摘要:提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET闻值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Mathematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求。
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期刊级别:部级期刊
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