摘要：采用电子背散射衍射等技术研究了工业黄铜H68的晶界工程（GBE）处理及晶界特征分布（GBCD）。结果表明：工业黄铜H68经固溶和预处理,再进行6%冷轧并在923 K退火10 min后,其特殊晶界比例达到76%,一般大角晶界包围的∑3n（n=1,2,3）特殊晶粒团尺寸大于300μm,较好地阻断了一般大角晶界网络的连通性,实现了GBCD优化;预处理中非共格∑3晶界的形成及再结晶引起的晶粒细化,为后续冷轧退火中诱发∑3n（n=1,2,3）晶界迁移反应提供了条件,这是H68黄铜发生GBCD优化的主要机制。

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