半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期：2019年第03期
人民日报官方推特6月5日晚消息,中国将于6月6日发放5G商用牌照。此前6月3日,新华社报道称,工信部将于近期发放5G商用牌照。6月5日消息,工业和信息化部6月3日消息称,5G商用牌照将于近期发放,我国将正式进入5G商用元年。据凤凰网科技从多处渠道获悉.
刊期：2019年第03期
工信部正式批复同意成都建设国家'芯火'双创基地。这是成都在被认定为国家集成电路设计产业化基地的基础上,再次被列入国家'芯火'创新行动计划重点区域。据了解,成都国家'芯火'双创基地由成都芯火集成电路产业化基地有限公司作为运营载体.
刊期：2019年第03期
自2018年1月以来,Qorvo已交付超过1亿个5G无线基础设施射频器件。Qorvo广泛的5G产品组合包括用于接收和发送的高度集成化的射频前端解决方案,可用于大规模多输入多输出基站的波束成形技术,能够在5Gsub-6GHz的频率实现更高的数据容量、更广的覆盖范围和室内渗透率。
刊期：2019年第03期
Qorvo,Inc.面向6GHz以下的无线基础设施市场推出新型的高能效、小基站前端解决方案。该产品显著提高了效率,使基站制造商能够强化现有的4G LTE基础设施,获得更高带宽、覆盖率、吞吐量和容量.
刊期：2019年第03期
Analog Devices,Inc.(ADI)布推出一款面向毫米波(mmWave)5G基础设施的新型解决方案,该解决方案拥有目前最高的集成度,旨在降低下一代蜂窝网络基础设施的设计要求和复杂性。此解决方案整合了ADI的先进波束成形IC、上/下变频(UDC)和其它混合信号电路。这种优化的'波束至比特'信号链展现了只有ADI可提供的一组独特能力。
刊期：2019年第03期
安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗,并轻松实现器件并联。
刊期：2019年第03期
随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升,新推出的700VMOSFET和700V、1200VSBD可为客户提供更多选择。汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。近日,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)通过其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率器件。
刊期：2019年第03期
收购Norstel,扩充卡塔尼亚工厂生产线,改造新加坡工厂,一系列动作皆是为了SiC。ST Microelectronics(意法半导体)正在进行功率半导体攻势。目前,在功率半导体市场,意法半导体虽位居英飞凌之后,但它希望通过公开旗下的下一代功率半导体——SiC的信息,来捕获来自电动汽车的需求,争夺榜首。
刊期：2019年第03期
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650VSiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。这些新器件能够提供新级别的高压电源性能.
刊期：2019年第03期
CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。
刊期：2019年第03期
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC'BM2SCQ12xT-LBZ'。近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域.
刊期：2019年第03期
2019年5月7日,英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiCTM MOSFET1200V单管新产品。新产品导通电阻从30mΩ到350mΩ不等,拥有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外,表面贴封装(SMD)和CoolSiCTM MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。通过这些产品.
刊期：2019年第03期
英飞凌科技股份公司联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术:芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48V系统的性能,同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事业群将是首家采用这项技术的企业。通过芯片嵌入式工艺,功率MOSFET将不再焊接到电路板上.
刊期：2019年第03期
埃赋隆半导体(Ampleon)宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术(Advanced Rugged Technology,ART),并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产品。这个新工艺的开发旨在用于实现极其坚固的、工作电压高达65V的晶体管。首款采用该工艺的产品ART2K0FE是一款2kW的晶体管.
刊期：2019年第03期
据外媒报道,在2019年欧洲PCIM电力电子贸易展上,安森美半导体公司展示新款基于碳化硅(SiC)的混合IGBT(绝缘栅双极型晶体管),以及隔离高电流IGBT门驱动器。这些产品采用硅基IGBT,结合SiC肖特基二极管技术,充分利用SiC技术的效率优势和硅的成本优势。
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