作者:薛严冰; 李晖 期刊:《大连交通大学学报》 2005年第02期
通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.
采用Magnachip 0.13μm CMOS工艺,设计了一款能可靠地工作在455MHz频率的低功耗电荷泵锁相环。在设计过程中,对短沟道效应带来的影响进行了详细的分析,并提出了一种如何消除由于短沟道效应导致的抖动方法。最终利用Hspice软件进行了仿真测试,仿真结果显示,在1.5V工作电压下,整个电路的功耗小于8m W,锁定时间小于15μs。
作者:赵少峰; 易扬波 期刊:《电子器件》 2007年第02期
利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.流片测试的阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,器件的各项指标达到了量产的要求.
作者:曾云 李晓磊 张燕 张国樑 王太宏 期刊:《功能材料与器件学报》 2008年第04期
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET闻值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Mathematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求。
作者:唐伟 冯林润 赵家庆 蒋琛 崔晴宇 郭小军 期刊:《印制电路信息》 2013年第12期
使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极,并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力,可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。