半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介:《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位:中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间:1990
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.01
总发文量:1962
总被引量:115
H指数:3
  • 国家意志助推“国芯”起飞 工信部力推补短板工程

    刊期:2018年第03期

    据《上海证券报》报道,工信部今年将制定2018年重大短板装备项目指南,启动编制重大短板装备创新发展指导目录。在各种重大工程补短板中,补齐集成电路行业的短板成业界共识。从长远来看,我国必须加快自主创新步伐,尖端科技产品国产化势在必行,而政府的各种扶持措施或将使“国芯”驶人快车道。

  • 美国研究人员采用调制掺杂技术显著提高氧化镓中的电子迁移率,氧化镓有望应用于高频通信系统和高能效电力电子等领域

    刊期:2018年第03期

    下一代高能效电力电子、高频通信系统和固态照明均依赖于宽禁带半导体材料。宽禁带材料电路的功率密度可以比硅电路更高,功耗更低。应用物理快报(Applied Physics Letters)报道的新实验中,美国俄亥俄州立大学、空军研究实验室等单位的研究人员已经表明,氧化镓(Ga2O3)宽禁带半导体可以设计成纳米级结构,使电子在晶体结构内移动得更快,也...

  • 美国美高森美公司推出军事宇航电极控制用SiC MOSFET功率模块,具有超低电感、大电流和低导通电阻等优点

    刊期:2018年第03期

    美国美高森美(Microsemi)公司推出SP6LI碳化硅(SIC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块,适用于军事、宇航、工业、汽车和医疗领域中开关电源和电机控制。

  • 美国Integra Technologies公司推出S波段雷达应用的GaN-on-SiC射频和微波晶体管

    刊期:2018年第03期

    近日,美国Integra Technologies公司推出一对135瓦和130瓦碳化硅基砷化镓(GaN—on—SiC)射频和微波晶体管,可用于S波段雷达应用。

  • 美国Triad射频系统公司推出8W氮化镓射频和微波双向放大器(BDA)

    刊期:2018年第03期

    美国Triad射频系统公司推出TTRM1200宽带氮化镓(GaN)射频和微波双向放大器(BDA)。该BDA工作在30MHz到2700MHz,输出功率超过8W,直流功耗24W,EVM小于9%,线性16QAM功率大于2瓦,能够工作在现有多个平台,直流输人电压1IV到28V;发射和接收间开关小于1毫秒,并可手动设置;外形尺寸是8.26×6.15×1.37立方厘米;带有模拟温度传感器,可监...

  • 欧洲电源转换和智能运动大会上的多款氮化镓功率产品

    刊期:2018年第03期

    欧洲电源转换和智能运动大会在2018年6月5日-7日举办,在第一天会议上,多个公司推出了氮化镓功率产品。氮化镓系统公司推出100W和300W无线功率放大器在举办的欧洲电源转换和智能运动(PCIM)大会上,欧洲氮化镓系统公司推出两款无线功率放大器,用于高功率消费、工业和运输应用的无线充电市场。

  • 比利时EpiGaN公司参与欧盟新启动的“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台”项目,提供的核心GaN/Si射频材料技术

    刊期:2018年第03期

    比利时EpiGaN公司主要生产功率开关、射频和传感器用的硅基氮化镓(GaN—on—Si)和碳化硅基氮化镓(GaN—on—SiC)外延晶圆,该公司是欧盟在2018年1月份启动的为期36个月的欧盟研究项目SERENA(‘硅基高效毫米波欧洲系统集成平台’)的重要成员。

  • 宽禁带半导体技术和开放式体系架构设计成为降低其尺寸、重量和功耗和提高效率的重要手段

    刊期:2018年第03期

    随着功率电子器件在国防领域应用的不断扩展,功率电子技术控制和调节复杂航空和国防集成系统电力,其依赖新的体系架构方法来实现更小的尺寸、重量和功耗和成本(SWAP—C)。新的设计和开放系统架构使功率器件制造商能够为各种陆地、飞机和太空应用提供小型、轻量和高功效的器件。

  • 美国能源部与高效合作研究出新型“谷电子”材料,有望提升芯片信息处理能力,延续摩尔定律

    刊期:2018年第03期

    《自然·通讯》杂志的研究发现,硫化锡(SnS)是一种有潜力的“谷电子”晶体管材料,未来很有可能用于芯片制造,提升芯片的信息处理能力。

  • 安森美半导体碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用

    刊期:2018年第03期

    安森美半导体(ON Semiconductor)了碳化硅(SIC)肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC—Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性,以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。

  • 全SiC功率模块阵容再扩充 低损耗与小型化持续升级

    刊期:2018年第03期

    罗姆于2012年3月份于全球首家开始量产内置功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后,产品阵容不断扩大,并拥有达1200V、300A的产品,各产品在众多领域中被广为采用。随着新封装的开发,罗姆继续扩充产品阵容,如今已经拥有覆盖IGBT模块市场主要额定电流范围100A~600A的全SiC模块产品。利用这些模块,可大幅提升普通同等额定电流...

  • 美高森美继提供下一代1200V SiC MOSFET样品和700V肖特基势垒二极管器件

    刊期:2018年第03期

    美高森美公司(Microsemi)下季初扩大其碳化硅(SIC)MOSFET和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200V、25mOhm和80mOhm SiC MOSFET器件的样品,及下一代700V、50A肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展,在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiCSBD/MOSFET产品...

  • 罗姆新厂房投建强化SiC功率元器件产能

    刊期:2018年第03期

    罗姆为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力,决定在ROHM Apollo Co.,Ltd.(日本福冈县)的筑后工厂投建新厂房。新厂房为地上3层建筑,总建筑面积约11,000m2.现在,具体设计工作正在有条不紊地进行,预计将于2019年动工,于2020年竣工。

  • Qorvo推出5款新型器件助力经济有效实施大规模MIMO至毫米波基础设施

    刊期:2018年第03期

    Qorvo,Inc.推出5款新型器件,其中包括两款二级功率放大器-QPA4501、QPA3506,两款集成前端模块-QPB9329、QPB9319和一款宽带驱动放大器-QPA9120,进一步扩展了其适用于大规模MIMO和5G通信基站的RF产品组合。这些高度集成的小尺寸、高效率模块支持准5G和5G架构的所有适用频段(从3GHz至39GHz)。

  • ADI推出业界最宽带宽RF收发器 加速2G-5G基站和相控阵雷达的开发

    刊期:2018年第03期

    Analog Devices,Inc.(ADD推出业界最宽带宽RF收发器ADRV9009,以扩展其屡获殊荣的RadioVerse技术和设计生态系统。该收发器为设计人员提供单一无线电平台来加速5G部署,支持2G/3G/4G覆盖范围,并简化相控阵雷达设计。ADRV9009RF收发器提供两倍于前代器件的带宽(200MHz),可取代多达20个器件,功耗降低一半,封装尺寸减小609/5。