摘要：通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.

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