首页 期刊 半导体信息杂志 2016年第06期
半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位：中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位：中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间：1990
所属类别：电子类
发行周期：双月刊
发行地区：江苏
出版语言：中文
预计审稿时间：1个月内
综合影响因子：0.01
总发文量：1962
总被引量：115
H指数：3
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分期目录

  • 中国投资基金拟设立10亿并购基金 重点信息安全芯片等

    刊期：2016年第06期

    中国投资基金国际公布,就拟设立前海中润新兴产业并购私募投资基金与德润资本订立谅解备忘录,总规模为10亿元人民币。预期公司认购不多于并购基金规模30%的出资额。并购基金投资方向重点围绕信息安全芯片、量子通信、信息智能传输、锂电池、石墨烯等新兴产业。这正好令公司拓宽其投资范畴至这些新兴产业。

  • 我国5G技术研发试验第二阶段技术规范正式

    刊期：2016年第06期

    11月20日,IMT-2020（5G）推进组在北京召开5G技术研发试验第二阶段技术规范会,来自国内外主要移动运营企业、系统设备、芯片、终端和仪表企业的80余名代表参加了会议。工信部、发改委和科技部相关领导出席了会议。工信部信息通信发展司闻库司长到会致辞,表示本次会议的5G规范是5G样机开发、系统技术方案验证及5G产业链培育的基础,

  • 加速产业建设 石家庄将设100亿IC产业投资基金

    刊期：2016年第06期

    11月15日,市政府出台《关于支持石家庄（正定）中关村集成电路产业基地发展的若干意见》（以下简称＂《意见》＂）,从投融资支持、基础设施建设、人才引进、优化发展环境等六方面入手,积极推进石家庄（正定）中关村集成电路产业基地（以下简称＂基地＂）的建设。在加大投融资支持方面,《意见》提出,将设立集成电路产业投资基金,基金总规模100亿...

  • 中电集团第五十五所SiC外延材料团队晋级首届“军民两用技术创新应用大赛”决赛

    刊期：2016年第06期

    在近期举行的首届中国军民两用技术创新应用大赛上,五十五所碳化硅（SiC）外延材料团队凭借优秀的团队基础,顺利通过初赛,并在半决赛的现场答辩评比环节中表现出色,于参赛的300支队伍中脱颖而出,成功晋级决赛。由工业和信息化部、国防科工局、全国工商联推出的首届中国军民两用技术创新应用大赛,主题是＂军民融合·协同创新＂,

  • 氮化镓技术的应用现状与发展趋势

    刊期：2016年第06期

    十年来,电子战和雷达最大的发展变化之一是其材料向氮化镓（GaN）过渡,并由此带来功率、可靠性和经济上的改善。十年前,美国国防部开始将GaN视为砷化镓（GaAs）的未来替代品,从而开始致力于其发展。GaN已证实可靠性和热导率均超过GaAs。

  • GaN耐磨性能接近钻石 或开辟应用新市场

    刊期：2016年第06期

    目前,氮化镓（GaN）已成为最重要、最广泛应用的半导体材料之一。其光电性能和机械性能使其成为多种应用的理想选择,包括发光二极管、高温晶体管、传感器以及与人体生物相容的电子植入物。三名日本科学家由于发现GaN在产生蓝光LED灯中的重要作用而获得了2014年的诺贝尔物理学奖。结合红光和绿光产生白光LED光源,

  • 美国伊利诺伊大学研究出GaN热管理新方法

    刊期：2016年第06期

    美国伊利诺伊大学研究团队在美国空军科学研究实验室青年研究人员计划的资助下,研究出一种简单、低成本的氮化镓（GaN）器件冷却方法,成果已在应用物理快报。研究背景GaN晶体管比传统硅晶体管功率密度更高,

  • 适用于激光雷达（LiDAR）系统的15V增强型GaN FET

    刊期：2016年第06期

    Efficient Power Conversion（宜普电源转换公司）的EPC 2040是一款15V的具备快速开关性能的增强型场效应管（eFET）,面向高频脉冲应用,具有10倍于传统MOSFETs的开关速度,可实现优越的分辨率、快速的响应时间以及更高准确度,是激光雷达（Light Distancing and Ranging,LiDAR）技术所采用的脉冲式激光驱动器的理想器件。

  • Qorvo六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

    刊期：2016年第06期

    Qorvo了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管——TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓（SiC）工艺——QGaN15。

  • 松下开始量产GaN功率元件还提供驱动IC

    刊期：2016年第06期

    松下在慕尼黑电子展＂electronica 2016＂上,展示了GaN功率晶体管和该器件的应用实例。同时宣布,将开始量产耐压600V的GaN功率晶体管＂PGA26E07BA＂和＂PGA26E19BA＂。均采用8mm见方的DFN封装。还将开始量产支持该晶体管的栅极驱动IC＂AN34092B＂。这是松下第一次量产GaN功率晶体管产品。该公司于2013年3月开始样品供货耐压600V的GaN功率晶体管...

  • 功率半导体产业展新局 碳化硅跻身电源元件主流

    刊期：2016年第06期

    过去几年来,碳化硅（SiC）型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长,成为各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋势：节能、缩减体积、系统整合及提升可靠性。IGBT搭配SiC二极管宽带隙技术改变局势SiC装置定位能够充分因应上述市场挑战。这项全新的宽带隙技术,

  • 西电郝跃院士团队在先进微电子器件研究领域取得突破性进展

    刊期：2016年第06期

    日前,西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展,首次通过实验,系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。

  • Wolfspeed交付了业界首台1000V SiC MOSFET满足对高效电动车快速电池充电器日益增长的需求

    刊期：2016年第06期

    作为碳化硅（SiC）电源产品的领导者,Cree旗下的Wolfspeed公司推出了一款1000V MOSFET,可以降低整体系统成本,同时提高系统效率和减小系统尺寸。新的MOSFET专门针对快速充电和工业电源进行了优化,

  • 美国北卡罗莱纳州立大学研制出新型碳化硅高压开关可工作在15kV和40A

    刊期：2016年第06期

    美国北卡罗莱纳州立大学未来可再生能源传输和管理（FREEDM）系统中心研制出高压和高频碳化硅（SiC）功率开关,成本远低于同等碳化硅功率开关。该发现将促进碳化硅器件在功率产业中的尽早应用,尤其是在中等电压驱动器、固态转换器、高压传输和断路器等功率转换单元中。

  • ADI公司将MEMS开关技术真正投入商用

    刊期：2016年第06期

    Analog Devices,Inc.（ADI）在开关技术领域取得的重大突破,提供用户期盼已久的替代产品,以取代100多年前即被电子行业采用的机电继电器设计。由继电器导致的多种性能局限早在电报问世之初就已存在,ADI公司全新的RF-MEMS开关技术解决了此类局限,从而能够开发出更快速、小巧、节能、可靠的仪器仪表。随着采用该技术的产品正式,

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