全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场。第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场。日前,在英飞凌科技举办的媒体见面会上,该公司大中华区工业功率控制事业部副总裁于代辉和工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅SiC市场的最新进展。
CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。
日前,由中国科学院微电子研究所和株洲中车时代电气股份有限公司共同完成的"高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证"项目科技成果鉴定会在北京顺利召开。本次鉴定会由中国电子学会组织,西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任.
作者:张学; 庞云亭; 邱格; 张国驹; 裴玮; 孔力 期刊:《电工电能新技术》 2019年第02期
光伏并网发电技术是解决能源危机和环境污染问题的主要技术手段。针对传统集中式光伏发电系统存在太阳能利用率和效率低问题,提出一种带有智能汇流箱的集散式光伏发电系统结构,并将SiC器件应用于智能汇流箱DC-DC变换器和并网DC-AC逆变器,给出了基于SiC器件的DC-DC变换器和DC-AC变换器的损耗模型。最终,通过仿真软件对所提出的光伏并网发电系统的损耗和效率进行了分析,仿真结果表明基于SiC器件集散式光伏发电系统能够有效提升系统效...
2018年2月1日,北京市高精尖项目——6英寸碳化硅器件生产线在北京世纪金光半导体有限公司成功通线。这是一条具有国际领先水平的产业化生产线,该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通,从产业链源头实现自主可控。
作者:工业和信息化部电子第一研究所 期刊:《新材料产业》 2018年第08期
今年在德国纽伦堡举行的PCIM欧洲贸易博览会上,英飞凌公司展示了其首批汽车碳化硅产品:CoolSiC肖特基二极管产品系列,该产品系列可用于当前和未来的混合动力和电动汽车车载充电器上。这些二极管可以满足汽车产业对可靠性、质量和性能的高要求。
作者:杨涛; 唐威 期刊:《机车电传动》 2018年第03期
SiC功率器件具有高频、高效率、耐高温、抗辐射等优势,介绍了目前SiC功率器件应用情况,阐述了SiC-JBS以及SiC混合IGBT的特性,分析了应用于1 700 V混合IGBT的驱动技术,完成了SiC混合IGBT模块功率试验研究。
近日,北京市高精尖项目——6英寸碳化硅器件生产线在北京世纪金光半导体有限公司(以下简称“世纪金光”)成功通线。这是一条具有国际领先水平的产业化生产线,该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通,从产业链源头实现自主可控。世纪金光科研团队持续创新,突破了多项核心技术。
为满足可再生能源的大规模开发和利用,传统电网正向以电力电子技术广泛应用为代表的智能电网方向发展,亟需提升器件的耐压、通流能力和开关速度,并降低损耗。电力电子变压器是未来智能电网核心设备之一,目前基于硅(Si)器件的电力电子变压器体积大、损耗高、重量大,无法推广应用。碳化硅(SiC)器件具有电压等级高、通流能力强、频率高、损耗低等优势,可以大幅减小设备体积与重量,降低损耗。碳化硅器件将是电力电子变压器...
2011年,泰科天润半导体科技(北京)有限公司(以下简称“泰科天润”)成立,成为我国首家实现碳化硅器件量产的企业,不仅填补了国内空白,打破了欧、美、日长期以来的技术垄断,也成为我国首家具备参与国际碳化硅器件市场竞争能力的高技术企业。截至2016年底,泰科天润实现销售额3800万元,预计2017年的销售额将达到6000万元。短短6年间,泰科天润的销售额实现了逐年翻番增长的目标。
作者:严阳; 吴新科; 盛况 期刊:《电源学报》 2016年第04期
半桥功率因数校正PFC(power factor correction)拓扑由于其具有较少的电流回路器件数,因而导通损耗小、效率高。但是,该拓扑中开关器件电压应力大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了高耐压与低通态电阻,其具有较小的开关损耗,可以降低开关损耗,尤其是关断损耗。但由于高频工作时其开通损耗仍然较大,严重制约变换器效率的提高。因此,利用碳化硅MOSFET优良的开关特性,采用电感电流...
作者:PeterFriedrichs 期刊:《中国集成电路》 2014年第05期
碳化硅功率器件是使能元件,主要用于高开关频率和/或较小体积功率电子设备中。但这一趋势为芯片封装提出新挑战。典型的寄生参数像电感等成为电路中的重要元件。此外,在考虑采用碳化硅器件时,关于功率模块的热设计方面,需要考虑各种不同的因素。不仅如此,在现代基于碳化硅功率器件的高可靠性系统中,要提高功率密度,很重要的一点是需要综合考虑碳化硅的高温能力。本文以下内容将介绍在用碳化硅器件设计创新解决方案中,如何...