沉析颗粒大小和尺寸分布。当溶液持续膨胀时，得到多种粒度尺寸的颗粒，尺寸分布宽；当溶液从开始到5．0MPa，维持20s后再上升到10．0MPa分段膨胀时，得到平均粒度在3．1μm和9．5μm分段的颗粒尺寸和分布。快速膨胀溶液，可以在...

Fe：LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其成分不均匀性研究

作者：曾宪林; 王金浩; 夏海平; 章践立; 姚连增 刊期：2004年第01期

本文报道了用坩埚下降法生长Fe：LiNbO3晶体的新工艺。通过选择合适的原料配比、控制固液界面的温度梯度为20～40℃／cm及晶体生长速度0．8～1．5mm／h，生长出掺杂0．04mol％Fe2O3的无宏观缺陷LiNbO3晶。XRD图谱和DTA曲线用来表征所得晶体，并且测定了从晶体下部到上部的紫外可见吸收光谱。结果表明：沿生长方向，晶胞参数a、c增大，熔点降低，...

正钒酸钙晶体原料的合成与生长

作者：谢勇平; 林树坤; 李黎婷; 熊巍 刊期：2004年第01期

本文通过固相合成方法直接合成正钒酸钙晶体原料。并用红外光谱、X射线多晶粉末衍射对所合成的原料进行表征。结果表明，固相合成法可获得纯度较高的正钒酸钙晶体原料。使用该方法合成的原料采用Czochralski高温提拉法生长出Φ20mm×25mm的Ca3(VO4)2单晶。

温梯法生长CaF2晶体中包裹物的研究

作者：董永军; 周国清; 苏良碧; 杨卫桥; 徐军 刊期：2004年第01期

本文对温度梯度法生长的氟化钙(CaF2)晶体中的包裹物进行了研究，用光学显微镜和SEM观察了包裹物的形貌，对晶体中的包裹物和透明部分作了微区EDX成分分析，对包裹物所含的杂质进行了解释，提出了减小或消除包裹物的措施。分析结果表明：包裹物的主要成分是碳和氧，碳来源于石墨坩埚和石墨发热体，而杂质氧则来源于原料中的含氧化合物和生长过程...

直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

作者：吕文中; 贾小龙; 何笑明 刊期：2004年第01期

ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙化合物材料，是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时，可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1：4的条件下，可得到结晶质量良好的ZnO薄膜；...

Li3N在合成BN反应中的作用研究

作者：牟其勇; 徐晓伟; 范慧俐; 鲍俊萍; 李玉萍; 信春雨 刊期：2004年第01期

金属Li在500℃同N2反应得到的Li3N，对高温高压下hBN向cBN的转变，常压高温下B4C与NH4Cl的反应有催化作用；还可以在溶剂热方法中作为与BBr3反应生成hBN和cBN的氮源。本文分析了Li3N在上述三种反应中的作用机理，并提出用极化模型解释Li3N在常压下的催化机制和在溶剂热方法中的反应机制的观点。

ZnS-CdS核壳纳米微晶的制备与光学特性

作者：周建安; 李冬梅; 桑文斌 刊期：2004年第01期

采用微乳液法制备了核壳结构ZnS／CdS纳米微晶。以XRD、TEM表征其结构、粒度和形貌，UV、PL表征其光学性能。制得的纳米微晶近似呈球形，粒径4～5nm。研究了不同CdS壳层厚度的ZnS／CdS纳米微晶的光学性能，PL谱表明壳层CdS的修饰可减少ZnS的表面缺陷，表面态发射和非辐射跃迁减少，带边直接复合发光的几率增大，发光效率大大提高；在壳层CdS达到...

KDP晶体激光损伤机理研究

作者：王坤鹏; 房昌水; 张建秀; 王圣来; 孙洵; 顾庆天; 李义平 刊期：2004年第01期

大口径KDP晶体是唯一可用作激光约束核聚变(ICF)中Pockels盒和倍频器件的晶体材料，但是低的抗激光损伤阈值使其应用受到了限制。本文从电子—空穴对的产生及稳定机制、光伤实体的本质等方面总结了多年来人们对KDP晶体激光损伤机理的研究进展，尤其从多光子电离、碰撞电离、激光加热三个方面定性阐述了电子—空穴对的产生机制，而电子—空位对的...

片状纳米氧化锌单晶的制备和表征

作者：安黛宗; 萧劲东; 李东英; 胡奎玲 刊期：2004年第01期

CMTD晶体的螺位错生长机理

作者：王坤鹏; 张建秀; 孙大亮; 于文涛; 郭士义; 耿延玲 刊期：2004年第01期

用原子力显微镜在有机非线性光学晶体CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)的(001)面上观察到了许多奇特的心形螺旋生长丘，这种心形线不同于由反向双螺位错发展而成的瑞德环(Frank—Read)。我们认为这种心形螺旋生长丘的相邻层交替生长除了与21螺旋轴有关外，还与在台阶源附近形成的结构畴有关。在由心形缺口推展出去的直线“划痕”两侧的台阶流上观察到...

KDP晶体生长过程中溶液稳定性的研究

作者：李云南; 房昌水; 顾庆天; 孙洵; 王圣来; 李义平; 王坤鹏; 王波 刊期：2004年第01期

在KDP晶体生长过程中，溶液的稳定性对KDP晶体的光学质量影响较大。溶液的稳定性是多种因素共同作用的结果。本文主要研究了过饱和KDP溶液中晶胚的分布情况、降温过程中晶体生长驱动力与降温速度之间的关系，并分析了KDP晶体实际生长过程中影响溶液稳定性的主要因素。我们认为，通过改善KDP晶体生长过程中溶液的稳定性，并与其它措施和技术相结...

Eu^2＋，Dy^3＋共激活铝酸锶发光材料长余辉发光机理探讨

作者：张玉军; 尹衍升 刊期：2004年第01期

文章探讨了Eu^2+，Dy^3+共激活铝酸锶发光材料长余辉发光机理。认为在Eu^2+激活的铝酸锶发光材料中，被激发的电子与空穴的重新结合产生了发光(荧光)现象；在热扰动作用下陷入到陷阱中的电子和空穴的释放并重新结合过程是长余辉发光的根源；Dy^3+掺杂到Eu^2+激活的铝酸锶发光材料中创造了合适深度的电子陷阱与空穴陷阱，使得这种发光材料具有更...