半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者：赵洁 刊期：2012年第02期
<正>根据工信电子函[2012]12号文件,工信部已《2012年度电子信息产业发展基金项目指南》,确定以下18个项目为本年度电子信息产业发展基金招标项目(见附件)进行招标。要求各地工业和信息化主管部门及中央管理的大型电
作者：郑冬冬 刊期：2012年第02期
<正>中芯国际集成电路制造有限公司首席执行官兼执行董事邱慈云,在SEMICONChina,SOLARCON China and FPD China 2012的开幕主题演讲中发表了题为"中国半导体的发展与机遇(The development and opportunity forChina"s Semiconductor Industry)"的演讲。
作者：郑冬冬 刊期：2012年第02期
<正>EEMI450计划白皮书近日推出,该白皮书定义了EEMI450计划要达到的目的。其中,解释了EEMI450计划相关经济动机和半导体产业的450mm晶圆尺寸过渡安排。白皮书强调了早期参与450mm欧洲半导体设备和材料产业相关的研
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>美国半导体产业协会(SIA)日前发表2011国际半导体科技蓝图,其中详细提出各种短期及长期发展趋势,一路规划出半导体产业至2026年的发展。美国半导体产业协会此次公布的蓝图,首先在2011年12月14日发表于韩
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>半导体产业正在面临一项挑战,即每两年微缩芯片特征尺寸的周期已然结束,我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示,芯片微缩的路程愈来愈艰困了。1.晶圆代工厂量产32/28 nm晶圆的周期延长到了三年左右。2009年,45/
作者：赵洁 刊期：2012年第02期
<正>尽管英特尔依然乐观地预测将于2015年之前推出8 nm制程工艺的芯片,但人们还是怀疑14 nm可能将成为硅芯片尺寸的最终尽头。近年来,芯片的发展进程始终严格遵守着"摩尔定律",并有条不紊地进行着,直到14 nm制造工艺的芯片在英特尔的实验室中被研制成功,业界开始有了
作者：赵洁 刊期：2012年第02期
<正>摩尔定律(Moore"sLaw)极限浮现与18英寸晶圆世代来临,将是半导体产业两项大革命,全球半导体厂都在思索未来趋势,台积电技术长孙元成指出,摩尔定律未必走不下去,只要与3DIC技术相辅相成,朝省电、体积小等特性钻研,
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>中芯国际集成电路制造有限公司于3月9日宣布,其0.11微米后段铜制程(Cu-BEoL)超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。中芯国际此次的超高密度IP库解决方案,与传统IP库相比,可使客户
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>目前功率半导体厂商开始由硅转向替代材料,更具体地说是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。业界采用在硅衬底和氮化铝缓冲层之上生长GaN的技术来降低成本。这使得设备厂商可以利用现有硅制程技术在衬底上生长PN结。GaN定价也从原先10-15倍于传统硅下降到更容易接受的水平。
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>eGaN FET两个最大的性能优势是可提供比MOSFET更高的效率和小得多的外形尺寸(通常D-PAK封装的MOSFET尺寸为65平方毫米,而采用超小型LGA封装的eGaN FET面积只有5.76平方毫米,缩小十几倍之多)。其它的性能优势包括:可很容易地与栅极驱动器集成、更高的功率密度、开
作者：郑冬冬 刊期：2012年第02期
<正>日本碍子公司公布了将于2012年内向市场投放口径为4英寸的GaN基板的业务目标。该公司目前正在样品供货2英寸产品。在201 2年3月上旬举行的"第四届日本东京国际照明展(LED Next Stage 2012)"上,该公司展出了GaN基板的试制品,并公布了有关业务计划。日本碍子正面向LED芯片及功率半导
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>道·康宁复合半导体方案公司于近日称己与美海军研究局签订了一份价值360万美元的合同,开发碳化硅半导体材料技术。据悉,作为第三代半导体材料的碳化硅对于宽能带隙设备的开发具有十分重要的意义,可用于支持包括先进雷达系统、基于手机的系统、混合电力车辆以
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管,组成
作者：吴琪乐 刊期：2012年第02期
<正>RF方面,SiGe BiCMOS工艺有何进展,能否真正取代GaAs工艺。目前,SiGe BiCMOS的工艺技术己经开发完成,正在客户试用阶段,2012年进入量产。从应用状况来看,SiGe BiCMOS和GaAs大部分在不同的市场应用范畴,但是随着各自技术的开发和延伸,其应用领域开始出现一定的重叠,在其重叠的
作者：郑冬冬 刊期：2012年第02期
<正>罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的"全SiC"功率模块。据该公司介绍,全SiC功率模块的量产尚属"全球首次"。此次量产的全SiC功率模块的额定电压为1200 V,额定电流为100 A。分别
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