介绍了IR2111和IR2130功率MOSFET/IGBT驱动器的特点,分析了以IR2111和IR2130作为功率元件驱动器的PWM直流伺服系统主电路的工作原理。
安川电机开发出了配备GaN功率元件并内置放大器的伺服马达,将于2017年之前投产。该公司称,这是全球首款配备GaN功率元件的产品。内置放大器的伺服马达将“伺服驱动系统”中的“伺服单元”(Servo Pack)功能与伺服马达一体化。通过采用GaN功率元件,使伺服单元的功放部分(不含转换器部分等)的体积缩小到了原产品的1/4。
作者:张兴法 期刊:《特种设备安全技术》 2008年第02期
安全链的保护功能,归根结底是对曳引电动机的控制。即:需要电梯立即停止时则曳引电动机应立即断电、制动器闭合。详细分析了对由交流或直流电源直接供电的电动机的控制;对由交流或直流电动机用静态元件供电的控制两种情况。提出了安全链如何在电机上实现。既避免对变频器特别是对其中功率元件的损坏,又能确保电梯的安全运行。
在PCB设计中,布局是一个重要环节。布局的好坏决定着布线的效果。布局的基本要求是:在符合性能的前提下,板面面积尽可能小一些,最好符合PCB专业标准的推荐尺寸;元件布置在印制板平面和空间上无冲突,插座等机械结构符合外壳设计;元器件排列均匀整齐,满足电路板组装工艺要求,便于安装和维修;元件之间特别是热敏元件与工作时温度较高的元件之间有适当的距离,功率元件要考虑安装合适的散热器;信号流程顺畅且互连最短等。
<正>IR公司以其独有的先进技术生产更好、更具竞争力的产品,开拓应用领域, 扩大市场份额。IR的经营战略如下: 1.聚焦高增长率市场的附加价值。倾其全力开发功率管理产品,研发最先
2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元,研究机构Yole Developpemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用,尤其是高阶低/中压应用,GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。
作者:戴明浪 期刊:《医疗卫生装备》 2005年第A09期
随着电力电子器件和计算机控制技术的发展,作为交流电动机主要调速方式的变频调速技术也获得了前所未有的发展。国内外的变频器已形成系列产品,尤其是矢量变换以及直接转矩控制等控制规律的应用,使异步电动机的调速性能已达到与直流调速相媲美的程度。然而开环变频调速存在着精度不高,应用范围受限的缺点。为了提高变频调速的性能,扩大应用范围,本文提出一种较为简单实用的闭环调速系统,其特点在于用数字变频器作为功率元件...
介绍了IR2111和IR2130功率MOSFET/IGBT驱动器的特点,分析了以IR2111和IR2130作为功率元件驱动器的PWM直流伺服系统主电路的工作原理。
松下在慕尼黑电子展"electronica 2016"上,展示了GaN功率晶体管和该器件的应用实例。同时宣布,将开始量产耐压600V的GaN功率晶体管"PGA26E07BA"和"PGA26E19BA"。均采用8mm见方的DFN封装。还将开始量产支持该晶体管的栅极驱动IC"AN34092B"。这是松下第一次量产GaN功率晶体管产品。该公司于2013年3月开始样品供货耐压600V的GaN功率晶体管。
众人皆知,由于半导体制程的不断精进,数位逻辑晶片的晶体管密度不断增高,运算力不断增强,使运算的取得愈来愈便宜,也愈来愈轻便,运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑,而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
例1:电源时有时无。有时工作中自行断电,有时无法开机,且无规律。 检修:根据故障现象判断可能是电源电路中某个元件虚焊。拆下电源板仔细观察,该电源PCB线路板采用双层印制板,除大功率元件外,均采用贴面元件,焊接质量较好,未发现有元件虚焊,通电开机机器能正常启动,轻敲机壳后故障出现,看来的确存在虚焊现象。再次拆下电源板检查,
电阻焊作为焊接学科的一个重要分支,广泛应用于工业生产的各行各业中,随着科学技术的发展,特别是计算机技术和功率元件技术的进步,电阻焊接技术也取得了许多新的科研成果。
雷诺尔推出RNMB3000系列变频器,该变频器采用大功率晶体管GTR作为功率元件,以单片机为核心进行控制,采用SPWM正弦脉宽调制方式,是电力电子与计算机控制相结合的机电一体化产品。
作者:周恩会; 范冰; 王朱涛 期刊:《电世界》 2014年第09期
1故障现象江苏沙钢集团有限公司第二条5 m宽厚板生产线的两台轧机主传动电动机由两套西门子SM150中压变频器控制。控制系统自2009年8月投用以来,运行良好,没有发生过故障。但在2012年4月、5月两个月内发生4起SM150中压变频器IGCT相模块损坏故障。IGCT相模块内部出现严重的电弧短路放电现象,导致IGCT功率元件阻容吸收回路中与电容相连的间距为11 mm的铜母排烧断,4个IGCT功率元件至少有2个被击穿,并联的续流二极管也被击穿。
作者:张志忠 期刊: 2011年第33期
隔爆水冷变频器的主电路损耗是比较大的,这些功率损耗全部通过热量的形式释放,导致功率元件的温度升高,而IGBT模块、整流二极管和晶闸管的最高工作温度受到最高温度不大于150℃的限制.因此.功率元件损耗所释放出来的热量是不容忽视的,必须采取有效的散热措施.保证功率元件工作在最高结温以下。
<正>罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的"全SiC"功率模块。据该公司介绍,全SiC功率模块的量产尚属"全球首次"。此次量产的全SiC功率模块的额定电压为1200 V,额定电流为100 A。分别